應用領域主要包括:
在半導體光電材料方面:在中國,用於集成電路(ic)和太陽能電池的單晶矽(Si)年產量約為400噸。用於光電器件的GaAs單晶、用於LED和LD的InP單晶以及用於紅色和綠色LED的GaP芯片材料已經投入實際應用。藍光LD、藍綠光LED、GaN、SiC等寬帶隙半導體材料正在開發中。
在激光晶體材料方面,華北光電技術研究所研制的Nd:YAG晶體毛坯性能指標達到國際先進水平。華博科技有限公司YAG激光棒年量產能力為3000支。中國已經成為釩酸釔晶體的生產和出口大國。福建結構研究所研制出大尺寸YVO4 _ 4單晶,並加工成偏光晶體器件。
在非線性光學晶體方面,我國研制的偏硼酸鋇(BBO)、三硼酸鋰(LBO)等高品質非線性光學材料為世界首創,用於可見光區激光光源的頻率轉換。用於激光倍頻、光參量振蕩、電光調Q、聲光、電光器件的鈮酸鋰(LN)單晶中國年產能約10噸。
光電子材料的發展重點是:高功率、可調諧、LD泵浦和新波長激光晶體;超高亮度(LED)和半導體激光器(LD)用GaAs、Gap、GaN基外延材料;STN、TFT顯示用液晶材料等。用於密集波分復用系統的G.655非零色散位移光纖和大尺寸光纖預制棒。