BSI CMOS稱為背照式CMOS,是CMOS的壹種。傳統CMOS的結構從上到下依次是透鏡、濾光片、電路、光電二極管。光線自上而下穿過,最終到達光電二極管,被照亮後產生電信號。這種傳統結構相對容易制造,成本低,穿透率高,但是電路層對透光率有壹定的影響,使得底部的光電二極管接收光線不足。為了解決這個問題,背照式CMOS應運而生。原理是將電路層移到光電二極管下方,減少遮擋,從而最大限度地提高光電二極管的靈敏度。
原理很簡單,但實現起來並不容易。這個設計是1990提出的。但由於制造技術的原因,即使能研制出樣品,也沒有達到商用的水平。直到2009年,索尼才首次推出商用量產背照式CMOS,並註冊了Exmor R商標。
背照式CMOS的缺點是底部電路層容易產生串擾,影響低感光度下的畫質(與傳統CMOS的缺點相反),正在逐步改善。
目前能制造背照式CMOS的公司只有幾家,包括松下。