BSI CMOS稱為背照式CMOS，是CMOS的壹種。傳統CMOS的結構從上到下依次是透鏡、濾光片、電路、光電二極管。光線自上而下穿過，最終到達光電二極管，被照亮後產生電信號。這種傳統結構相對容易制造，成本低，穿透率高，但是電路層對透光率有壹定的影響，使得底部的光電二極管接收光線不足。為了解決這個問題，背照式CMOS應運而生。原理是將電路層移到光電二極管下方，減少遮擋，從而最大限度地提高光電二極管的靈敏度。
原理很簡單，但實現起來並不容易。這個設計是1990提出的。但由於制造技術的原因，即使能研制出樣品，也沒有達到商用的水平。直到2009年，索尼才首次推出商用量產背照式CMOS，並註冊了Exmor R商標。
背照式CMOS的缺點是底部電路層容易產生串擾，影響低感光度下的畫質(與傳統CMOS的缺點相反)，正在逐步改善。
目前能制造背照式CMOS的公司只有幾家，包括松下。