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二極管識別問題?

半導體二極管參數的符號及其意義

CT -勢壘電容

Cj -結(極間)電容,表示二極管兩端在規定偏壓下鍺探測器二極管的總電容。

Cjv -偏置結電容

共零偏置電容器

Cjo -零偏置結電容

cjo/cjn-結電容變化

Cs -外殼電容或封裝電容

Ct -總電容

CTV電壓溫度系數。測試電流下穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比。

CTC -電容的溫度系數

Cvn -標稱電容

中頻-正向DC電流(正向測試電流)。鍺檢測二極管在規定的直流電壓VF下通過電極之間的電流;矽整流管和矽堆在規定使用條件下允許以正弦半波連續通過的最大工作電流(平均值),矽開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向DC電流;測量齊納二極管正向電參數時的給定電流

if(av)-正向平均電流

IFM(IM)-正向峰值電流(正向最大電流)。額定功率下二極管允許的最大正向脈沖電流。發光二極管的極限電流。

IH -恒定電流,保持電流。

Ii -發光二極管的輝光電流

IFRM正重復峰值電流

IFSM正向非重復峰值電流(浪湧電流)

Io整流電流。特定線路在特定頻率和電壓條件下通過的工作電流。

if(ov)-正過載電流

IL -光電流或穩定二極管的極限電流

ID -暗電流

單結晶體管中的IB2基極調制電流

IEM發射極峰值電流

IEB10 -雙基單結晶體管中發射極和第壹基極之間的反向電流

雙基單結晶體管中的IEB20 -發射極電流

ICM -最大平均輸出電流

IFMP正向脈沖電流

IP峰值電流

IV -谷點電流

晶閘管控制極的IGT觸發電流

IGD -晶閘管控制極不觸發電流。

IGFM -控制極正峰值電流

IR(av)-反向平均電流

IR(in)-反向DC電流(反向漏電流)。測量反向特性時,給定的反向電流;具有指定反向電壓的正弦半波阻性負載電路中通過矽堆的電流;當反向工作電壓VR施加在矽開關二極管上時流過的電流;反向電壓下齊納二極管產生的漏電流;正弦半波最大反向工作電壓下整流器的漏電流。

IRM -反向峰值電流

晶閘管反向重復平均電流

IDR -晶閘管關斷狀態平均重復電流

IRRM反向重復峰值電流

IRSM反向非重復峰值電流(反向浪湧電流)

反向恢復電流

Iz -穩定的電壓和電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定反向電流

穩壓器的拐點電流

IOM -最大正向(整流)電流。在特定條件下可以承受的最大正向瞬時電流;在帶阻性負載的正弦半波整流電路中,允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流。

IZSM -齊納二極管的浪湧電流

IZM -最大調節電流。齊納二極管在最大功耗下允許的電流。

IF -正總瞬時電流

IR -反向總瞬時電流

反向恢復電流

Iop -工作電流

Is -穩流二極管穩定電流。

f頻率

N -電容變化指數;電容比

Q -卓越價值(品質因數)

δVZ-穩壓器的電壓漂移

di/dt-通態電流的臨界上升速率

dv/dt-通態電壓的臨界上升速率

耐脈沖燃燒功率。

pft(av)-正向傳導的平均耗散功率。

PFTM正峰值耗散功率

PFT -正向傳導的總瞬時耗散功率

Pd -耗散功率

PG -平均門功率

PGM -門峰值功率

PC -控制電極的平均功率或集電極消耗的功率。

Pi -輸入功率

PK -最大開關功率

PM -額定功率。矽二極管的結溫不高於150度所能維持的最大功率。

PMP -最大泄漏脈沖功率

PMS -最大耐受脈沖功率

Po -輸出功率

PR -反向浪湧功率

Ptot -總耗散功率

Pomax -最大輸出功率

Psc -連續輸出功率

PSM -非重復浪湧功率

PZM -最大耗散功率。齊納二極管在給定使用條件下允許承受的最大功率。

RF(r)-正向微分電阻。正向導通時,隨著電壓指數的增大,電流呈現明顯的非線性特征。在壹定的直流電壓下,如果電壓增加少量△V,正向電流增加△I,那麽△V/△I就叫微分電阻。

雙基晶體管基極間電阻

射頻電阻器

RL -負載電阻

RS(RS)-串聯電阻

Rth -熱阻

r(th)ja-從結到環境的熱阻。

rz(ru)-動態電阻

r(th)JC——從接點到外殼的熱阻。

R δ -衰減電阻

r(th)-瞬態電阻

Ta -環境溫度

Tc -外殼溫度

Td -延遲時間

Tf -下降時間

Tfr -前向恢復時間

Tg -電路換向關斷時間

Tgt -柵控電極開啟時間

Tj結溫度

Tjm -最高結溫

開噸時間

關斷時間

Tr -上升時間

Trr -反向恢復時間

Ts -存儲時間

Tstg -溫度補償二極管的存儲溫度

A -溫度系數

λp-發光的峰值波長

δλ-光譜半寬度

η——單結晶體管的分壓比或效率

反向峰值擊穿電壓

Vc整流輸入電壓

VB2B1 -基極間電壓

VBE10 -發射極和第壹基極之間的反向電壓

VEB飽和壓降

VFM -最大正向壓降(正向峰值電壓)

VF -正向電壓降(正向DC電壓)

△VF——正壓降差

VDRM -關斷狀態重復峰值電壓

VGT門觸發電壓

VGD門電壓沒有被觸發。

VGFM -柵極正峰值電壓

VGRM -柵極反向峰值電壓

VF(av)-正向平均電壓

Vo -交流輸入電壓

VOM -最大輸出平均電壓

Vop -工作電壓

Vn -中心電壓

Vp -峰值電壓

VR -反向工作電壓(反向DC電壓)

VRM -反向峰值電壓(最高測試電壓)

v(br)-擊穿電壓

Vth -閥電壓(mosfet)

VRRM -反向重復峰值電壓(反向浪湧電壓)

VRWM -峰值工作反向電壓

V v -谷電壓

Vz穩定電壓

△vz——穩壓範圍內的電壓增量

Vs -鎮流器的電壓對電壓(信號電壓)或穩定電流電壓。

Av -電壓溫度系數

Vk -拐點電壓(穩流二極管)

VL極限電壓

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