目前碳化矽晶片主要是4英寸和6英寸，而用於功率器件的矽片主要是8英寸，這意味著碳化矽晶片生產的芯片較少，碳化矽芯片的制造成本較高。
基本介紹:
在已開發的寬帶隙半導體中，碳化矽(SiC)半導體材料是最成熟的壹種。SiC半導體材料具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子遷移率和較小的體積，在高溫、高頻、大功率、光電子和抗輻射器件方面具有巨大的應用潛力。
碳化矽的應用範圍很廣:由於它的帶隙很寬，可以用來制作幾乎不受太陽光影響的藍光二極管或紫外探測器；由於它所能承受的電壓或電場是矽或砷化鎵的8倍，因此特別適合制造高壓二極管、功率三極管、大功率微波器件等高壓大功率器件。
由於其飽和電子遷移速度高，可制成各種高頻器件(射頻和微波)；碳化矽是熱的良導體，其導熱性優於其他任何半導體材料，這使得碳化矽器件在高溫下也能正常工作。