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江蘇東光微電子有限公司行業背景。

公司產品的分立器件在半導體行業中占比相對較小,約為10%,而功率器件占比最大,2008年占比51.6%。國內分立器件市場主要由國外廠商占據,2008年市場份額為83.6%。進口替代空間巨大,但同時技術壁壘也很高。功率器件主要包括三種:整流器、晶閘管和功率晶體管。

以MOSFET和IGBT為代表的功率晶體管是發展速度最快、市場空間最大的產品。比如2008年MOSFET國內銷售額達到237億元,占比28.8%。

競爭優勢:1)技術和R&D優勢。公司不做OEM,堅持自主創新,以IDM模式運營,在固體放電管、VDMOS等多個產品領域實現進口替代。

2)市場品牌優勢。公司擅長分立功率器件,在通信用保護器件市場占據絕對主導地位,市場份額高達80%。

3)成本優勢。因為公司以IDM模式運營,依靠公司設備的國產化來降低產品成本。

募集資金項目:本次發行募集資金擬投向三個方向:1)半導體保護功率器件生產線項目;2)新型功率半導體器件生產線技術改造項目;3)半導體封裝生產線項目。

投資建議:預計公司10年和11年稀釋每股收益分別為0.35元和0.50元,給予公司10年動態市盈率35-40倍,合理估值12.40元-14.500856866

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