以MOSFET和IGBT為代表的功率晶體管是發展速度最快、市場空間最大的產品。比如2008年MOSFET國內銷售額達到237億元，占比28.8%。
競爭優勢:1)技術和R&D優勢。公司不做OEM，堅持自主創新，以IDM模式運營，在固體放電管、VDMOS等多個產品領域實現進口替代。
2)市場品牌優勢。公司擅長分立功率器件，在通信用保護器件市場占據絕對主導地位，市場份額高達80%。
3)成本優勢。因為公司以IDM模式運營，依靠公司設備的國產化來降低產品成本。
募集資金項目:本次發行募集資金擬投向三個方向:1)半導體保護功率器件生產線項目；2)新型功率半導體器件生產線技術改造項目；3)半導體封裝生產線項目。
投資建議:預計公司10年和11年稀釋每股收益分別為0.35元和0.50元，給予公司10年動態市盈率35-40倍，合理估值12.40元-14.500856866