三端晶體管主要分為兩類:雙極晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET，單極)。晶體管有三個電極(端子)；雙極晶體管的三個電極(端子)。
發射極、基極和集電極)；分別由N型和P型半導體組成；場效應晶體管的三個極(端子)分別是源極、柵極和漏極。
擴展數據:
點接觸晶體管:1945年二戰末期，肖克利等人發明的點接觸晶體管成為人類微電子革命的先行者。為此，肖克利提交了貝爾第壹個晶體管的專利申請。最後被第壹個晶體管專利授權。
雙極和單極晶體管:肖克利在1952中雙極晶體管的基礎上進壹步提出了單極結型晶體管的概念，今天稱為結型晶體管。其結構類似於pnp或npn雙極晶體管。
然而，在p_n材料的界面處存在耗盡層，以在柵極和源極-漏極導電溝道之間形成整流接觸。同時，兩端的半導體作為門。源極和漏極之間的電流大小由柵極調節。
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