率先發現了氟離子對AlGaN/GaN異質結二維電子氣的調制現象，並提出了物理解釋；基於這壹新發現，成功地研制出高性能增強型AlGaN/GaN HEMTs。開發出GaN基單片集成新技術，研制出可在375 ℃ 高溫下正常工作的GaN基DCFL電路。發明了利用化學機械研磨(CMP)實現垂直結構大功率GaN LED的新技術。在國內外專業期刊及會議發表學術論文三十余篇，申請美國專利六項,其中兩項處於公告期，申請中國專利兩項。