半導體光刻膠按曝光光源的波長分類，有紫外全光譜(300 ~ 450 nm)、G線(436nm)、I線(365nm)、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)、極紫外(EUV)，也產生了對應各種曝光波長的光刻膠。壹般來說，波長越短，處理分辨率越好。
還產生對應於每個曝光波長的光致抗蝕劑。壹般來說，波長越短，處理分辨率越好。目前半導體用的光刻膠主要分為五大類:G線光刻膠、I線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠、EUV光刻膠。
ArF和KrF光刻膠
到了90年代末，半導體制造工藝發展到350mm以下，G-line和I-line光刻膠無法滿足這種需求，於是出現了248nm波長光源的KrF光刻膠和193nm波長光源的ArF光刻膠。都屬於深紫外光刻膠，和G線、I線有質的區別。
在隨後的20年裏，ArF光刻膠壹直是半導體制造領域最可靠、應用最廣泛的光刻光源。21世紀後，在浸沒式光刻和多重光刻等新技術的幫助下，ArF光刻系統突破了之前65nm分辨率的瓶頸，ArF光刻技術仍然廣泛應用於45nm到10nm之間的半導體制造工藝中。？
目前國外晶圓廠主流工藝是14nm，中國大陸代工龍頭企業SMIC的工藝是28 mm，三星、臺積電雖然也有10nm以下的工藝，但並沒有得到廣泛應用。