Spaceetch,先在700℃熱氧化生長壹層150?左右襯TEOS作為刻蝕氮化物的停止層,也作為氮化物的緩沖層,以減小氮化物對Si的應力。然後再沈積壹層SIN(300?),這是主要的,但不要太厚,太厚會對TEOS下部襯砌結構造成破壞,也就是說,襯砌TEOS將無法支撐。
但是,墊片要求有壹定的厚度,所以壹層TEOS(1000?100?),從而形成O-N-O結構。
在間隔物蝕刻期間,幹法蝕刻停止在內襯TEOS上,然後濕法蝕刻用於蝕刻內襯TEOS,但是沒有完全去除。氧化物剝離後,內襯氧化物仍有50?作為SN+、SP+的IMP的掩蔽層。
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