Spaceetch，先在700℃熱氧化生長壹層150？左右襯TEOS作為刻蝕氮化物的停止層，也作為氮化物的緩沖層，以減小氮化物對Si的應力。然後再沈積壹層SIN(300？)，這是主要的，但不要太厚，太厚會對TEOS下部襯砌結構造成破壞，也就是說，襯砌TEOS將無法支撐。
但是，墊片要求有壹定的厚度，所以壹層TEOS(1000？100?)，從而形成O-N-O結構。
在間隔物蝕刻期間，幹法蝕刻停止在內襯TEOS上，然後濕法蝕刻用於蝕刻內襯TEOS，但是沒有完全去除。氧化物剝離後，內襯氧化物仍有50？作為SN+、SP+的IMP的掩蔽層。
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