2011年6月1日，來自美國德州的獨立發明人James Goodman以1項專利侵權為由，控告以半導體龍頭英特爾(Intel)以及日商爾必達(Elpida)為首等6家廠商，全案目前由加州北部聯邦地院負責審理調查。
本次的系爭專利編號為US6,243,315，專利發明人和專利權人皆為James Goodman，主要涉及記憶體裝置的電力控制設計，James Goodman認為透過該專利技術的使用可提升記憶體發揮低耗能和高效率的兩大特性。
根據訴狀上James Goodman的聲明，包含英特爾在內的6家被告廠商，其生產的PSRAM(Pseudo SRAM)產品皆有侵犯專利315的情形。目前在行動電話以及手持裝置市場的主要3種記憶體類型分別為DRAM、SRAM(Synchronous RAM)和PSRAM。而PSRAM本身由於具有DRAM的架構系統以及SRAM的外接介面，因此也可視為兩種記憶體的綜合體，競爭優勢在於記憶容量較大且生產成本較低，16Mb的PSRAM價格甚至還比8Mb的SRAM便宜，此外，PSRAM同時也是iPhone目前所配備的記憶組之壹。