芯片的制造流程中，矽片表面通過氧化的方式生長壹層氧化層，通過在氧化層上刻印圖形和刻蝕，達到對矽襯底進行擴散摻雜，激活矽片的半導體屬性，從而形成有效的PN結。
二、光刻設備
光刻的本質是把電路結構圖復制到矽片上的光刻膠上，方便之後進行刻蝕和離子註入。從集成電路誕生之初，光刻就被認為是集成電路制造工藝發展的驅動力。
三、塗膠顯影設備
塗膠顯影設備是光刻工序中與光刻機配套使用的塗膠、烘烤及顯影設備，包括塗膠機、噴膠機和顯影機。該設備不僅直接影響光刻工序細微曝光圖案的形成，對後續蝕刻和離子註入等工藝中圖形轉移的結果也有著深刻的影響。
四、刻蝕設備
刻蝕指將矽片上未被光刻膠掩蔽的部分通過選擇性去掉，從而將預先定義的圖形轉移到矽片的材料層上的步驟。
五、離子註入設備
壹般而言，本征矽(即原始不含雜質的矽單晶)導電性能很差，只有當矽中加入少量雜質，使其結構和電導率發生改變時，矽才成為真正有用的半導體。
六、薄膜沈積設備
1、PVD設備
2、CVD設備
七、CMP設備
CMP（化學機械拋光）工藝指拋光機的拋光頭夾持住矽片相對拋光墊做高速運動，拋光液在矽片和拋光點之間連續流動，拋光液中的氧化劑不斷接觸裸露的矽片表面，產生氧化膜，然後借助拋光液中的微粒機械研磨作用去除氧化膜。
八、檢測設備
1、質量測量設備
2、電學檢測設備
九、清洗設備