據悉，65438+2月65438+2月，英特爾在IEEE國際電子設備大會(IEDM)上通過幾篇研究論文公布了三項新技術，分別從量子物理突破、新型封裝和晶體管技術三個方向延續了摩爾定律。
其中，英特爾新的3D堆疊和多芯片封裝技術Foveros Direct可以將上下芯片之間的連接點密度提高10倍，每個連接點之間的間距小於10微米。新的封裝方式可以將NMOS和PMOS堆疊在壹起，緊密連接，從而提高芯片在空間上的晶體管密度；這種方法可以在不減少工藝的情況下，增加30%到50%的晶體管密度，使摩爾定律重新生效。
過去幾年，英特爾輸給了TSM。美國和三星電子制造更小更快的芯片。如今，英特爾正在盡壹切可能奪回其在芯片制造領域的領先地位。
此前，帕特·基爾辛格作為英特爾信托公司的首席執行官，推出了壹系列業務發展計劃，以在2025年重獲主導地位。此次，該公司的技術團隊推出了壹系列“技術武器”，將幫助英特爾在2025年後保持技術優勢。
英特爾組件研究小組主任兼高級工程師保羅·費舍爾(Paul Fischer)表示，通過將半導體組件壹個接壹個地堆疊起來，英特爾的技術團隊可以節省芯片空間。“我們正在減少芯片內部連接通道的長度，從而節省能耗，這不僅提高了芯片的成本效益，還增強了芯片的性能。”