關於內存的常見技術指標
接下來說壹下大家普遍關心的關於內存的各種技術指標，包括管腳數、容量、速度、奇偶性等等。通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GMB，其中512 GB內存成為主流配置。存儲器芯片的訪問時間是存儲器的另壹個重要指標，其單位以納秒(ns)表示。內存條是否有奇偶校驗位是人們經常忽略的問題。奇偶校驗在確保數據的正確讀寫方面起著關鍵作用，尤其是在計算非常大的數據時。有些標準內存芯片有奇偶校驗位，有些沒有；非標準內存芯片都有奇偶校驗位。
對於SDRAM，我們至少要通過三個參數來評價它的性能。
(1)系統時鐘周期-它代表SDRAM可以運行的最大頻率。比如系統時鐘頻率為10ns的SDRAM芯片，可以運行在100MHz的頻率上。大部分SDRAM芯片都能滿足這個要求。顯然，這個數字越小，SDRAM芯片能運行的頻率就越高。對於現代PC -100 SDRAM，其芯片上刻的-10代表其時鐘周期為10ns，可以運行100MHz的外部頻率。根據現代的產品數據表，我們可以知道這個芯片(下面會討論)的數據訪問時間是6ns。
(2)訪問時間——類似於江戶/FPM DRAM，表示讀取數據的延遲時間。大部分SDRAM芯片的存取時間是6、7、8或10ns。但是不要和系統時鐘頻率混淆。很多人把訪問時間當成這個SDRAM芯片能運行的外頻。對於高士達PC-100 SDRAM，刻在芯片上的-7代表其訪問時間為7ns。但是他的系統時鐘頻率還是10ns，外部頻率是100MHz。
(3)CAS(縱向尋址脈沖)反應時間- CAS延遲時間。壹些SDRAM可以在CAS延遲(CL)2或3模式下運行。也就是說，讀取數據的延遲可以是兩個時鐘周期，也可以是三個時鐘周期。我們可以把這個性能寫入SDRAM的EEPROM，這樣PC的BIOS就會檢查這個內容，以CL=2模式的更快速度運行。
但是，上述三個績效指標是相互制約的。換句話說，當您擁有快速訪問時間時，您必須犧牲CAS延遲的性能。所以在評價比較SDRAM的性能時，壹定要綜合考慮以上三個指標，不能只從芯片上刻的-6，-7，-8或者-10來看。
也就是壹旦芯片廠商稱其產品為PC-100。其芯片符合PC-100標準。那麽-6，-7，-10只是壹個符號。不代表-6比-7快。所以為了防止人們產生誤解，三星不再用這個數據來表示訪問時間，而是用字母來表示訪問時間。
下面是壹個評估SDRAM性能的簡單示例。
對於100MHz系統，系統時鐘周期為10ns。
粗略計算:讀取區域數據的總延遲時間=CAS延遲延時+訪問時間。
比如:現代PC-100 SDRAM，訪問時間8ns，CL2模式。因此，總延遲時間=2 x周期+訪問時間=2 x 10 ns+8 ns = 28 ns。
如果SDRAM在CL3模式下運行，訪問時間為6ns。這樣，總時延=3 x 10 ns+6 ns = 36 ns。
顯然，SDRAM在CL2模式下運行時，速度完全快於CL3模式。
購買內存
市面上常見的SDRAM品牌有現代、三星、LG、NEC、東芝、西門子、TI(德州儀器)等。購買時註意芯片表面印刷的文字是否清晰，標稱速度是多少，產地是哪裏。需要註意的是，上面提到的品牌只是指內存條，並不是整個內存條，將內存條封裝在電路板上制作內存條的工作是由其他廠商完成的。比如著名的美國金士頓內存，只是封裝了其他廠商的優質內存條，自己並不生產內存條。所以即使是同壹個品牌的內存條，由於封裝廠家不同，質量也會有很大的差異，從電路板的工藝就可以看出來。好的電路板看起來顏色均勻，表面光滑，邊緣整齊，無毛刺，六層板結構，手感厚重。主流的LGS內存已經被HY內存取代。雖然換了牌子，但東西還是壹樣的。常見型號為GM72V66841ET7J，為8×8粒子。我記得我壹年前買的內存顆粒型號是GM72V66841CT7J，和現在的內存壹樣。目前市面上PC-133的CAS參數基本都是3，要買到真正CAS參數為2的PC-133內存條還需要壹段時間。KINGMAX內存和金條也是不錯的選擇，但是內存采用專利封裝技術，不會遇到假貨。