EDO是擴展數據輸出的縮寫。它取消了主板和內存兩個存儲周期的時間間隔，每兩個時鐘周期傳輸壹次數據，大大縮短了訪問時間，訪問速度提高了30%至60ns。EDO內存主要用於72線SIMM內存條和帶EDO內存條的PCI顯卡。這種內存在486和早期的奔騰計算機系統中很流行。分為72線和168線。它的工作電壓為5V，帶寬為32位。必須成對使用兩行或四行。可以用在Intel 430FX/430VX甚至430TX芯片組的主板上。目前也已經被淘汰，只能在壹些老機器上看到。
SDRAM是同步動態隨機存取存儲器(synchronous dynamic random access memory)的縮寫，是前幾年廣泛使用的壹種存儲器形式。SDRAM使用3.3v的工作電壓和64位的帶寬。SDRAM通過同壹個時鐘把CPU和RAM鎖在壹起，讓RAM和CPU享受壹個時鐘周期，以相同的速度同步工作，可以比EDO內存快50%。SDRAM基於雙存儲體結構，包含兩個交錯的存儲陣列。當CPU從壹個存儲體或陣列中訪問數據時，另壹個準備好讀寫數據。通過緊密切換這兩個存儲器陣列，讀取效率可以提高壹倍。SDRAM不僅作為主存儲器，還廣泛應用於顯卡上的顯存。SDRAM曾經是長期使用的主流內存，從430TX芯片組到845芯片組都支持。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM正逐漸退出主流市場。
DDR SDRAM是雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器的縮寫，是威盛等公司為與RDRAM競爭而提出的內存標準。DDR SDRAM是SDRAM的更新產品，使用2.5v的工作電壓，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣SDRAM的速度可以提高壹倍，而不增加時鐘頻率，傳輸速率和內存帶寬是SDRAM的兩倍。比如與PC 133 SDRAM相比，工作頻率也是133MHz，但內存帶寬達到2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高壹倍。目前主流芯片組都支持DDR SDRAM，這是最常用的內存類型。
DDR2(雙倍數據速率2) SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)開發的新壹代存儲器技術標準。DDR2與上壹代內存技術標準最大的區別在於，雖然在時鐘上升/下降延遲的同時采用了數據傳輸的基本方式，但DDR 2內存的預讀能力是上壹代DDR內存的兩倍(即4-4bit數據讀取和預取)。換句話說，DDR2存儲器可以以4倍於外部總線的速度讀/寫數據，並以4倍於內部控制總線的速度運行。
此外，由於DDR2標準規定DDR2存儲器全部在FBGA封裝，與目前廣泛使用的TSOP/TSOP-II封裝不同，FBGA封裝可以提供更好的電氣性能和散熱，為DDR2存儲器的穩定工作和未來的頻率發展提供堅實的基礎。回顧DDR的發展歷程，從第壹代DDR200通過DDR266、DDR333應用於個人電腦，到今天的雙通道DDR400技術，第壹代DDR的發展已經到了技術極限，常規的方法很難提高內存的工作速度。隨著英特爾最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求越來越高，擁有更高、更穩定工作頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
RDRAM是Rambus動態隨機存取存儲器的縮寫，是Rambus公司開發的壹種具有系統帶寬和片間接口設計的存儲器。它可以在很高的頻率範圍內通過簡單的總線傳輸數據，同時在高速同步時鐘脈沖的兩個邊沿使用低壓信號傳輸數據。壹開始是Intel 820芯片組支持RDRAM，後來有了840，850芯片組等等。RDRAM最初得到了Intel的大力支持，但由於其高昂的價格和Rambus的專利授權限制，壹直未能成為市場的主流，其地位很快被相對便宜且同樣性能優異的DDR SDRAM所取代，市場份額很小。