FPM記憶
FPM是快速頁面模式的縮寫，是早期個人電腦常用的內存。它每三個時鐘周期傳輸壹次數據。已經被淘汰了。
擴展數據輸出
EDO是擴展數據輸出的縮寫。它取消了主板和內存兩個存儲周期的時間間隔，每兩個時鐘周期傳輸壹次數據，大大縮短了訪問時間，訪問速度提高了30%至60ns。EDO內存主要用於72線SIMM內存條和帶EDO內存條的PCI顯卡。這種內存在486和早期的奔騰計算機系統中很流行。分為72線和168線。它的工作電壓為5V，帶寬為32位。必須成對使用兩行或四行。可以用在Intel 430FX/430VX甚至430TX芯片組的主板上。目前也已經被淘汰，只能在壹些老機器上看到。
同步動態隨機存取存儲器
SDRAM是同步動態隨機存取存儲器(synchronous dynamic random access memory)的縮寫，是前幾年廣泛使用的壹種存儲器形式。SDRAM使用3.3v的工作電壓和64位的帶寬。SDRAM通過同壹個時鐘把CPU和RAM鎖在壹起，讓RAM和CPU享受壹個時鐘周期，以相同的速度同步工作，可以比EDO內存快50%。SDRAM基於雙存儲體結構，包含兩個交錯的存儲陣列。當CPU從壹個存儲體或陣列中訪問數據時，另壹個準備好讀寫數據。通過緊密切換這兩個存儲器陣列，讀取效率可以提高壹倍。SDRAM不僅作為主存儲器，還廣泛應用於顯卡上的顯存。SDRAM曾經是長期使用的主流內存，從430TX芯片組到845芯片組都支持。但隨著DDR SDRAM的普及，SDRAM正逐漸退出主流市場。
RDRAM存儲器
RDRAM是Rambus動態隨機存取存儲器的縮寫，是Rambus公司開發的壹種具有系統帶寬和片間接口設計的存儲器。它可以在很高的頻率範圍內通過簡單的總線傳輸數據，同時在高速同步時鐘脈沖的兩個邊沿使用低壓信號傳輸數據。壹開始是Intel 820芯片組支持RDRAM，後來有了840，850芯片組等等。RDRAM最初得到了Intel的大力支持，但由於其高昂的價格和Rambus的專利授權限制，壹直未能成為市場的主流，其地位很快被相對便宜且同樣性能優異的DDR SDRAM所取代，市場份額很小。
DDR SDRAM存儲器
DDR2的定義:
DDR2(雙倍數據速率2) SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)開發的新壹代存儲器技術標準。DDR2與上壹代內存技術標準最大的區別在於，雖然在時鐘上升/下降延遲的同時采用了數據傳輸的基本方式，但DDR 2內存的預讀能力是上壹代DDR內存的兩倍(即4-4bit數據讀取和預取)。換句話說，DDR2存儲器可以以4倍於外部總線的速度讀/寫數據，並以4倍於內部控制總線的速度運行。
DDR2和DDR的區別:
1，延遲問題:
從上表可以看出，在相同的核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這是因為DDR2內存的4-4位預讀能力是標準DDR內存的兩倍。換句話說，雖然DDR2和DDR壹樣，采用了時鐘上升和下降延時同時傳輸數據的基本方法，但DDR2卻擁有兩倍的預讀系統命令數據的能力。也就是說，同樣的工作頻率100MHz下，DDR的實際頻率是200MHz，而DDR2可以達到400MHz。
於是又出現了壹個問題:在工作頻率相同的DDR和DDR2存儲器中，後者的存儲延遲要比前者慢。例如，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有兩倍的帶寬。其實DDR2-400和DDR400的帶寬是壹樣的，都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR 400。
2、包裝和熱值:
DDR2內存技術最大的突破不在於用戶認為是DDR兩倍的傳輸容量，而是在發熱量更低、功耗更低的情況下，DDR2可以實現更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ極限。
DDR內存通常采用TSOP芯片封裝，可以在200MHz下很好的工作。頻率較高時，其長管腳會產生高阻抗和寄生電容，影響其穩定性和頻率提升的難度。這也是DDR核心頻率難以突破275MHZ的原因。DDR2記憶被包裝在FBGA。與目前廣泛使用的TSOP封裝不同，FBGA封裝提供了更好的電氣性能和散熱，為DDR2存儲器的穩定工作和未來的頻率發展提供了良好的保障。
DDR2存儲器的電壓為1.8V，遠低於DDR標準的2.5V，從而提供明顯更小的功耗和發熱。這壹變化意義重大。
DDR2采用的新技術:
除了上述差異，DDR2還引入了三項新技術，即OCD、ODT和Post CAS。
OCD(片外驅動):所謂離線驅動調整，DDR II可以通過OCD提高信號完整性。DDR II通過調整上拉)/下拉電阻值使兩個電壓相等。OCD用於通過減小DQ-DQS傾角來提高信號完整性；通過控制電壓改善信號質量。
ODT:ODT是內置核心的終端電阻。我們知道使用DDR SDRAM的主板需要很多端接電阻來防止數據線端反射信號。大大增加了主板的制造成本。事實上，不同的內存模塊對端接電路有不同的要求。終端電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率。如果端接電阻小，則數據線的信號反射低，但信噪比也低。當端接電阻較高時，數據線的信噪比較高，但信號反射也會增加。所以主板上的端接電阻並不能很好的匹配內存條，也會在壹定程度上影響信號質量。DDR2可以根據自身特點構建合適的端接電阻，保證最佳的信號波形。使用DDR2不僅可以降低主板成本，還可以獲得最好的信號質量，這是DDR無法比擬的。
Post CAS:旨在提高DDR II內存的利用效率。在後CAS操作中，CAS信號(讀/寫/命令)可以在RAS信號之後插入到時鐘周期中，並且CAS命令可以在額外的等待時間之後保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和delay)換成al(加性延遲)，可以設置在0，1，2，3，4。由於CAS信號比RAS信號晚壹個時鐘周期，ACT和CAS信號永遠不會沖突。
總的來說，DDR2采用了許多新技術，改進了DDR的許多缺點。雖然目前存在成本高、性能慢等諸多缺點，但相信隨著技術的不斷改進和完善，這些問題終將得到解決。
DDR SDRAM是雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器的縮寫，是威盛等公司為與RDRAM競爭而提出的內存標準。DDR SDRAM是SDRAM的更新產品，使用2.5v的工作電壓，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣SDRAM的速度可以提高壹倍，而不增加時鐘頻率，傳輸速率和內存帶寬是SDRAM的兩倍。比如與PC 133 SDRAM相比，工作頻率也是133MHz，但內存帶寬達到2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高壹倍。目前主流芯片組都支持DDR SDRAM，這是最常用的內存類型。
DDR2記憶
ECC不是壹種內存類型。ECC(糾錯編碼或檢錯糾錯)是壹種具有自動糾錯功能的存儲器。Intel的82430HX芯片組開始支持。使用這種芯片組的主板可以安裝和使用ECC內存。但由於ECC內存成本較高，主要應用於對系統運行可靠性要求較高的商用計算機，如服務器/工作站等。其實內存錯誤並不經常發生，普通主板也不支持ECC內存，所以普通家用和辦公電腦都不需要使用ECC內存。