同步動態隨機存取存儲器，同步動態隨機存取存儲器。同步是指存儲器需要壹個同步時鐘，內部的命令發送和數據傳輸都是基於它。動態意味著存儲陣列需要不斷刷新，以確保數據不丟失；隨機性是指數據不是按線性順序存儲，而是可以在自由指定的地址讀寫。
SDRAM發展至今經歷了四代，即第壹代SDR SDRAM、第二代DDR SDRAM、第三代DDR2 SDRAM和第四代DDR3 SDRAM。
DDR3內存。它屬於SDRAM系列內存產品，比DDR2 SDRAM提供更高的運行效率和更低的電壓。它是DDR2 SDRAM(四倍數據速率同步動態隨機存取存儲器)(提高到八倍)的繼任者，也是目前比較流行的存儲器產品。為了更省電，提高傳輸效率，DDR3 SDRAM采用SSTL 15的I/O接口，工作I/O電壓為1.5V，采用CSP和FBGA封裝。除了延續DDR2 SDRAM的ODT、OCD、貼PASR和AL控制方式外，它還增加了更先進的CWD、復位和ZQ。CWD用於寫延時，Reset提供超級省電功能的命令，可以停止DDR3 SDRAM內存粒度電路的運行，進入超級省電待機模式，ZQ是新增的終端電阻校準功能。添加此線路引腳提供ODCE(片上校準Engline)來校準ODT(片上終端)的內部中斷電阻，並添加SRT(自刷新溫度)可編程溫度控制存儲時鐘功能。隨著SRT的加入，存儲粒子在溫度、時鐘和電源管理方面得到了優化。可以說在內存中，做了電源管理功能，大大提高了內存粒子的穩定性，保證了內存粒子不會因為工作時鐘高而被燒毀。同時，DDR3 SDRAM還加入了PASR(Partial Array Self-Refresh)局部存儲體刷新功能，可以說是對整個存儲體進行更有效的數據讀寫，達到省電的效果。
2.
雙倍數據速率雙倍速率同步動態隨機存取存儲器。嚴格來說，DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣叫DDR。其中，SDRAM是同步動態隨機存取存儲器的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是雙倍數據速率SDRAM的縮寫，意思是雙倍速率同步動態隨機存取存儲器。DDR內存是在SDRAM內存的基礎上發展起來的，仍然使用SDRAM生產體系。所以對於內存廠商來說，只需要稍微改進壹下制造普通SDRAM的設備就可以生產DDR內存，可以有效降低成本。
與SDRAM相比，DDR采用了更先進的同步電路，使指定地址和數據傳輸輸出的主要步驟獨立執行，並與CPU保持完全同步；DDR使用DLL(延遲鎖定環)技術。當數據有效時，存儲器控制器可以使用該數據過濾器信號來準確定位數據，每16次輸出壹次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR可以在不增加時鐘頻率的情況下將SDRAM的速度提高壹倍。它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀取數據，因此其速度是標準SDRAM的兩倍。DDR和SDRAM在外觀和體積上沒有太大區別。它們具有相同的尺寸和相同的引腳距離。但DDR有184個管腳，比SDRAM多16個，主要包含控制、時鐘、電源、接地等新信號。DDR內存采用支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的支持3.3V電壓的LVTTL標準。
這個也縮寫為DDR，不過好像和妳問的沒什麽關系。
按需撥號路由(ddr)通過使用公共電話網絡提供網絡連接。壹般來說，大多數廣域網都是通過專線連接的。路由器連接到DCE設備，如調制解調器或ISDNTAS。它們支持同步V.25BITS協議。您可以用腳本和撥號器命令設置撥號字符串。
3.
RDRAM(RAMBUS DRAM)是美國RAMBUS公司開發的壹種存儲器。與DDR和SDRAM不同，它采用串行數據傳輸方式。在推出的時候，因為完全改變了內存的傳輸方式，無法保證與原有的制造工藝兼容，而且內存廠商要在加納支付壹定的專利費才能生產RDRAM，再加上自身的制造成本，導致RDRAM從問世的那壹刻起，普通用戶就無法接受其高昂的價格。同時，DDR以低廉的價格和良好的性能逐漸成為主流。雖然RDRAM得到了英特爾的大力支持，但它從未成為主流。RDRAM的數據存儲位寬為16位，遠低於DDR和SDRAM的64位。但從頻率上來說，要比兩者高很多，可以達到400MHz甚至更高。同樣，壹個時鐘周期傳輸兩次數據，在時鐘的上升期和下降期可以傳輸壹次數據，內存帶寬可以達到1.6Gbyte/s..普通DRAM行緩沖區的信息寫回內存後不會被保留，而RDRAM具有繼續保留這些信息的特性，所以在訪問內存時，如果行緩沖區中有目標數據，就可以使用，從而實現高速訪問。此外，它還可以收集數據並以數據包的形式傳輸，所以只要壹開始使用24個時鐘，以後每1個時鐘就可以讀取1個字節。壹次訪問可以讀取的數據長度可以達到256字節。