我們很難長時間突破前兩代的芯片技術，只能另辟蹊徑在第三代芯片上開始研發，因為第三代芯片技術各國都還沒有進步，西方國家更不可能有能力封鎖我國的技術，所以我們進行研發的難度稍微小壹些，這是我們在芯片領域實現彎道超車的最好機會。
目前第三代芯片的研究主要以碳化矽為主，合肥的相關企業和學術機構走在了全國的前面，因為它計劃成為我們國家第二大芯片基地。據了解，位於合肥的中國科學技術大學與匈牙利學者達成初步合作，實現了在室溫下對單個碳化矽雙空位色心電子自旋的操控和讀出，這對我們將碳化矽發展成為半導體材料有很大幫助。
除了合肥相關企業和學術機構的研究，新能源汽車領域也在嘗試。比亞迪在高性能四驅版韓EV上搭載碳化矽組件，這是比亞迪在碳化矽材料上的首次嘗試。特斯拉在最新車型上還配備了碳化矽逆變器。隨著新能源汽車和碳化矽材料的不斷嘗試，未來我們將更有信心將碳化矽應用於芯片材料供應商。
因為第三代芯片材料大部分用在光伏、新能源汽車、5G網絡上，而這些領域的市場恰好在中國，所以說未來中國將是碳化矽材料最集中的地方，這也是最有利於推動我們國家碳化矽研究的進展。
有網友疑惑為什麽第三代芯片材料是碳化矽？對第三代芯片材料的要求是具有矽的特性，同時必須滿足新設備的應用。與其他材料相比，碳化矽是最合適的。
碳化矽作為矽的替代材料，不僅具有矽的所有優點，而且填補了矽的缺點，還具有耐高壓、耐高溫甚至耐高頻的特點。特別值得壹提的是，在同等性能下，碳化矽的尺寸更小，能量損耗也比矽膠晶片小得多，這使得碳化矽的工作效率要高得多。
正是因為碳化矽的優勢遠大於第二代芯片材料，所以各國都非常重視碳化矽的研究。如果碳化矽應用成功，將使芯片制造水平更上壹層樓。
當我們終於意識到芯片技術很重要的時候，西方國家開始封鎖我國的技術，甚至不給我國提供芯片。比如19年，華為因為5G網絡趕超美國，被切斷了與美國的聯系。而且我們國家想買ARM的光刻機，但是沒有得到回應。
現在的芯片領域可以說是被西方國家壟斷了。因為西方國家掌握了很多第二代芯片材料的專利，我們很難繞開這些專利，所以只能盡可能在第三代芯片材料上有所突破，才有可能結束西方國家沒有專利之前技術封鎖的局面。
碳化矽的研究不僅關系到芯片領域，還關系到我國許多行業的發展。如果我們在第三代芯片材料上趕不上其他國家，那麽我們將繼續面臨技術封鎖的局面，未來在其他領域趕上，我們仍然會受到其他國家的限制。