什麽是ram內存？

壹、RAM(隨機存取存儲器)RAM的特點是當計算機開機時，操作系統和應用程序的所有運行數據和程序都會放在其中，並且可以隨時修改和訪問其中存儲的數據。它的工作需要持續的電力提供。壹旦系統斷電，存儲在其中的所有數據和程序將自動清空，並且永遠無法恢復。根據組件的不同，RAM內存可以分為以下十八種類型:01。DRAM(動態隨機存取存儲器):這是最常見的RAM，壹個電子管和壹個電容組成壹個比特存儲單元。DRAM將每個存儲器位存儲為位存儲單元中的電荷，通過對電容器充電和放電來存儲該電荷。但是電容本身有漏電問題，所以必須每隔幾微秒刷新壹次，否則。存取時間與放電時間壹致，約為2 ~ 4 ms，由於成本較低，通常在計算機中作為主存儲器使用。02.SRAM(靜態RAM)是靜態的，這意味著存儲器中的數據可以長時間停留在那裏，而不需要隨時訪問。每六個管組成壹個位存儲單元，因為沒有電容，所以不需要不斷充電就可以正常工作，所以可以比壹般的動態隨機處理存儲器更快更穩定，常用作緩存。3.VRAM(視頻RAM)它的主要作用是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器，有效降低了繪圖顯示芯片的工作量。它設計有雙數據端口，其中壹個是並行數據輸出端口，另壹個是串行數據輸出端口。多用於高級顯卡中的高端內存。04.FPM DRAM(快速頁面模式DRAM)的改進版本主要是72針或30針模塊。當訪問壹位的數據時，傳統的DRAM必須發送壹次行地址和列地址來讀寫數據。但行地址被FRM DRAM觸發後，如果CPU要求的地址在同壹行，則可以連續輸出列地址，而不輸出行地址。因為壹般程序和數據的地址在內存中是連續排列的，在這種情況下，可以通過連續輸出行地址和列地址來獲得需要的數據。FPM將內存分成許多頁，從512B到幾KB不等。在連續區域讀取數據時，可以通過快速換頁模式直接讀取每壹頁中的數據，大大提高了讀取速度。96年之前，在486時代和奔騰時代早期，FPM DRAM被廣泛使用。05.EDO DRAM(擴展數據輸出DRAM)這是FPM之後出現的壹種存儲器，壹般是72針，168針模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每壹位數據時輸出壹段時間的行地址和列地址，然後就可以讀寫有效數據，直到這個讀寫操作完成後才能輸出下壹位的地址。因此可以大大縮短輸出地址的等待時間，其訪問速度壹般比FPM模式快15%左右。壹般適用於中檔以下奔騰主板的標準內存。後期486系統開始支持江戶DRAM，1996年後期開始實現江戶DRAM。。06.bedo DRAM(Burst Extended Data Out DRAM)這是壹款改進的edo DRAM，由美光提出。它給芯片增加壹個地址計數器來跟蹤下壹個地址。它是壹種突發讀取模式，即在發送壹個數據地址時，只需要壹個周期就可以讀取剩下的三個數據中的每壹個，因此壹次可以訪問多組數據，比EDO DRAM快。但是支持BEDO DRAM內存的主板很少，只有少數主板提供支持(比如通過APOLLO VP2)，所以很快就被DRAM取代了。07.MDRAM(Multi-Bank DRAM，Multi-slot Dynamic Random Access Memory)由MoSys公司提出的壹種存儲器規範，分為若幹個不同類別的小庫，即由若幹個從屬的小單位矩陣組成。每個存儲體以比外部更高的數據速度相互連接，壹般用於高速顯示卡或加速卡，少數主板用於L2緩存。08.WRAM(Window RAM)由韓國三星公司開發的內存模式是VRAM內存的改進版本。不同的是它的控制電路有壹二十組輸入/輸出控制器，采用EDO的數據存取方式，所以速度比較快。此外，它還提供了塊移位功能(BitBlt)，可應用於專業繪圖工作。09.RDRAM(Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器)Rambus公司自主設計的壹種存儲模式，速度壹般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。而內存控制器在使用這種內存後需要做相當大的改動，所以壹般都用在專業的圖形加速適配卡或者電視遊戲機的顯存上。10.SDRAM(同步動態隨機存取存儲器)這是壹種可以與CPU外部時鐘同步的存儲器模式。壹般采用168Pin內存模塊，工作電壓為3.3V，所謂時鐘同步是指內存可以與CPU同步訪問數據，可以取消等待期，減少數據傳輸的延遲，從而提高計算機的性能和效率。11.S GRAM(同步圖形RAM)是SDRAM的改進版本。它以塊(即每32位)為基本訪問單位，單獨檢索或修改被訪問的數據，從而減少了存儲器的總體讀寫次數。另外針對繪圖需求增加了繪圖控制器，並提供了塊移位功能(BitBlt)，明顯比SDRAM更高效。12.SB SRAM(同步突發SRAM)壹般SRAM是異步的。為了適應CPU越來越快的速度，需要使其工作時鐘變成13。Pb SRAM(流水線爆發式SRAM，流水線爆發式靜態隨機存儲器中CPU外頻速度的快速提升對其匹配存儲器提出了更高的要求。用流水線爆炸式SRAM代替同步爆炸式SRAM是必然的選擇，因為可以有效延長訪問時鐘，從而有效提高訪問速度。14.DDR SDRAM(雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器)作為SDRAM的換代產品，有兩大特點:壹是速度是SDRAM的兩倍；其次，使用DLL(延遲鎖定環)來提供數據濾波信號。這是目前內存市場的主流模式。15.SLDRAM (Synchronize Link，動態隨機存取存儲器)這是壹種擴展的SDRAM結構存儲器，在增加了更先進的同步電路的同時，改進了邏輯控制電路，但由於技術上的展示，付諸實踐並不困難。16.CDRAM(緩存DRAM)這是三菱電機公司首先開發的專利技術。它在DRAM芯片的外部引腳和內部DRAM之間插入壹個SRAM作為二級緩存。目前幾乎所有的CPU都配備了壹級緩存來提高效率。隨著CPU時鐘頻率的翻倍，緩存未被選中的影響會越來越嚴重，而CACHE DRAM提供的二級緩存正好補充了CPU壹級緩存的不足，所以可以大大提高CPU效率。17.DDR ii(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)是DDR的原SLDRAM聯盟在1999解散後的未來新標準。DDRII的詳細規格尚未確定。18.DRDRAM (Direct RamBus DRAM)是下壹代主流內存標準之壹，由RamBus公司設計開發。所有管腳都連接到壹條具有相同* * * *的總線上，這樣不僅可以減小控制器的尺寸，還可以提高數據傳輸的效率。二、ROM(只讀存儲器)ROM是最簡單的半導體電路。它是通過掩模技術壹次性制造的。在部件正常工作情況下，其中的代碼和數據將被永久保存，不可修改。壹般應用於PC系統的程序代碼，主板上的BIOS(基本輸入輸出系統)等。它的讀取速度比RAM慢很多。根據元件的不同，ROM存儲器可以分為以下五種類型:1。掩膜ROM (MASK ROM)為了量產ROM存儲器，廠商需要先用原始數據做壹個ROM或者EPROM作為樣品，然後大量復制。這個樣本是Mask ROM，刻錄在MASK ROM中的數據是永遠無法修改的。它的成本相對較低。2.PROM(可編程ROM)這是壹種ROM存儲器，可以用刻錄機寫數據，但只能寫壹次，所以也叫OTP-ROM。PROM出廠時，存儲的內容都是1，用戶可以根據需要將壹些單元寫入數據0(有的PROM出廠時都是數據0，所以用戶可以將壹些單元寫入1)，達到“編程”的目的。3.EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)這是壹種具有可擦除功能的ROM存儲器，擦除後可以重新編程。在書寫之前，必須通過用紫外線照射其IC卡上的透明窗口來清除裏面的內容。這種芯片很容易識別，它的包裝上有“應時玻璃窗”。已編程的EPROM芯片的“應時玻璃窗”通常覆蓋有黑色不幹膠紙，以防止陽光直射。4.EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)的功能和用法與EPROM相同，不同的是數據的清零方式，用20V左右的電壓清零。此外，它還可以使用電信號來寫入數據。這種ROM存儲器主要用於即插即用(PnP)接口。5.閃存這是壹種不用拔下IC就可以直接修改主板上內容的內存。當電源關閉時，存儲在其中的數據不會丟失。寫入數據時，必須先清除原始數據，然後再寫入新數據。缺點是寫數據的速度太慢。