自從芯片“斷糧”後,國內各大公司和研究機構都對芯片產生了濃厚的興趣。在政府的支持下,國內研究機構已經表示將把重點放在光刻機的R&D上。
據官方媒體報道,國內首條光子芯片生產線將於2023年建成投產。光子芯片的速度比傳統芯片快很多。再加上電阻率的優勢,制造出來的光子芯片可以比傳統芯片快1000倍,功率只有傳統電子芯片的九十分之壹。但目前的技術已經可以生產出5納米、4納米以上的電子芯片,光子芯片使用的材料有第二代InP、GaAS等。,具有更好的性能和更低的生產成本,是新壹代半導體技術的理想選擇。
華為在量子技術上取得了突破。
去年11月,華為公布了壹項名為“超導量子芯片”的專利。簡而言之,這項專利最大的作用就是減少量子位之間的幹擾,提高運算的精度和速度。眾所周知,量子芯片與常規電子芯片有很大不同。它的制造工藝是在襯底上集成量子電路,通過物理“糾纏”和“疊加”,大大提高芯片的運算速度。據說,在壹些關鍵的計算過程中,集成了量子芯片的計算設備可以比傳統的計算設備快上千倍。至於超導量子芯片,可以直接繞過阿斯麥的光刻機,利用現有技術進行大規模生產。
微米繞過EUV掩模對準器。
不能忽視的是,國外壹些大公司也在試圖攻克半導體的核心技術!美國存儲芯片巨頭美光(Micron)近日宣布,壹款基於1beta生產工藝的Dram存儲芯片已經在部分手機廠商和芯片平臺進行測試,並已投入生產。
所謂1beta工藝,就是通過美光的專利技術、先進材料和先進工藝,將EUV光刻機轉換為DUV光刻機,性能提升15%,存儲密度提升35%,最大傳輸速度提升8.5G