自從芯片“斷糧”後，國內各大公司和研究機構都對芯片產生了濃厚的興趣。在政府的支持下，國內研究機構已經表示將把重點放在光刻機的R&D上。
據官方媒體報道，國內首條光子芯片生產線將於2023年建成投產。光子芯片的速度比傳統芯片快很多。再加上電阻率的優勢，制造出來的光子芯片可以比傳統芯片快1000倍，功率只有傳統電子芯片的九十分之壹。但目前的技術已經可以生產出5納米、4納米以上的電子芯片，光子芯片使用的材料有第二代InP、GaAS等。，具有更好的性能和更低的生產成本，是新壹代半導體技術的理想選擇。
華為在量子技術上取得了突破。
去年11月，華為公布了壹項名為“超導量子芯片”的專利。簡而言之，這項專利最大的作用就是減少量子位之間的幹擾，提高運算的精度和速度。眾所周知，量子芯片與常規電子芯片有很大不同。它的制造工藝是在襯底上集成量子電路，通過物理“糾纏”和“疊加”，大大提高芯片的運算速度。據說，在壹些關鍵的計算過程中，集成了量子芯片的計算設備可以比傳統的計算設備快上千倍。至於超導量子芯片，可以直接繞過阿斯麥的光刻機，利用現有技術進行大規模生產。
微米繞過EUV掩模對準器。
不能忽視的是，國外壹些大公司也在試圖攻克半導體的核心技術！美國存儲芯片巨頭美光(Micron)近日宣布，壹款基於1beta生產工藝的Dram存儲芯片已經在部分手機廠商和芯片平臺進行測試，並已投入生產。
所謂1beta工藝，就是通過美光的專利技術、先進材料和先進工藝，將EUV光刻機轉換為DUV光刻機，性能提升15%，存儲密度提升35%，最大傳輸速度提升8.5G