新電子設備
GaN材料系列具有低生熱率和高擊穿電場，是發展高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，已經成功生長出多種GaN異質結構。用GaN材料制作了金屬場效應晶體管(MESFET)、異質結場效應晶體管(HFET)和調制摻雜場效應晶體管(MODFET)等新型器件。調制摻雜AlGaN/GaN結構具有高電子遷移率(2000 cm2/v·s)、高飽和速度(1×107cm/s)和低介電常數，是制作微波器件的首選材料。GaN具有較寬的帶隙(3.4eV)，以藍寶石為襯底，散熱性能好，有利於器件在高功率條件下工作。
光電器件
GaN材料系列是壹種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅光到紫外的光譜範圍。1991年以來，日本研制出同質結GaN藍光LED，InGaN/AlGaN雙異質結超高亮藍光LED和InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍綠光led已進入量產階段，填補了多年來市場上藍光led的空白。以光效為標誌的LED發展歷程見圖3。藍光發光器件在高密度光盤信息存取、全光顯示、激光打印機等領域有著巨大的應用市場。隨著三族氮化物材料和器件研發的深入，GaInN超高藍光和綠光LED技術已經商業化，現在全球各大公司和研究機構都投入巨資開發藍光LED。
氮化鎵龍頭上市公司主要有海特高新、太極股份、亞光科技、三安光電、文泰科技、士蘭威、耐威科技、海陸重工、福滿電子、雲南鍺業、友研新材、贛兆光電。股東可以通過券商、證券交易軟件等渠道投資上述關聯公司的股票。