定義:MB芯片:金屬鍵合芯片；這個芯片屬於UEC的專利產品。
特點:1，采用高散熱系數材料- Si為基板，散熱容易。
導熱性
GaAs: 46瓦/米-克
差距:77 W/m-K
矽:125 ~ 150 W/m-K
銅:300~400瓦/米-克
碳化矽:490瓦/米-克
2.晶圓通過金屬層鍵合外延層和襯底，同時反射光子避免襯底吸收。
3.導電矽襯底代替GaAs襯底，具有良好的導熱性(導熱性相差3~4倍)，更適用於高驅動電流領域。4.底部的金屬反射層有利於提高光度和散熱。
5、尺寸可增加，可用於大功率領域，如:42mil MB。
GB芯片
定義:國標芯片:膠黏芯片；這個芯片屬於UEC的專利產品。
特點:1:透明藍寶石襯底替代吸光GaAs襯底，光輸出功率是傳統As(可吸收結構)芯片的兩倍以上。藍寶石襯底類似於TS芯片的GaP襯底。
2:芯片四面發光，圖案極佳。
發光二極管芯片
3:亮度方面，其整體亮度已經超過了ts芯片的水平(8.6mil)。
4:雙電極結構，其抗大電流能力比ts單電極TS芯片的清晰度和特性稍差。
定義:TS芯片:透明結構芯片，屬於惠普的專利產品。
特點:1。芯片工藝復雜，比做LED高很多。
2.出色的可靠性
3.透明GaP基板，不吸光，亮度高。
4.廣泛應用
定義:AS芯片:可吸收結構芯片；經過近40年的發展努力，臺灣省LED光電產業的R&D、該類型芯片的生產和銷售均處於成熟階段，與R&D各大公司在這方面的水平基本處於同壹水平，差距不大。大陸芯片制造業起步較晚，亮度和可靠性與臺灣省工業仍有壹定差距。我們在這裏討論的是。作為UEC的芯片，特別是作為UEC的芯片，例如:712Sol-VR，709sol-VR，712Sym-VR，709sym-VR等。
特點:1。四芯片，采用MOVPE技術制造，亮度比傳統芯片更亮。
2.出色的可靠性
3.廣泛應用
二極管芯片的類型
1，LPE:液相外延(GaP/GaP)
2.VPE:氣相外延(氣體相磊晶體法)GaAsP/GaAs。
3.MOVPE:金屬有機氣相外延(有機金屬氣體相磊結晶法)AlGaInP，GaN。
4.SH: GaAlAs/GaAs單異質結構(單異質結構)GaAlAs/GaAs。
5.DH: GaAlAs/GaAs雙異質結構，(雙異質結構)GaAlAs/GaAs。
6.DDH: gaalas/gaalas雙異質結構，(雙異質結構)
4個重要參數
1，正工作電流If
指發光二極管正常發光時的正向電流值。實際上，如果需要，IF應低於0.6 IFm。
2.正向工作電壓VF
參數表中給出的工作電壓是在給定正向電流下得到的。壹般在IF=20mA時測量。LED正向工作電壓VF為1.4 ~ 3V。當外部溫度升高時，VF會降低。
3.伏安特性
發光二極管的電壓和電流的關系，當直流電壓剛好低於某個值(稱為閾值)時，電流很小，不發光。當電壓超過壹定值時，正向電流隨電壓迅速增加並發光。
4.發光強度IV
發光二極管的發光強度通常是指法線(圓柱形發光管的軸線)方向的發光強度。如果該方向的輻射強度為(1/683)W/sr，則發射1坎德拉(符號cd)。因為壹般LED的發光二極管強度較小，所以通常用燭光(Candeira，mcd)來測量發光強度。
5、LED發光角度
-90 - +90
6、光譜半寬度δ λ
它代表了LED的光譜純度。
7.半值角θ1/2和視角
θ1/2指發光強度值為軸向強度值壹半的方向與光軸(法線方向)的夾角。
8.完整形狀
LED燈的立體角換算成的角度也叫平面角。
9.視角
指LED發光的最大角度。視視角不同，應用也不同，也叫光強角。
10，半球
法線0和最大發光強度值/2之間的角度。嚴格來說是最大發光強度值與最大發光強度值/2的夾角。LED的封裝技術導致最大發光角度不是法線0°的光強值，引入了偏離角，偏離角是指最大發光強度對應的角度與法線0°的夾角。
11，最大正向DC電流IFm
最大允許正向DC電流。超過該值會損壞二極管。
12最大反向電壓VRm
最大允許反向電壓是擊穿電壓。如果超過該值，LED可能會因擊穿而損壞。
13，工作環境topm
LED正常工作的環境溫度範圍。低於或高於這個溫度範圍，LED都不會正常工作，效率會大大降低。
14，允許功耗Pm
LED兩端的正向DC電壓和流經它的電流的乘積的最大值。如果超過該值，LED將會發熱並損壞。[3]
5芯片尺寸
大功率LED芯片有三種尺寸:38*38mil，40*40mil，45*45mil。當然，芯片尺寸是可以定制的，這只是壹個通用的規格。密耳是尺寸單位，壹密耳是壹英寸的千分之壹。40mil差不多就是1 mm，38mil，40mil，45mil都是1W大功率芯片常用的尺寸。理論上，芯片越大，能承受的電流和功率就越大。但是芯片的材質和工藝也是影響芯片功率的主要因素。比如CREE 40mil的芯片能承受1W到3W，其他同尺寸的芯片最多能承受2W。
6發光亮度
壹般亮度:R(紅色GaAsP 655nm)、H(高紅色GaP 697nm)、G(綠色GaP 565nm)、Y(黃色GaAsP/GaP 585nm)、E(橙色GaAsP/ GaP 635nm)等。
高亮度:VG(亮綠色GaP 565nm)，VY(亮黃色GaAsP/ GaP 585nm)，SR(亮紅色GaA/AS 660nm)；；
超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等。
二元芯片(磷、鎵):H、G等。
三元芯片(磷、鎵、砷):SR(亮紅色GaA/AS 660nm)、HR(超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(亮紅色GaAlAs 660nm)等。
四元芯片(磷、鋁、鎵、銦):SRF(亮紅色alga InP)、HRF(超亮紅色alga InP)、URF(亮紅色AlGalnP 630nm)、VY(亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色alga InP 595nm)、UY(最亮黃色alga InP 595nm)。UYS(最亮黃色AlGalnP 587nm)、UE(最亮橙色alga InP 620nm)、HE(超亮橙色alga InP 620nm)、UG(最亮綠色alga InP 574nm)LED等。
7襯底
對於LED芯片的制造，基板材料的選擇是首要考慮的因素。應該采用哪種合適的基板，需要根據設備和LED器件的要求來選擇。三種襯底材料:藍寶石(Al2O3)、矽(Si)和碳化矽(SiC)。
藍寶石的優點:1。生產技術成熟，器件質量好；2.它具有良好的穩定性，可用於高溫生長過程；3.機械強度高，易於處理和清潔。
藍寶石的缺點:1。晶格失配和熱應力失配會在外延層產生大量缺陷；2.藍寶石是絕緣體，上表面做了兩個電極，減少了有效發光面積；3.增加了光刻和刻蝕工藝，制造成本高。
矽是熱的良導體，可以明顯提高器件的熱導率，從而延長器件的使用壽命。
碳化矽襯底的LED芯片中(CREE公司專門用SiC材料做襯底)，電極呈L形，電流縱向流動。用這種襯底制作的器件具有非常好的導電性和導熱性，有利於制作大面積大功率器件。優點:碳化矽的熱導率為490 W/m·k，比藍寶石襯底高10倍以上。缺點:碳化矽制造成本高，需要降低相應的成本才能實現其商業化。
8led功能
(1) quad芯片采用MOVPE工藝制造，亮度比常規芯片更亮。
(2)可靠性優秀。
(3)應用廣泛。
(4)安全性高。
(5)使用壽命長。
9如何判斷
led芯片價格:壹般下芯片的價格高於晶圓，大功率led芯片肯定高於小功率led芯片，進口的高於國產的。從日本、美國和臺灣省進口的來源價格依次下降。
led芯片的質量:led芯片的質量主要以裸晶亮度和衰減兩個主要標準來衡量，主要以封裝過程中led芯片封裝的良率來計算。
10日常使用
紅光:9mil平方，(純紅)波長:620-625nm，上下60，左右120，亮度高達1000-1200 MCD；
綠光:12mil正方形，(純綠色)波長:520-525nm，上下60，左右120，亮度可達2000-3000 MCD；；
性能:具有亮度高、抗靜電能力強、抗衰減能力強、壹致性好等特點，是制作led招牌、led發光字的最佳選擇。
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16制造商介紹
臺灣省LED芯片制造商
Epistar(簡稱:ES，(聯全，袁坤，永璉，國聯)，Huga，創世紀光子，和Arima光電(簡稱:AOC，Tekcore，奇力，聚信，洪光，晶發)。光磊(ED)和Tyntek簡稱TK，耀福洲科技TC，臺塑外延，郭彤，厲安定，全信光電(VPEC)等
華星(Ledtech電子)、東貝(Unity Opto Technology)、帕拉光電子、億光(Everlight電子)、百弘(Bright LED電子)、金布賴特(Kingbright)、淩森精密工業(Lingsen Precision Industries)、利吉特電子、Lite-On Technology、HARVATEK等。
國內LED芯片制造商
三安光電簡稱(S)、上海Epilight簡稱(E)、石蘭明信(SL)、大連魯美簡稱(LM)、元帝光電、華燦光電、南昌辛雷、上海金橋達晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成、甘肅新天電公司。
國際LED芯片制造商
CREE、惠普(HP)、Nichia、豐田合成、Ocean Ristic Acid、東芝、昭和電氣(SDK)、Lumileds、Smileds、Genelite、Osram、GeLcore、Seoul Semiconductor、Puri和韓國Epivalley。
17防盜裝置
模型
參考數據
1.LED芯片註意事項。。cob[引用日期2013-05-21]。
2.LED芯片分類。LED燈[引用日期2013-04-28]。
3.LED芯片的重要參數和兩種結構分析。半導體器件應用網[引用日期:2013-07-10]。
4.LED芯片和器件的分類測試。大比特商務網[引用日期2013-05-3]。
5.LED芯片使用中的常見問題分析。大比特商務網[引用日期2013-05-24]。
led芯片價格:壹般下芯片的價格高於晶圓，大功率led芯片肯定高於小功率led芯片，進口的高於國產的。從日本、美國和臺灣省進口的來源價格依次下降。
led芯片的質量:led芯片的質量主要以裸晶亮度和衰減兩個主要標準來衡量，主要以封裝過程中led芯片封裝的良率來計算。