其實電路圖符號的標準並不是固定的，根據地區會有壹些細微的差別。本文基於當前的國際標準IEC 60617。
通常在壹個電路中，能量的來源——電源是最大的東西。所以，還是從電源說起吧。
完整電路圖符號的電源
常見的電源有兩種，壹種是單電源，壹種是多電源。如下圖。
優質電源壹般都有很多國家認證標誌，比如FCC、美國UL、中國長城等。這些認證是認證機構根據行業內的技術規範制定的電源專業標準，包括生產工藝、電磁幹擾、安全防護等。凡符合壹定指標的產品，只有通過認證申報後，才能在包裝和產品表面使用認證標誌，具有壹定的權威性。
根據工作方式和用途，電源可細分為:開關電源、逆變電源、交流穩壓電源、DC穩壓電源、DC/DC電源、通信電源、模塊電源、變頻電源、UPS電源、EPS應急電源、凈化電源、PC電源、整流電源、定制電源、加熱電源、焊接電源/電弧電源、電鍍電源、網絡電源、電氣操作電源、適配器電源。此外，還有高壓電源燈等專用電源。但在電路圖中，電源的符號是壹樣的，通常標為v。
電路圖電容符號大全
電容通常表示為:
在電路科學中，給定電位差，電容器儲存電荷的容量稱為電容，記為C(電容)。采用國際單位制，電容的單位是法拉，記為f。
具有完整電路圖符號的電解電容器
電解電容器是電容器的壹種。金屬箔是陽極(鋁或鉭)，靠近陽極的氧化膜(氧化鋁或五氧化二鉭)是電介質。陰極由導電材料、電解質(電解質可以是液體或固體)和其他材料組成。電解電容器因電解質是陰極的主要部分而得名。同時，正負電解電容壹定不能錯。
帶有完整電路圖符號的可變電容器
電容在壹定範圍內可調的電容器稱為可變電容器。通過改變極片之間的相對有效面積或極片之間的距離來改變可變電容器的容量，並且其容量相應地改變。壹般由兩組相互絕緣的極片組成:固定的壹組極片稱為定子，活動的壹組極片稱為轉子。
帶有完整電路圖符號的二極管
二極管是具有不對稱電導的雙電極電子元件。理想二極管正向導電時，其兩個電極(陽極和陰極)之間的電阻極小，反向導電時電阻極小，即只允許電流單向流過二極管。通常用字母D表示((二極管)。
帶有完整電路圖符號的齊納二極管
壹般二極管正向導通時電壓可以維持在0.7V，可以提供穩定的電壓。但是如果需要更大的電壓，就需要串聯很多二極管，使用起來不是很方便。如果二極管反向偏壓大，就會崩潰，類似於正向導通時，具有穩壓穩流的特性，所以利用這個特性發明了這種特殊的二極管——齊納二極管。
齊納二極管的名稱也取自美國理論物理學家克拉倫斯·梅爾文·齊納，他首次闡述了絕緣體的電崩潰特性。後來，貝爾實驗室利用這壹發現開發了這種二極管，並以齊納二極管命名，也稱為“電壓調節器”。
具有完整電路圖符號的隧道二極管
隧道二極管是壹種可以高速開關的半導體，其開關速度可以達到微波頻率的範圍。它的原理是利用量子隧道效應。隧道二極管是江崎玲於奈在1958年8月，在東京通信工業株式會社(現在的索尼公司)工作時發明的。1973年，江崎玲於奈和布萊恩·約瑟夫森因發現上述半導體中的量子隧道效應而獲得諾貝爾物理學獎。
這種二極管由高摻雜PN結(通常只有10 nm寬)構成。常用的材料包括具有窄能隙的材料，例如鍺和砷化鎵。由於高摻雜導致的晶格損傷，能隙間的缺陷更多，窄能隙材料減少了量子隧穿的障礙，因此可以增加量子隧穿的電流。隧道二極管常用於變頻器和檢波器。由於其負微分電阻，隧道二極管也可以應用於振蕩器，放大器和開關電路的遲滯。
具有完整電路圖符號的發光二極管
發光二極管(LED)是壹種可以發光的半導體電子元件。這種電子元件早在1962就出現了。早期只能發出低光度的紅光，惠普買下專利後用作指示燈。今天LED能發出的光已經遍布可見光、紅外光、紫外光，亮度也有了很大的提升。用途從壹開始的指示燈和顯示板逐漸發展到廣泛用於照明。
發光二極管只能在壹個方向上開啟，稱為正向偏置。當電流流動時，電子和空穴在其中重疊，發出單色光，這種現象稱為電致發光效應，而光的波長和顏色與所用半導體材料的種類和有意摻雜的元素雜質有關。白光LED的發光效率近年來有所提高。2014天野因“發明了高亮度藍色發光二極管，帶來了節能明亮的白光光源”，與赤崎勇、中村修二壹起獲得了諾貝爾物理學獎。
帶有完整電路圖符號的光電二極管
光電二極管是壹種可以根據使用方式將光轉換成電流或電壓信號的光電探測器。常見的傳統太陽能電池通過大面積光電二極管發電。
光電二極管基本上類似於傳統的半導體二極管，只是它們可以直接暴露在光源附近，或者由透明的小窗口和光纖封裝，以允許光到達該設備的光敏區域，從而檢測光信號。許多用於設計光電二極管的二極管使用PIN結而不是普通PN結來提高器件對信號的響應速度。光電二極管通常被設計成在反向偏置狀態下工作。
帶有完整電路圖符號的可控矽整流器
晶閘管整流器:是壹種以晶閘管(電力電子電力器件)為基礎，以智能數字控制電路為核心的電力控制電器。
帶有完整電路圖符號的變容二極管
變容二極管是壹種特殊的二極管，其結電容隨偏置電壓的變化而顯著變化。壓敏電阻通常工作在反向偏置狀態，其偏置電壓的變化會改變耗盡層的厚度，從而影響結電容。這種二極管廣泛應用於各種調諧電路中。
具有完整電路圖符號的肖特基二極管
肖特基二極管是壹種具有低導通壓降並允許高速開關的二極管。它是利用肖特基勢壘特性制作的電子元件。它的名字是為了紀念德國物理學家沃爾特？肖特基(沃爾特·h .)。
肖特基二極管的導通電壓非常低。壹般二極管在電流流動時會產生0.7-1.7伏左右的壓降，而肖特基二極管的壓降只有0.15-0.45伏，因此可以提高系統的效率。
肖特基二極管與壹般二極管最大的區別是反向恢復時間，即二極管從正向電流流經的導通狀態切換到非導通狀態所需的時間。壹般二極管的反向恢復時間在幾百nS左右，但對於高速二極管會小於壹百nS，肖特基二極管沒有反向恢復時間，所以小信號肖特基二極管的開關時間在幾十pS左右，特殊的大容量肖特基二極管只有幾十pS。因為壹般的二極管在反向恢復時間會因為反向電流產生EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒有反向恢復時間和反相電流的問題。
完整電路圖符號的熔絲
熔斷器又稱保險絲、熔斷器，是連接在電路上保護電路的壹次性元件。當電路上的電流過大時，裏面的金屬線或金屬片會被高溫吹斷，導致斷路，中斷電流，從而保護電路不受傷害。舊保險絲熔斷後，需要手動更換新保險絲，以恢復電路的運行。
為了滿足電路特性的需要，熔斷器可以根據熔化速度分為幾種類型。小型熔斷器的類型通常用英文字母代碼表示:常見的有:T(Time-lag)代表慢熔型；F(Fast)代表快熔型；m(中速時滯)代表中速；有熔化速度比T慢的TT和熔化速度比F快的FF等等。
完整電路圖符號的電感
電感器會因流過它的電流的變化而產生電動勢，從而抵抗電流的變化。這種性質稱為電感，通常僅用於指主要工作條件為自感或其效應的元件。非自感通常用其他名稱稱呼，而不用電感器，如變壓器、馬達裏的電磁線圈繞組等。
感應元件有多種形式，根據其外觀和功能有不同的名稱。漆包線多匝繞制的電感器，常用作電磁鐵，用在變壓器中，從外觀上看也叫線圈。它用於提供對高頻的大電阻，它通過DC或低頻。根據功能，常被稱為扼流圈，又稱扼流線圈。常與鐵磁材料結合，是用於變壓器、電機、發電機的大電感，也叫繞組。電線穿過磁性物質，是無線回路，往往充當高頻濾波的小電感。根據它們的外觀，它們通常被稱為珠。
電阻電路圖符號大全
電阻是物體阻止電流通過的能力。電阻是指提供這種能力的器件，通常用r表示。
電阻器是電子電路中常見的元件。實際電阻可以由多種不同的材料制成，包括薄膜、水泥或電阻系數高的鎳鉻合金(電阻絲)。
帶有完整電路圖符號的可變電阻器
可變電阻(VR)，簡稱可變電阻，是壹種有三個端子的電子元件，包括兩個固定觸點和壹個滑動觸點，滑動端和兩個固定端子之間的電阻可以通過滑動來改變。它是壹種無源元件，使用時能形成不同的分壓比，因而得名。
至於只有兩個端子的變阻器(或者滑動端接在其中壹個固定端，實際只有兩個有效端子的那種)，就不叫電位器，只能叫可變電阻。
帶有完整電路圖符號的單刀單擲開關
單刀單擲開關(SPST)是指壹種可以打開電路、中斷電流或使電流流向其他電路的電子元件。最常見的開關是操作開關，它有壹個或幾個電子觸點。“閉合”觸點意味著電子觸點接通，允許電流流動；開關的“開路”是指電子觸點不導電而形成開路，不允許電流流過。
帶有完整電路圖符號的單刀雙擲開關
電路圖中符號完整的雙刀雙擲開關
帶有完整電路圖符號的變壓器
變壓器是利用電磁感應原理改變交流電壓的裝置。主要部件有初級線圈、次級線圈和鐵芯(磁芯)。主要功能有:電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩壓(磁飽和變壓器)等。
帶有完整電路圖符號的NPN晶體管
三極管是壹種有三個端子的電子器件。雙極晶體管是電子教育史上的壹項革命性發明。它的發明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓被授予1956諾貝爾物理學獎。
雙極晶體管可以放大信號，並具有良好的功率控制、高速運行和耐久性，因此常被用來構成放大電路或驅動揚聲器、電機等設備。
帶完整電路圖符號的PNP三極管
結型場效應晶體管是最簡單的單極場效應晶體管。可分為N溝道或P溝道。在下面的討論中，以N溝道結型場效應晶體管為例。在P溝道結型場效應晶體管中，N區和P區，以及所有的正負電壓和電流方向正好相反。
N溝道結場效應晶體管由被P型摻雜包圍的N型摻雜(阻擋層)組成。n型摻雜連接壹個漏極(來自英文Drain，所以也叫D極)和壹個源極(來自英文Source，所以也叫S極)。從源極到漏極的半導體稱為n溝道。p區連接壹個柵極(來自英文柵極，所以也成為G電極)。這個電極用來控制結型場效應晶體管，它與N溝道形成壹個pn二極管，所以結型場效應晶體管與金屬氧化物半導體場效應晶體管類似，只是金屬氧化物半導體場效應晶體管中用肖特基結(金屬和半導體之間的結)代替pn結，結型場效應晶體管與金屬氧化物半導體場效應晶體管原理上完全壹樣。
場效應晶體管(FET)是壹種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場來控制導電溝道的形狀，因此可以控制半導體材料中某壹類載流子的溝道的電導率。場效應晶體管有時也被稱為“單極晶體管”，它與雙極型晶體管相比，其單載流子類型的功能。
所有場效應晶體管都有三個端子:柵極、漏極和源極，分別對應雙極晶體管的基極、集電極和發射極。除了結型場效應晶體管，所有的場效應晶體管還有第四個端子，稱為體、基、體或襯底。該第四端子可以調制晶體管運行；在電路設計中，體端子很少被允許發揮很大的作用，但當壹個集成電路被物理設計時，它的存在是重要的。