半導體器件的模型由五部分組成(場效應器件、半導體專用器件、復合管、PIN管、激光器的模型只命名第三、第四、第五部分)。這五個部分的含義如下:
第壹部分:半導體器件的有效電極數用數字表示。2個二極管，3個晶體管
第二部分:半導體器件的材料和極性用漢語拼音字母表示。二極管有A-N鍺材料、B-P鍺材料、C-N矽材料和D-P矽材料。代表三極管時:A-PNP型鍺材料，B-NPN型鍺材料，C-PNP型矽材料，D-NPN型矽材料。
第三部分:用漢語拼音表示半導體器件的內部類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流電抗器、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F；3MHz，Pc & lt1W)、D-低頻大功率管(F；3MHz，Pc & gt1W)、T半導體晶閘管(可控整流器)、Y體效應器件、B雪崩管、J步恢復管、CS場效應管、BT半導體專用器件、FH復合管、PIN管、JG激光器。
第四部分:編號
第五部分:用漢語拼音表示規格號。
比如3DG18代表NPN矽高頻三極管。
2、日本半導體分立器件型號命名方法
日本生產的半導體分立器件由五到七個部分組成。通常只使用前五部分，各部分的象征意義如下:
第壹部分:裝置有效電極的數量或類型用數字表示。0-光電(即光敏)二極管三極管及其組合管，1-二極管，2-三極管或其它有兩個pn結的器件，3-其它有四個有效電極或三個pn結的器件，等等。
第二部分:日本電子工業協會JEIA註冊商標。代表在JEIA註冊的日本電子工業協會的半導體分立器件。
第三部分:用字母表示設備中所用材料的極性和類型。A-PNP高頻晶體管，B-PNP低頻晶體管，C-NPN高頻晶體管，D-NPN低頻晶體管，F-P柵晶閘管，G-N柵晶閘管，H-N基區單結晶體管，J-P溝道場效應晶體管，K-N溝道場效應晶體管，M雙向晶閘管。
第四部分:對日本電子工業協會在JEIA註冊的序列號進行編號。兩位數以上的整數——從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA註冊的序列號；來自不同公司的具有相同性能的設備可以使用相同的序列號；數字越大，產品越新。
第五部分:用字母表示同型號的改進產品標誌。a、B、C、D、E、F表示這個裝置是原型號的改進產品。
3、美國半導體分立器件型號命名方法
美國的晶體管或其他半導體器件的命名相當混亂。美國電子工業協會半導體分立器件的命名方法如下:
第壹部分:符號用於表示設備的類型。JAN-軍用級別，JANTX-特種軍用級別，JANTXV-超特種軍用級別，JANS-航天級別，(無)-非軍用物資。
第二部分:pn結數量用數字表示。1-二極管，2=三極管，3- 3 pn結器件，n-n pn結器件。
第三部分:美國電子工業協會(EIA)註冊商標。N-該設備已在美國電子工業協會(EIA)註冊。
第四部分:美國電子工業協會註冊序列號。多位數-在美國電子工業協會註冊的設備序列號。
第五部分:用字母表示設備等級。同型號設備的a、b、c、d、┄┄-Different等級。比如JAN2N3251A代表PNP矽高頻小功率開關晶體管，JAN-軍用級，2-晶體管，N-EIA註冊標誌，3251-EIA註冊序列號，A-2N3251A文件。
4、國際電子聯合會半導體器件型號命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家，以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大多采用國際電子聯合會半導體分立器件的型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號和含義如下:
第1部分:用字母表示設備中使用的材料。A-用於器件的材料的帶隙寬度Eg=0.6~1.0eV，如鍺，B-用於器件的材料的帶隙寬度Eg=1.0~1.3eV，如矽，C-用於器件的材料的帶隙寬度Eg >；1.3eV，如砷化鎵，eg
第二部分:用字母表示設備的類型和主要特征。A-檢波器開關混頻二極管，B-變容二極管，C-低頻小功率晶體管，D-低頻大功率晶體管，E-隧道二極管，F-高頻小功率晶體管，G-復合器件等器件，H-磁敏二極管，K-開磁路中的霍爾元件，L-高頻大功率晶體管，M-閉磁路中的霍爾元件，P-光敏。
第三部分:用數字或字母加數字表示註冊號。三位數字-代表壹般半導體器件的註冊號，壹個字母加兩位數字-代表特殊半導體器件的註冊號。
第四部分:用字母對同類型的設備進行分類。a、b、c、d、E┄┄-表示相同型號的設備根據某個參數進行分類的符號。
除了四個基本部分外，有時還會加上後綴，以區分特征或進壹步分類。常見的後綴如下:
1，齊納二極管型號後綴。其後綴的第壹部分是壹個字母，表示穩定電壓值的允許誤差範圍。字母A、B、C、D和E分別表示允許誤差為1%、2%、5%、10%和15%。後綴的第二部分是壹個數字，代表標稱穩定電壓的整數值；後綴的第三部分是字母V，代表小數點，字母V後面的數字是穩壓器標稱穩定電壓的十進制值。
2.整流二極管的後綴是壹個數字，表示器件的最大反向峰值耐受電壓，單位為伏特。
3.晶閘管型號的後綴也是數字，通常表示最大反向峰值耐受電壓和最大反向關斷電壓中值較小的電壓值。
比如BDX51-代表NPN矽低頻大功率晶體管，AF239S-代表PNP鍺高頻小功率晶體管。
5、歐洲早期半導體分立器件模型命名法
歐洲的壹些國家，如德國和荷蘭，采用以下命名方法。
第1部分:O-代表半導體器件
第二部分:A-二極管，C-晶體管，AP-光電二極管，CP-光電晶體管，AZ-穩壓器和RP-光電器件。
第三部分:多位數-表示設備的註冊序列號。
第四部分:a、b、C┄┄-代表同型號裝置的變型產品。
這裏不介紹俄羅斯半導體器件型號命名法，因為很少使用。9013的完整型號為KTC9013(韓國)或SS9013(美國)。這四個數字僅代表註冊時設備的序列號。