巨磁阻效應廣泛用於高密度讀取頭和磁存儲元件。隨著技術的發展,當存儲數據的磁區越來越小,存儲數據的密度越來越大,這對讀寫頭提出了更高的要求。
巨磁電阻材料中電流的增減可以定義為邏輯信號的0和1,從而讀取磁存儲器件。巨磁電阻材料可以輸出不同電流的磁方法存儲的數據,即使磁場很小,也可以輸出足夠的電流變化來識別數據,從而大大提高數據存儲密度。
巨磁電阻效應已成功應用於硬盤生產。1994年,IBM成功研制出具有巨磁電阻效應的讀取頭,使磁盤的記錄密度提高了17倍,從而使磁盤在與光盤的競爭中重回領先地位。目前,GMR技術已經成為幾乎所有計算機、數碼相機和MP3播放器的標準技術。