1,不同的處理範圍
Duv:基本上只能做到25nm。英特爾憑借雙級模式已經做到了10nm,但10nm以下是達不到的。Euv:可滿足10nm以下晶圓制造要求,可擴展至5nm、3nm。
2.不同的發光原理
Duv:光源為準分子激光,光源波長可達193 nm。Euv:激光激發等離子體發射EUV光子,光源波長為13.5 nm。
3、光路系統不同
Duv:主要利用光的折射原理。其中,浸沒式光刻機會在投影鏡頭和晶圓之間填充去離子水,使193nm的光波相當於134nm。
掩模對準器簡介
光刻機又稱掩模對準曝光機、曝光系統和光刻系統,是制造芯片的核心設備。它使用類似於照片印刷的技術,通過曝光將掩模上的精細圖案印刷到矽片上。
高精度對準系統的制造需要近乎完美的精密機械技術,這也是國產光刻機無法企及的技術難點之壹。很多美國德國品牌的光刻機都有專門的專利機械技術設計。比如mycon &;q光刻機采用全氣動軸承設計專利技術,有效避免軸承機械摩擦帶來的工藝誤差。