本發明公開了利用基本上無深能級摻雜物的半絕緣SiC襯底的SiC MESFET。半絕緣襯底的利用可以減少MESFETs中的背柵效應。還提供了具有兩個凹槽的柵極結構的SiC MESFETs。還提供了具有選擇摻雜的p型緩沖層的MESFETs。這種緩沖層的利用可以在具有常規的p型緩沖層的SiC MESFETs之上降低到其三分之壹的輸出電導並產生3db的功率增益。還可以提供到p型緩沖層的地接觸，p型緩沖層可以由兩種p型層形成，其具有在襯底上形成的較高摻雜物濃度的層。根據本發明的實施例SiC MESFETs還可以利用鉻作為肖特基柵極材料。此外，可以采用氧化物-氮化物-氧化物(ONO)鈍化層以減少SiCMESFETs中的表面效應。同樣，可以直接在n型溝道層上形成源和漏歐姆接觸，因此，不需要制造n+區域，有關這種制造的步驟可以從制造工藝中去除。還公開了制造這種SiC MESFETs和用於SiC FETs的柵極結構以及鈍化層的方法。
專利主權項
權利要求書 1.壹種金屬-半導體場效應晶體管，包括：半絕緣碳化矽襯底，其基本上無深能級摻雜物；在襯底上的n型導電性碳化矽的n型外延層；在n型外延層上的歐姆接觸，其分別確定源區和漏區；以及在n型外延層上的肖特基金屬接觸，其位於歐姆接觸之間並由此在源區和漏區之間，以便當偏壓施加到肖特基金屬接觸時在n型外延層中的源區和漏區之間形成有源溝道。
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