生產太陽能電池片的刻蝕去PSG工序有什麽危害

刻蝕若采用的幹法等離子刻蝕，容易刻的過寬，破外表層周邊的P-N結，降低最終效率，同時等離子刻蝕會造成周邊的崩邊點，造成碎片率高；用激光去邊的話因為在背面操作，不會造成什麽危害；去PSG用只用傳統的HF方式時，浸泡時間太長容易方阻略偏大，以及周邊發黑，短時間內不會有問題；用HF/HNO3腐蝕會因為有HF或HNO3的蒸汽會對表層腐蝕，形成表層方阻變大。