然而，場發射電極的應用直到法國程公司在1991年第四屆國際真空微電子會議上展出了場發射電極技術制成的成品顯示器，吸引了Candescent、Pixtech、Micron、Ricoh、、Samsung、Philips等公司的投資，使FED加入了眾多平板顯示技術的行列。
雖然FED被認為是CRT的技術，但在發展初期，它的成本是無法和CRT相比的，主要是場發射元件的問題。雖然最早提出的Spindt微尺寸陣列是第壹個實現發射顯示的技術，但其陣列特性限制了顯示尺寸，主要是因為其結構在每個陣列單元中包括壹個圓孔，圓孔中包含壹個金屬錐。在制造過程中，光刻和蒸發技術會限制尺寸。
解決方法是采用該技術代替Spindt場發射元件。NEC在1991發表了壹篇關於碳納米管的文章後，研究人員發現用納米結構或碳納米管合成的石墨作為場發射元件可以獲得更好的場發射效率，因此碳納米管的合成技術成為FED研發的新方向。
目前在碳納米管場發射顯示器領域，日本史燚電子、韓國三星投資較早，索尼、日立、富士寫真、佳能、松下、東芝、尼康、NEC也提出了納米技術相關的專利申請，其中碳納米管是主要研發項目。
在大型場發射顯示面板方面，史燚電子是第壹家。公司通過化學氣相沈積成功生產出14.5英寸彩色碳納米管場發射顯示器，亮度達到10000 CD/m2/m2。此外，韓國三星也發布了單色、600cd/m2、15英寸的碳納米管場發射顯示器，並計劃開發用於電視機的32英寸碳納米管場發射顯示器，成功實現100伏以下的低電壓驅動結果。
1.佳能和東芝開發SED電視
在場發射顯示技術中，佳能和東芝正在開發表面傳導電子發射顯示器(SED)，SED的技術原理主要基於表面傳導發射電子理論。SED與CNT FED的區別在於，SED具有驅動電壓更小、不需要焦炭蒸發電極、亮度更均勻等優點。沒有聚焦電極，可以有效降低制造成本，亮度均勻性是厚膜FED的問題，因為厚膜不均勻是指在相同電壓下，每個像素中流動的電流不相等，導致屏幕上亮度不均勻。
表1 sed和CNT FED之間的技術差異
技術SED CNT FED
優點1發射器具有均勻的效率和均勻的亮度。
2驅動電壓小
3不需要聚焦電極。1發射效率高。
2.更容易建立壹個結構。
缺點1裂縫不好控制，良品率難以提高。
2電子發射效率差。1發射器不好控制，亮度不均勻。
2驅動電壓高。
3電子束容易膨脹，所以需要聚焦電極。
表2各種顯示技術的性能比較
技術支持LCD PDP CRT
功耗◎◎△△
重量◎◎◎△
尺寸-○○
細度◎◎◎
操作環境◎◎
亮度◎◎◎
協調◎◎◎
色彩純度◎◎◎
反應速度◎△ ◎
視角◎△ ◎
流程-增量χ χ
材料成本-Delta χ χ
驅動電路◎ ◎△ ◎
成本方面，根據佳能和東芝的說法，SED面板的驅動電路的材料成本和LCD面板差不多，而面板本身的材料成本和PDP相當，所以整體上相比LCD和PDP有成本優勢。量產初期固定成本較高，但佳能和東芝計劃在2010之前削減這部分成本，以與其他技術競爭。
2.碳納米管場發射在背光模組中的發展。
近年來，由於大尺寸液晶電視的背光模組成本相對較高，阻礙了整體成本降低的空間和速度，除了原有的冷陰極管之外，發光二極管(LED)、平面光源技術、碳納米管場發射技術都開始向大尺寸液晶面板發展。
目前韓國三星康寧、LG電子等。已經投入研發碳納米管場發射背光模組，臺灣理工學院電子所也將研發碳納米管場發射背光模組樣品。另外，日本日清機械株式會社也在2005年6月5438+10月展示了碳納米管場發射背光模組的樣品。
5438+0 2005年6月，日清機械株式會社與日本Displaytech21公司共同開發了使用碳納米管的液晶面板背光模組。本次展覽的樣品圖片尺寸為3英寸。其技術原理是以塗有碳納米管的玻璃基板為陰極，塗有熒光材料的玻璃基板為陽極，以壹定的間距重疊，以碳納米管為電子輻射源，發射的電子射在熒光材料上，發出白光。所用碳納米管的直徑為20NM，是壹種在壹根碳納米管中外徑較小的多層碳納米管。發光開始時的電場強度為0.74V/um，低於之前平均值1 ~ 2v/um。由於可以降低發光的電場強度，因此可以降低施加在碳納米管和正極之間的電壓，從而達到降低功耗的目的。作為32寸TFT液晶背光使用時，亮度為10.000cd/m2，約為60W。與冷陰極管(CCFL)和發光二極管(LED)相比，功耗更低。預計2006年達到實用水平時，目標是30000 CD/m2的現實亮度和50000小時的使用壽命。在應用上是手機和車載終端產品的中小尺寸液晶面板，未來計劃向大屏幕液晶電視、照明設備等大型產品發展。