華為在2004年正式成立了海思半導體部門，專門研發芯片。在當時，華為很早就意識到掌握自主技術的重要性。而海思不負眾望，在後來的研發中，接連帶來了麒麟、鯤鵬、淩霄、巴龍、升騰、鴻鵠等系列芯片。
這些芯片在手機處理器、服務器、WiFi、智慧屏、基帶、基站等方面都有布局，可以說華為很多的產品都是自主設計。最後將設計好的芯片交給臺積電代工。但問題也隨之而來。
只具備設計能力的華為，猶如紙上談兵。當臺積電不允許幫助其生產的時候，就會陷入被動。
值得壹提的是，之前有5位本科生完成了壹款64位RISC-V處理器SoC芯片設計並實現流片。這款芯片被稱作是“最硬核畢業證書”。而這五位本科生的平均年齡只有21.8歲。
據悉，這款芯片耗時4個月，芯片能正常運行Linux操作系統。以他們的年齡來看，未來也壹定大有作為。如今他們也有了各自的工作，繼續參加高性能芯片的設計。然而5位本科生都能順利做出芯片，那華為芯片究竟卡在了哪裏？
其實這五名本科生是參與了芯片的設計工作，並非親自去芯片工廠操刀，也不可能用光刻機設備，用芯片制程技術完成這款芯片的制造。但以他們的年齡和水平來看，在同齡人裏已經是非常優秀了。
而華為芯片真正被卡的地方其實就是芯片制造。如果只是設計的話，華為海思可以擠進全球前五。所以芯片制造難在哪裏？
光刻機
首先是光刻機，如果華為想要自主制造芯片，就要解決光刻機的問題。而且不是壹般的光刻機，考慮到華為麒麟9000采用了5nm的工藝，因此需要EUV光刻機。而全球唯壹能生產EUV光刻機的企業是荷蘭ASML。
ASML目前還不具備向國內供貨EUV光刻機的條件，而且基本沒有庫存，每生產壹臺都會被臺積電，三星訂購。從ASML獲得EUV光刻機基本上不能指望了。
靠自主生產光刻機的話，以國內最高22nm光刻機的水平來看，要達到EUV的程度，可能需要十年。
光刻機的問題解決不了，芯片就不可能完成制造。最終不具備制造條件的華為，只能靠臺積電代工。
材料
其次被卡住的地方還有材料。制造芯片的材料非常多，就拿光刻膠來說。光刻膠以液態的形式塗抹在矽片表面，然後被幹燥成膠膜。是制造芯片之前，重要的使用材料，具有抗蝕刻能力和耐熱穩定性等優點。
但光刻膠芯片材料基本上被日本市場壟斷，日本企業壟斷了全球75%的光刻膠市場。如果不能解決光刻膠供應問題的話，也不可能完成芯片制造工作。可是距離打破壟斷，還未能實現。
制程工藝
還有壹項較為關鍵的東西就是芯片制程工藝，掌握高端芯片制造工藝，才能使用高端光刻機、光刻膠、蝕刻機等制造芯片的設備和材料元器件。
我國技術最先進，規模最大的芯片制造公司中芯國際只掌握了14nm工藝，而臺積電已經穩定量產5nm並向3nm發起沖擊。制程工藝就好比初級工程師和高級工程師的技術水平差距。
就算壹個初級工程師掌握了高端設備，具備壹切生產高端產品的條件，沒有那個技術也不可能實現制造。
從以上光刻機、芯片材料光刻膠和制程工藝來看，想要達到最先進的水平還有壹段距離。華為究竟被卡在哪裏？答案顯而易見，卡在了技術，卡在了國內基礎工業還達不到頂尖的水準。
但是我國已經在加快半導體產業的布局，等有朝壹日，這些被卡住的技術都會壹壹突破，讓華為早日破局。
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