然而，在加工過程中使用了許多有毒物質和具有強電磁輻射的機器。
沈積法制備光伏多晶矽薄膜。壹般以高純矽烷或三氯氫矽為氣源，采用化學沈積、物理沈積和液相外延。沈積膜以無定形、微晶和多晶形式存在。但是非晶矽薄膜太陽能電池存在光降解現象，所以這種方法的壹個方面就是通過改變沈積條件或者對非晶矽進行重結晶來制備多晶矽薄膜。在上述方法中，物理氣相沈積由於存在“孔洞”和懸掛鍵密度高等問題，無法滿足太陽能電池材料的要求。據悉，日本德山草田公司已建成年產200噸的化學氣相沈積光伏多晶矽薄膜實驗工廠。這些方法在工業生產中的主要問題是沈積速度和結晶速率；能耗不低於矽烷法。
(4)電化學沈積非晶矽薄膜或粉末。這種方法是由莫斯科理工學院開發的。主要步驟是通過自蔓延高溫合成獲得可溶性矽化合物，然後通過膜分離工藝和超高頻電解技術獲得五種以上的非晶矽薄膜或粉末。這項技術的創意來自於超高頻電解技術提取鈾。
三、研究內容、目標、具體考核指標
1，技術方案
由不含氯的烷氧基矽烷生產多晶矽的方法包括五個步驟:三乙氧基矽烷的合成；三乙氧基矽烷的提純；三乙氧基矽烷歧化生成矽烷；矽烷提純；矽烷熱解制備多晶矽。該方法采用的工藝流程如圖1所示。
純乙醇與純度為99%、粒度為200目幹燥矽粉反應生成三乙氧基矽烷。主要副產物是少量的四乙氧基矽烷。該反應在大氣壓和180℃下用銅基催化劑進行。乙醇通過蒸餾回收。通過吸附或蒸餾除去四乙氧基矽烷來純化三乙氧基矽烷。
純化的三乙氧基矽烷在常壓和接近常溫下被液體催化劑歧化。分離出來的矽烷經過吸附提純，然後進入800℃的流化床反應器，通過熱分解，150-1500？m粒狀多晶矽。
反應過程中產生的主要副產物四乙氧基矽烷和氫氣通過以下反應循環使用:
3Si(oc2h 5)4+Si+2 H2→4 SiH(oc2h 5)3(50大氣壓，150攝氏度)
此外，正矽酸乙酯還可以加工成許多有價值的商品，如矽溶膠、矽油和樹脂等。
2.研究內容
(1)確定各工序的最佳工藝條件，包括反應溫度、壓力、流量、吸附劑等。；
(2)三乙氧基矽烷合成、三乙氧基矽烷歧化制備矽烷和矽烷熱解制備多晶矽的動力學研究。
(3)合成三乙氧基矽烷和三乙氧基矽烷歧化制矽烷的催化劑選擇，以及新型高效催化劑的分子設計和制備。
(4)正矽酸乙酯制備三乙氧基氫矽烷的工藝研究。
(5)整個過程的模擬，特別是流體流動狀態的模擬，為擴大生產線規模提供了理論指導。
3.研究目標
(1)確定用無氯矽氧烷制備多晶矽的工藝流程和條件。
(2)確定各過程的反應速率或吸附速率等動力學參數，為生產設備的設計提供完整的數據。
(3)完成整個過程的模擬。
(4)完成年產500公斤多晶矽的實驗室設備。
4.具體評估指標
(1)矽粉轉化率達到90%，乙醇轉化率達到90%，三乙氧基矽烷對四乙氧基矽烷的選擇性達到98%，三乙氧基矽烷歧化反應轉化率達到90%。
(2)多晶矽粉末的平均粒度為800-1000？m .
(3)多晶矽質量指標達到國家壹級標準。
雜質電阻率或濃度
體積純度施主(P，As，Sb)電阻率≤300ω？厘米
受主(B，Al)電阻率≤3000ω？厘米
碳≤ 100ppba
散裝金屬總量
(鐵、銅、鎳、鉻、鋅)≤ 500pptw
總表面金屬≤ 1000pptw
第四，關鍵技術和創新
1，關鍵技術
(1)三乙氧基矽烷歧化反應催化劑的選擇及工藝條件的確定。
(2)正矽酸乙酯加氫回收工藝條件和正矽酸乙酯轉化率的確定。
(3)矽烷熱解工藝條件的確定。
(4)顆粒多晶矽表面雜質含量的控制。
2.創新?革新
(1)矽烷采用無氟無氯工藝制備，原料和中間產物不腐蝕設備。
(2)矽烷分解采用流化床工藝，降低了能耗。
(3)產品呈顆粒狀，適用於單晶矽的連續加料和拉制過程。
(4)采用封閉循環，提高原材料利用率。
(5)在對該工藝進行實驗研究的同時，建立了模擬系統，為今後擴大生產提供理論指導。
五、現有基礎條件(前期研究工作、技術隊伍、設備等。)
1，前期研究工作
(1)研究了由矽粉和乙醇合成三乙氧基氫矽烷的方法。取得的階段性成果包括:矽粉轉化率95%，醇轉化率90%，三乙氧基矽烷選擇性達到97%。伴隨的產物是氫氣。蒸餾制備的三乙氧基矽烷以分離未完全反應的醇，然後通過化學吸附純化三乙氧基矽烷。該方法已申請國家發明專利。
(2)對後續步驟進行了理論研究和初步實驗探索，證明該工藝路線是可行的。