性質:灰色金屬光澤。密度為2.32~2.34。熔點為1410℃。沸點是2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混合酸，不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和應時之間，常溫下易碎，切割時易斷。800℃以上加熱時呈韌性，1300℃時變形明顯。在室溫下不活潑，在高溫下與氧、氮和硫反應。在高溫熔融狀態下，具有很大的化學活性，幾乎可以與任何物質發生相互作用。具有半導體性質，是壹種極其重要和優異的半導體材料，但少量雜質就能極大地影響其導電性。在電子工業中，它被廣泛用作制造晶體管收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機和電子計算機的基本材料。它是由幹矽粉和幹氯化氫氣體在壹定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原得到的。
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問題2:多晶矽是用來做什麽的？主要用於太陽能電池板，也是人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。多晶矽是壹種很好的半導體。
問題三:什麽是多晶矽？名稱:單晶矽
英文名:單晶矽
分子式:Si
矽單晶。晶格結構基本完整的晶體。不同的方向有不同的性質，所以是很好的半導體材料。純度要求99.9999%，甚至99.9999%以上。用於制造半導體器件、太陽能電池等。它是在單晶爐中從高純度多晶矽中提取的。
當熔融的元素矽凝固時，矽原子在鉆石晶格中排列成許多晶核。如果這些晶核生長成具有相同晶面取向的晶粒，這些晶粒平行結合並結晶成單晶矽。單晶矽具有準金屬、弱導電的物理性質，電導率隨著溫度的升高而增大，具有明顯的半導性。超純單晶矽是壹種本征半導體。在超純單晶矽中摻入微量的ⅲ A族元素，如硼，可以提高其導電性，形成P型矽半導體。如果加入少量的ⅴ A族元素，如磷或砷，也可以提高導電性，形成N型矽半導體。單晶矽的制備方法通常是先制備多晶矽或非晶矽，然後用提拉法或懸浮區熔法從熔體中生長棒狀單晶矽。單晶矽主要用於制造半導體元件。
用途:是制造半導體矽器件的原料，用於制造大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等。
單晶矽是壹種相對活躍的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處於新材料發展的前沿。其主要用途是作為半導體材料和太陽能光伏發電、供熱等。由於太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優點，在過去的30年裏，太陽能利用技術在研發、商業化生產和市場開拓方面取得了長足的進步，成為世界上快速穩定的新興產業之壹。
單晶矽建設項目市場巨大，發展空間廣闊。地殼中矽的含量達到25.8%，為單晶矽的生產提供了取之不盡的源泉。
近年來，各種晶體材料，特別是以單晶矽為代表的高技術附加值材料及相關高技術產業的發展，已成為當代信息技術產業的支柱，並使信息產業成為全球經濟發展最快的主導產業。單晶矽作為壹種極具潛力的高科技資源，正受到越來越多的關註。
問題4:多晶矽的用途是什麽？多晶矽分為電子級和太陽能級。
先說太陽能層面，作為太陽能產業鏈的原料，鑄錠或者拉單晶矽棒，然後切割成矽片，生產太陽能電池板，也就是衛星、空間站上的太陽能電池板。其中大部分仍用於在建的太陽能發電廠。國內太陽能電站很少，很環保，但是成本高，電費貴，所以經常需要* *的補貼。歐洲是世界上最大的太陽能用戶，也是中國的太陽能攻擊板。
電子級多晶矽用於生產半導體材料，主要用於電子設備，廣泛用於芯片上。
問題五:多晶矽的用途？多晶矽的需求主要來自半導體和太陽能電池。多晶矽的最終用途主要是生產集成電路、分立器件和太陽能電池。
問題6:單晶矽和多晶矽有什麽區別？多晶矽是生產單晶矽的直接原料，是人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等當代半導體器件的基礎電子信息材料。被譽為“微電子建築的基石”。
在太陽能的利用上，單晶矽和多晶矽也發揮著巨大的作用。雖然目前為了讓太陽能發電有更大的市場，被消費者接受，需要提高太陽能電池的光電轉換效率，降低生產成本。從目前國際太陽能電池的發展歷程可以看出，其發展趨勢是單晶矽、多晶矽、帶狀矽和薄膜材料(包括微晶矽基薄膜、化合物基薄膜和染料薄膜)。
從工業發展來看，重心已經從單晶發展到多晶，主要原因如下；【1】太陽能電池可用的頭尾材料越來越少；【2】對於太陽能電池來說，方形襯底性價比更高，澆鑄直接凝固得到的多晶矽可以直接得到方形材料；[3]多晶矽生產工藝不斷進步。全自動鑄造爐每生產周期(50小時)可生產200多公斤矽錠，晶粒度達到厘米級；[4]由於近十年單晶矽技術的快速研發，該技術也被應用到多晶矽電池的生產中，如發射極結的選擇性刻蝕、背面場、絨面刻蝕、表面和體鈍化、精細金屬柵電極等。使用絲網印刷技術可以將柵電極的寬度減小到50微米，高度可以達到65438±05微米以上，使用快速熱退火技術生產多晶矽可以大大縮短工藝時間。單個芯片的熱工藝時間可以在壹分鐘內完成，在壹塊100平方厘米的多晶矽芯片上用這種工藝做出的電池轉換效率超過14%。據報道，目前在50 ~ 60微米多晶矽襯底上制作的電池效率超過16%。使用機械開槽和刷網技術，在65，438+000平方厘米的多晶體上效率超過65，438+07%，在相同面積上沒有機械開槽的效率為65，438+06%。采用埋柵結構，在65，438+030平方厘米多晶體上機械開槽的電池效率為65，438+05.8%。
單晶矽和多晶矽的區別在於，當熔融的單質矽凝固時，矽原子在壹個金剛石晶格中排列成許多晶核。如果這些晶核生長成具有相同晶面取向的晶粒，就形成了單晶矽。如果這些晶核生長成具有不同晶體取向的晶粒，就形成了多晶矽。多晶矽和單晶矽的區別主要表現在物理性能上。比如多晶矽在機械性能和電學性能上不如單晶矽。多晶矽可用作拉制單晶矽的原料。單晶矽可以算是世界上最純凈的物質了，壹般的半導體器件都要求矽的純度在六個九以上。大規模集成電路的要求更高，矽的純度必須達到九個九。目前，人們已經能夠生產出純度為十二九的單晶矽。單晶矽是電子計算機、自動控制系統等現代科技中不可缺少的基礎材料。
問題7:多晶矽的規格有哪些？30點多晶矽有電子級、太陽能級等規格。下面是太陽能級規格。
多晶矽呈灰色金屬光澤，密度為2.32~2.34g/cm3。熔點為1410℃。沸點是2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混合酸，不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和應時之間，常溫下易碎，切割時易斷。800℃以上加熱時呈韌性，1300℃時變形明顯。在室溫下不活潑，在高溫下與氧、氮和硫反應。在高溫熔融狀態下，具有很大的化學活性，幾乎可以與任何物質發生相互作用。具有半導體性質，是壹種極其重要和優異的半導體材料，但少量雜質就能極大地影響其導電性。在電子工業中，它被廣泛用作制造晶體管收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機和電子計算機的基本材料。它是由幹矽粉和幹氯化氫氣體在壹定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原得到的。
問題8:多晶矽生產的原料有哪些？生產多晶矽的原料是三氯氫矽和氫氣，按壹定比例裝入還原爐，進行熱分解和還原反應，生產出多晶矽棒。
三氯氫矽通過氯化氫和工業矽粉末在合成爐中反應來生產，
氯化氫是由氫氣和氯氣在氯化儲存和合成爐中燃燒產生的。
氯氣是通過給氯化鈉的工業鹽水通電而產生的。
與氯化鈉工業鹽水通電反應可產生氫氣。
它也可以通過用水電解來生產。
工業矽粉是由應時礦和碳在電的作用下發生還原反應，然後粉碎成工業矽粉而制成的。