芯片的基本材料是矽，矽的來源是從壹堆沙子中連續提取99.99999%的矽。然後把矽打磨成矽片，再把矽片做成晶片，最後經過上千道工序形成芯片。這些都是基於矽的，所以市面上的芯片也統稱為矽基芯片。
但是矽基芯片也面臨壹個問題，就是物理極限的限制。
隨著芯片制造工藝的不斷突破，壹直探索到4nm、3nm甚至更先進的1nm，但物理極限終究會成為制約。到時候矽基芯片到了最後，人類的科技可能也慢了。
因此，探索新技術、新材料成為備受關註的熱門話題。但是真的有可能在矽基芯片之外的新材料上取得突破嗎？答案是可能的。
壹個好消息傳來，中企英諾賽科(蘇州)半導體有限公司在矽基氮化鎵材料上實現了重大突破，完成量產。Innoseco建立了8英寸矽基氮化鎵量產線，意味著不僅攻克了新材料，也進入了量產階段。
資料顯示，矽基氮化鎵芯片生產線建成後，年產值可達6543.8+0000億，年產能也可達78萬片矽基氮化鎵芯片。
這是全球首個氮化鎵芯片量產項目，將為中國企業夾擊下的國產芯片發展帶來重大意義。
如今，業界正在不斷探索傳統矽基芯片之外的新材料和新工藝。此前，中科院研究的8英寸石墨烯晶片已經在半導體領域取得顯著進展。因為還沒有實現量產，所以石墨烯制作的碳基芯片還處於研究階段。
然而氮化鎵芯片就不壹樣了。Innoseco建立了壹條生產線，以促進氮化鎵的大規模生產。那麽氮化鎵能獲得矽基芯片嗎？表演呢？
氮化鎵屬於第三代半導體材料。與矽不同，氮化鎵不能自然形成，必須人工合成。與矽材料相比，它的優勢是顯而易見的。氮化鎵制成的器件功率是矽的900倍。帶隙大約是矽的3倍。擊穿場強也比矽165438+高0倍。
此外，氮化鎵還具有散熱高、體積小、損耗低的優點。如果氮化鎵能研發出來，替代矽基芯片是沒有問題的。充電器、元器件等部分可以使用氮化鎵。
矽基芯片主導芯片行業幾十年，研發矽材料和掌握專利技術的都是美國人。所以只要使用矽基芯片，無論多少技術都是自研的，很難從根源上繞過美國技術。
而摩爾定律即將達到極限，這是業內公認的事實，只是時間問題。當集成電路所能容納的晶體管無法進壹步提高時，它將在後摩爾時代迎來新的挑戰。也就是新材料新工藝。
壹些芯片公司專註於封裝，而另壹些公司正在探索新的芯片材料。中國將面臨的後摩爾挑戰是產業鏈太寬太長。大而不強是壹個需要解決的問題。只有升級產業鏈，才能順利迎接挑戰。
同時，在光刻機、光刻膠、芯片制造工藝等方面還有很長的路要走。所以總的來說，中國企業可以征服新材料，但他們已經做好了迎接挑戰的準備，真正的挑戰還在後面。
美國掌握了大量的芯片技術，所以在2020年對中國企業實施芯片規則時，幾乎沒有企業能夠超越美國技術征服中國企業。這也讓我們意識到，必須從根本上解決技術問題。
Innoseco的氮化鎵芯片可能只是第壹步，想要改變整個芯片市場格局並不容易。所以我期待更多的技術突破，到時候我會直面挑戰，昂首挺胸。
如何看待Innoseco在新材料方面的突破？