20世紀最初的10年，通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。
晶體管的發明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得壹種晶體管的專利。但是，限於當時的技術水平，制造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來。
由於電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器裏，有壹根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭發壹樣細且能形成檢波接點），它既能讓信號電流沿壹個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的性能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。
在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關矽和鍺材料的制造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為晶體管的發明奠定了基礎。
為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究矽、鍺等半導體材料，探討用半導體材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經驗。他們經過壹系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產生的原因。布拉頓發現，在鍺片的底面接上電極，在另壹面插上細針並通上電流，然後讓另壹根細針盡量靠近它，並通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產生很大的影響，這就是“放大”作用。
布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入壹個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為壹個強信號了。在現代電子產品中，上述晶體三極管的放大效應得到廣泛的應用。
巴丁和布拉頓最初制成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點，來代替金箔接點，制造了“點接觸型晶體管”。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音頻信號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗壹些。
在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠壹種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resister(轉換電阻)，後來縮寫為transister，中文譯名就是晶體管。
由於點接觸型晶體管制造工藝復雜，致使許多產品出現故障，它還存在噪聲大、在功率大時難於控制、適用範圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用壹種"整流結"來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。
1950年，第壹只“面結型晶體管”問世了，它的性能與肖克萊原來設想的完全壹致。今天的晶體管，大部分仍是這種面結型晶體管。
1956年，肖克萊、巴丁、布拉頓三人，因發明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。 [編輯本段]晶體管的發展歷史及其重要裏程碑 1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室制造出第壹個晶體管。
1950年：威廉·邵克雷開發出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現在通行的標準的晶體管。
1953年：第壹個采用晶體管的商業化設備投入市場，即助聽器。
1954年10月18日：第壹臺晶體管收音機Regency TR1投入市場，僅包含4只鍺晶體管。
1961年4月25日：第壹個集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）。最初的晶體管對收音機和電話而言已經足夠，但是新的電子設備要求規格更小的晶體管，即集成電路。
1965年：摩爾定律誕生。當時，戈登·摩爾（Gordon Moore）預測，未來壹個芯片上的晶體管數量大約每年翻壹倍(10年後修正為每兩年)，摩爾定律在Electronics Magazine雜誌壹篇文章中公布。
1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導體公司辭職，創立了壹個新的企業，即英特爾公司，英文名Intel為“集成電子設備（integrated electronics）”的縮寫。
1969年：英特爾成功開發出第壹個PMOS矽柵晶體管技術。這些晶體管繼續使用傳統的二氧化矽柵介質，但是引入了新的多晶矽柵電極。
1971年：英特爾發布了其第壹個微處理器4004。4004規格為1/8英寸 x 1/16英寸，包含僅2000多個晶體管，采用英特爾10微米PMOS技術生產。
1978年：英特爾標誌性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業部，武裝了IBM新產品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器含有2.9萬個晶體管，運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture) 500強企業排名，《財富(Forture)》雜誌將英特爾公司評為“七十大商業奇跡之壹（Business Triumphs of the Seventies）”。
1982年：286微處理器(又稱80286)推出，成為英特爾的第壹個16位處理器，可運行為英特爾前壹代產品所編寫的所有軟件。286處理器使用了13400個晶體管，運行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。
1985年：英特爾386?6?4微處理器問世，含有27.5萬個晶體管，是最初4004晶體管數量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務處理能力，即它可在同壹時間運行多個程序。
1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個晶體管，采用英特爾0.8微米制程技術生產。
1999年2月：英特爾發布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形矽，含有950萬個晶體管，采用英特爾0.25微米制程技術生產。
2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面臺式電腦由此可實現每秒鐘22億個周期運算。它采用英特爾0.13微米制程技術生產，含有5500萬個晶體管。
2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術的若幹技術突破，包括高性能、低功耗晶體管，應變矽，高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中采用應變矽。
2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平臺誕生，包括了英特爾最新的移動處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基於全新的移動優化微體系架構，采用英特爾0.13微米制程技術生產，包含7700萬個晶體管。
2005年5月26日：英特爾第壹個主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個晶體管，采用英特爾領先的90納米制程技術生產。
2006年7月18日：英特爾?安騰?2雙核處理器發布，采用世界最復雜的產品設計，含有17.2億個晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術生產。
2006年7月27日：英特爾·酷睿?6?42雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個晶體管，采用英特爾65納米制程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。
2006年9月26日：英特爾宣布，超過15種45納米制程產品正在開發，面向臺式機、筆記本和企業級計算市場，研發代碼Penryn，是從英特爾?酷睿?6?4微體系架構派生而出。
2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發布了針對桌面電腦的65納米制程英特爾·酷睿?6?42四核處理器和另外兩款四核服務器處理器。英特爾·酷睿?6?42四核處理器含有5.8億多個晶體管。
2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下壹代處理器——英特爾?酷睿?6?42雙核、英特爾?酷睿?6?42四核處理器以及英特爾?至強?系列多核處理器的數以億計的45納米晶體管或微小開關中用來構建絕緣“墻”和開關“門”，研發代碼Penryn。采用了這些先進的晶體管，已經生產出了英特爾45納米微處理器。