定義：MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著）芯片﹔該芯片屬於UEC 的專利產品
特點：1、 采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍)，更適應於高驅動電流領域。4、底部金屬反射層﹐有利於光度的提升及散熱
5、尺寸可加大﹐應用於High power 領域﹐eg : 42mil MB 定義：GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結合）芯片﹔該芯片屬於UEC 的專利產品
特點： 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
2﹕芯片四面發光﹐具有出色的Pattern圖
3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差於TS單電極TS芯片定義和特點
定義：TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬於HP 的專利產品。
特點：1.芯片工藝制作復雜﹐遠高於AS LED
2. 信賴性卓越
3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高
4.應用廣泛
定義：AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經過近四十年的發展努力﹐臺灣LED光電業界對於該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處於成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發水平基本處於同壹水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺灣業界還有壹定的差距﹐在這裏我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點： 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對於常規芯片要亮
2. 信賴性優良
3. 應用廣泛 1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
5、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs