雙數據速率SDRAM (DDR SDRAM):簡稱DDR，因為可以在時鐘觸發沿的上下沿傳輸數據，所以即使在133MHz的總線頻率下，帶寬也可以達到2.128GB/s。DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，支持2.5V的SSTL2標準，仍然可以使用現有的SDRAM生產系統，制造成本略高於SDRAM，但仍然比Rambus低很多，因為制造普通SDRAM的設備只需稍加改進就可以生產DDR內存，不存在專利問題，所以代表了未來可以和Rambus抗衡的內存發展方向。
Direct Rambus DRAM，DRDRAM)是英特爾倡導的未來存儲器的發展方向。它將RISC(精簡指令集)引入其中，依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量。工作頻率比SDRAM高(不低於300MHz)，但數據通道接口帶寬低，只有16位。當工作時鐘為300MHz時，Rambus分別利用時鐘的上沿和下沿傳輸數據，因此其數據傳輸速率可以達到300× 16× 2/8 = 1.2gb/。它與傳統DRAM的不同之處在於，管腳定義會隨著命令而變化，同壹組管腳線既可以定義為地址線，也可以定義為控制線。它的引腳數只有普通DRAM的三分之壹。
虛擬通道內存(VCM)是大多數最新主板芯片組支持的內存標準。VCM是NEC公司開發的新型“緩沖DRAM”，大容量SDRAM將采用這種技術。它集成了所謂的“通道緩沖器”，由高速寄存器配置和控制。VCM在實現高速數據傳輸的同時，也保持了與傳統SDRAM的高兼容性，所以VCM存儲器通常被稱為VCM SDRAM。VCM和SDRAM的區別在於，數據無論是否經過CPU處理，都可以提交給VCM進行處理，而普通SDRAM只能處理經過CPU處理的數據，這也是VCM處理數據速度比SDRAM快20%以上的原因。