在了解記憶的發展之前，我們應該解釋壹些常用詞，這將有助於我們加強對記憶的理解。
RAM代表RandomAccessMemory。分為靜態和動態兩種。
SRAM以前是壹種主存，速度很快，不用刷新就能保存數據。它以雙穩態電路的形式存儲數據，結構復雜。它需要使用更多的晶體管組成寄存器來存儲數據，所以它使用的矽片相當大，制造成本相當高。所以現在SRAM只能用在比主存儲器小很多的緩存中。隨著英特爾將L2高速緩存集成到CPU中(從Medocino開始)，SRAM失去了其最大的應用需求來源。好在在手機從模擬到數字的發展趨勢中，它終於為具有省電優勢的SRAM找到了另壹個機會，網絡服務器和路由器的需求激勵使得SRAM市場勉強繼續增長。
DRAM，顧名思義，就是動態RAM。DRAM的結構比SRAM的結構簡單得多。基本結構由MOS管和電容組成。它具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合制造大容量存儲器，所以我們現在使用的存儲器大部分是DRAM。所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細描述DRAM內存之前，我們先來講壹下同步的概念，根據內存的訪問方式可以分為兩種:同步內存和異步內存。區分它們的標準是能否與系統時鐘同步。存儲器控制電路(在主板芯片組中，通常在北橋芯片組中)發出行地址選擇信號(RAS)和列地址選擇信號(CAS)來指定將訪問哪個存儲體。SDRAM之前的EDO內存都采用這種方式。讀取數據所需的時間以納秒表示。當系統速度逐漸提升，尤其是66MHz的頻率成為總線標準時，EDO內存的速度變得非常慢，CPU總是要等待內存中的數據，嚴重影響性能，內存成為很大的瓶頸。因此，同步系統時鐘頻率的SDRAM就出現了。DRAM的分類FPDRAM:也叫快頁存儲器，在386時代非常流行。因為DRAM需要恒定的電流來存儲信息，壹旦斷電，信息就會丟失。它的刷新頻率可以達到每秒幾百次，但是FPDRAM是用同壹個電路存取數據，所以DRAM的存取時間有壹定的時間間隔，導致它的存取速度不是很快。另外，在DRAM中，由於存儲地址空間是按頁排列的，當訪問某壹頁時，切換到另壹頁會占用CPU額外的時鐘周期。其接口多為72線SIMM型。EDO DRAM:EDO-RAM-擴展數據模式存儲器，類似於FPDRAM，取消了擴展數據輸出存儲器和傳輸存儲器兩個存儲周期的時間間隔，在向CPU發送數據的同時訪問下壹頁，因此速度比普通DRAM快15~30%。工作電壓壹般為5V，其接口方式多為72線SIMM型，但也有168線DIMM型。EDODRAM，內存的壹種，流行於486和早期的奔騰電腦。現在的標準是SDRAM(synchronous DRAM的縮寫)，顧名思義就是與系統時鐘頻率同步。SDRAM存儲器訪問采用突發模式，其原理是SDRAM在現有的標準動態存儲器上增加同步控制邏輯(壹個狀態機)，使用單壹系統時鐘同步所有地址數據和控制信號。使用SDRAM不僅可以提高系統性能，還可以簡化設計，提供高速數據傳輸。在功能上，它類似於傳統的DRAM，也需要時鐘來刷新。可以說SDRAM是壹種結構改進的增強型DRAM。然而，SDRAM如何利用其同步特性來滿足高速系統的需求呢？眾所周知，我們使用的所有動態內存技術都是基於異步控制的。在使用這些異步動態存儲器時，系統需要插入壹些等待狀態來滿足異步動態存儲器的需要。這時候指令的執行時間往往是由內存的速度決定的，而不是系統本身所能達到的最高速度。比如在緩存中存儲連續數據時，速度為60ns的快速頁存儲器需要40ns的頁周期時間；當系統速度運行在100MHz(壹個時鐘周期為10ns)時，每次進行數據訪問都需要等待4個時鐘周期！使用SDRAM，由於它的同步特性，可以避免這個時間。SDRAM結構的另壹大特點是支持同時打開兩列DRAM地址。兩個開放存儲體之間的存儲器訪問可以被交叉處理。壹般在銀行訪問過程中可以隱藏預置或活動列，即在讀或寫的同時可以預置壹個銀行。據此，在整個設備讀取或寫入時，可以實現100MHz的無縫數據速率。因為SDRAM的速度限制了系統的時鐘速度，所以它的速度是以MHz或者ns來計算的。SDRAM的速度至少不能低於系統時鐘速度。SDRAM訪問通常發生在四個連續的突發周期，第壹個突發周期需要四個系統時鐘周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鐘周期。用數字表示如下:4-1-1-1。對了，BEDO(BurstEDO)也叫突發江戶記憶。其實它的原理和性能和SDRAM差不多，因為英特爾的芯片組支持SDRAM，也因為英特爾的市場領先地位，SDRAM成為了市場標準。
DRAMR的兩種接口類型DRAM主要有兩種接口類型，早期的SIMM和現在的標準DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryModule的簡稱，是壹種單面接觸內存模塊，是486及其早期PC中常見的內存接口方式。早期的PC(486之前)多采用30針SIMM接口，奔騰多采用72針SIMM接口，或者與DIMM接口類型並存。SIMM是dual in-line memory module的縮寫，即雙邊接觸式內存模塊，也就是說這類接口內存的插板兩側都有數據接口觸點。這種接口方式的存儲器在現代計算機中應用廣泛，通常是84針，但由於是雙邊的，壹個* * *有84×2=168線接觸，所以人們常把這種存儲器稱為668。DRAM內存通常是72線，EDO-RAM內存既有72線也有168線，SDRAM內存通常是168線。在新世紀到來之際，新的內存標準也給計算機硬件帶來了巨大的變化。計算機的制造技術已經發展到了千兆的邊緣，可以提高微處理器(CPU)的時鐘頻率。相應的內存也必須跟上處理器的速度。現在有兩個新標準，DDRSDRAM內存和Rambus內存。它們之間的競爭將成為PC內存市場競爭的核心。DDRSDRAM代表了內存的逐漸演變。Rambus代表了計算機設計的重大變革。從更遠的角度來看。DDRSDRAM是壹種開放標準。然而，Rambus是壹項專利。他們之間的勝者將對計算機制造業產生巨大而深遠的影響。
RDRAM的工作頻率有了很大的提升，但這種結構上的變化涉及到包括芯片組、DRAM制造、封裝、測試甚至PCB和模塊在內的全面變化，可謂是壹個整體。未來高速DRAM結構發展如何？
英特爾重新組裝重新發行的820芯片組真的能如其所願讓RDRAM登上主流寶座嗎？PC 133 SDRAM:PC 133 SDRAM基本上只是PC100SDRAM的擴展。無論在DRAM制造、封裝、模塊、連接器上，都延續了舊的規格，它們的生產設備都是壹樣的，所以生產成本和PC100SDRAM差不多。嚴格來說，兩者唯壹的區別就是在同樣的工藝技術下，多了壹道“篩選”的程序，來挑選速度為133MHz的顆粒。如果配合可以支持133MHz外接頻率的芯片組，將CPU的前端總線頻率提升到133MHz，那麽DRAM帶寬可以提升到1GB/秒以上，從而提升整體系統性能。DDR-SDRAM: DDR SDRAM(雙倍數據速率RAM)或SDRAM II，因為DDR可以在時鐘的上升沿和下降沿傳輸數據，實際帶寬增加了三倍，性價比大大提高。在實際功能對比方面，PC133衍生的第二代PC266DDRSRAM(133MHz時鐘× 2倍數據傳輸= =266MHz帶寬)不僅在最新的《研訊》測試報告中表現出比Rambus平均高24.4%的性能，在《美光》的測試中也優於其他高帶寬方案，充分顯示了DDR的性能。直接Rambus-DRAM: Rambus DRAM的設計與之前的DRAM有很大不同，它的微控制器不同於壹般的內存控制器，這使得芯片組必須重新設計才能滿足要求。此外，數據通道接口也不同於壹般的內存。Rambus在兩個數據通道中傳輸數據，每個通道8位(9位帶ECC)。雖然比SDRAM的64bit窄，但是它的時鐘頻率可以高達400MHz，並且可以在時鐘的上升沿和下降沿傳輸數據，所以可以達到1.6 GB/秒的峰值帶寬。
各種DRAM規格的數據帶寬綜合對比:數據帶寬方面，傳統的PC100在時鐘頻率為100MHz的情況下，峰值數據傳輸速率可以達到800 MB/秒。如果DRAM采用先進的0.25微米線程制造，大部分可以“篩選”時鐘頻率為133MHz的PC133顆粒，可以將峰值數據傳輸速率再次提高到1.06 GB/秒。只要CPU和芯片組能夠配合，整體系統性能是可以提升的。另外，就DDR而言，由於它可以在時鐘的上升沿和下降沿都傳輸數據，在同樣的時鐘頻率133MHz下，其峰值數據傳輸將大幅提升兩倍，達到2.1.6 GB/秒的水平，性能甚至高於Rambus目前所能達到的1.6 GB/秒。
傳輸方式:傳統SDRAM采用並行數據傳輸方式，Rambus采用特殊的串行傳輸方式。在串行傳輸模式下，數據信號全部進出，可以將數據帶寬降低到16bit，大大提高工作時鐘頻率(400MHz)，但也形成了模塊數據傳輸設計上的局限性。也就是說，在串行模式下，如果其中壹個模塊損壞或形成開路，整個系統將無法正常啟動。所以，對於帶有Rambus內存條的主板，必須全插三組內存擴展槽。如果Rambus模塊不足，只有RDRAM模塊(連續性存儲模塊；C-RIMM)，純粹用於提供信號的串行連接和平滑的數據傳輸。模塊和PCB設計:由於Rambus工作頻率高達400MHz，所以在電路設計、電路布局、顆粒封裝、存儲模塊設計等方面與SDRAM有很大不同。就模塊設計而言，由RDRAM組成的內存模塊被稱為RIMM(rambusinemmemorymodule)。目前設計可以由4，6，8，12，16等不同數量的RDRAM顆粒組成。雖然管腳數增加到了184，但是整個模塊的長度相當於原來DIMM的長度。此外，在設計上，Rambus的每個傳輸通道可以承載的芯片粒子數量有限(最多32個)，這將限制RDRAM存儲模塊的容量。也就是說，如果已經安裝了壹個16 RDARM粒子的RIMM模塊，要想擴展內存，最多只能安裝壹個16 RDARM的模塊。另外，由於RDARM工作在高頻，會產生高溫，所以RIMM模塊必須設計壹層熱沈，這也增加了RIMM模塊的成本。
顆粒封裝:DRAM封裝技術已經從最早的DIP和SOJ改進到TSOP。從主流的SDRAM模塊來看，除了盛創科技首創的TinyBGA技術和喬峰科技首創的BLP封裝模式外，大部分仍然采用TSOP封裝技術。
隨著DDR和RDRAM的相繼推出，存儲器頻率提高到更高的水平，TSOP封裝技術逐漸無法滿足DRAM設計的要求。從Intel推的RDRAM來看，采用了新壹代的μBGA封裝，相信未來DDR等其他高速DRAM封裝也會采用相同或不同的BGA封裝方式。RDRAM雖然在時鐘頻率上有所突破，有效提升了整個系統的性能，但其規格與目前主流的SDRAM差距較大，不僅與現有系統芯片組不兼容，而且被Intel壟斷。甚至在DRAM模塊的設計上，不僅采用了最新的BGA封裝方式，甚至在電路板的設計上，也采用了8層板的嚴格標準，更不用說測試設備的巨額投入了。大部分DRAM和模組廠商都不敢貿然跟進。
況且因為Rambus是專利標準，所以廠商想要生產RDRAM必須先獲得Rambus的認證，並支付高額的專利費。不僅增加了DRAM廠商的成本負擔，他們還擔心在制定下壹代存儲器標準時會失去原有的規格控制能力。
由於RIMM模塊最多只能有32個粒子，Rambus應用受到限制，只能用在入門級服務器和高級PC上。或許就PC133而言，在性能上無法與Rambus抗衡，但壹旦集成DDR技術，其數據帶寬可達2.1 GB/秒，不僅領先於Rambus的1.6 GB/秒標準，而且由於其開放的標準和遠高於Rambus的兼容性，估計會對Rambus造成極大的傷害。更何況，在臺灣省與威盛、AMD結盟的大力支持下，英特爾能否照常發號施令還不清楚。至少在低價PC和網絡PC方面，Rambus會有很小的市場。
結論:雖然英特爾采取了各種戰略布局和對策來挽回Rambus的勢頭，但畢竟Rambus這種突破性規格的產品有很多難以克服的內在問題。也許英特爾可以通過改變主板的RIMM插槽模式，或者提出SDRAM和RDRAM***共存的過渡方案(S-RIMM，RIMMRiser)來解決技術問題。但說到控制量產成本，就不會被英特爾壟斷了。而且在網絡趨勢下，計算機應用會越來越低價，市場需求方是否對Rambus感興趣還有待檢驗。供應方面，從NEC最初的VCMSDRAM規格，三星等DRAM廠商對Rambus的保守態度，以及相關封裝測試設備的投入不足來看，估計年底前Rambus內存模塊仍然缺乏與PC133甚至DDR的價格競爭力。從長遠來看，Rambus架構可能會成為主流，但應該不再是主導市場的絕對主流，而SDRAM架構(PC133，DDR)在低成本和應用領域廣的優勢上應該會有非常不錯的表現。相信未來的DRAM市場將是多種結構並存的局面。
最新消息，有望成為下壹代內存主力的RambusDRAM因芯片組遲遲不推出而略顯沮喪。鑒於DDRSDRAM的標準化，世界上許多半導體和計算機制造商已經形成了AMII(高級存儲器國際公司)陣營。然後決定積極推動PC1600和PC2100 DDRSDRAM的規格標準化，比PC200和PC266快10倍以上，使得RambusDRAM和DDRSDRAM的內存主導權之爭進入新的局面。全球第二大微處理器廠商AMD決定旗下的Athlon處理器將采用PC266規格的DDRSDRAM，並決定在今年年中之前開發出支持DDRSDRAM的芯片組，極大地鼓舞了DDRSDRAM陣營。全球內存行業很有可能將未來投資的重心從RambusDRAM轉移到DDRSDRAM。
綜上所述，今年DDRSDRAM的發展勢頭高於RAMBUS。而且DDRSDRAM的生產成本只有SDRAM的1.3倍，在生產成本上更有優勢。除了DDR和RAMBUS，未來還有其他幾款很有前景的內存產品。下面是其中的壹些:SLDRAM(SyncLinkDRAM): SLDRAM可能是速度上最接近RDRAM的競爭對手。SLDRAM是壹種增強擴展的SDRAM架構，將目前的4庫結構擴展到16庫，並增加了新的接口和控制邏輯電路。
。SLDRAM像SDRAM壹樣利用每個脈沖沿傳輸數據。
VirtualChannelDRAM:虛擬通道“虛擬通道”是安裝在主控芯片上的存儲單元和存儲控制部分之間的壹種寄存器，相當於緩存。使用VC技術後，外部存儲器讀寫時，不再直接讀寫存儲芯片中的各個單元，而是由VC代理代替。VC本身的緩存作用不可小覷。當內存芯片的容量是目前最常見的64Mbit時，VC與內存單元之間的帶寬已經達到了1024bit。即使不考慮前端/後臺並行處理帶來的速度提升，“先將數據從內存單元移動到高速VC再從外部讀寫”的基本結構本身就非常適合提升內存的整體速度。每個內存條可以承載多個VCS，64Mbit產品中VCS的總數為16。不僅每個VC可以對應不同的MemoryMaster(這裏指的是CPU、南橋芯片、各種擴展卡等。)，但必要時也可以將多個VC通道捆綁在壹起，對應壹個占用帶寬特別大的內存主控。因此，在同時執行多個任務時，VC-SDRAM可以保證連續高效的數據傳輸。VC-SDRAM的另壹個特點是保持了與傳統SDRAM的管腳兼容性，廠商無需重新設計主板布線就可以讓主板支持。但由於它不同於傳統的SDRAM控制方式，需要控制芯片組的支持才能使用。目前支持VC-SDRAM的芯片組有VIA、ApolloMVP4、SiS 630的ApolloPro133系列。
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