文獻檢索課程設計

課題名稱：集成電路環境與半導體器件

壹、分析研究課題

集成電路是采用半導體制作工藝，在壹塊較小的單晶矽片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，並按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。它在電路中用字母“IC”（也有用文字符號“N”等）表示。

自從1958年世界上第壹塊IC問世以來，特別是近20年來，幾乎每隔2-3年就有壹代產品問世，至目前，產品以由初期的小規模IC發展到當今的超大規模IC。IC設計、IC制造、IC封裝和IC測試已成為微電子產業中相互獨立又互相關聯的四大產業。微電子已成為當今世界各項尖端技術和新興產業發展的前導和基礎。有了微電子技術的超前發展，便能夠更有效地推動其它前沿技術的進步。隨著IC的集成度和復雜性越來越高，汙染控制、環境保護和靜電防護技術就越盲膨響或制約微電子技術的發展。同時，隨著我國國民經濟的持續穩定增長和生產技術的不斷創新發展，生產工藝對生產環境的要求越來越高。大規模和超大規模Ic生產中的前後道各工序對生產環境提出了更高要求，不僅僅要保持壹定的溫、濕度、潔凈度，還需要對靜電防護引起足夠的重視。

導電能力介於導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。半導體材料是壹類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米範圍內。半導體材料的電學性質對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導體材料中摻入少量雜質可以控制這類材料的電導率。功能多樣的半導體器件正是利用半導體材料的這些性質才制造出來的。

由於科技進步日新月異，集成電路和半導體的發展也非常的迅速，不僅對半導體和集成電路本身，而且對其生產的環境，也有更高的要求，何況由於科學技術的發展，人們以往所獲得的知識也會有所變化，因此，需要對這方面的知識以及其在世界範圍內的發展趨勢進行全方位的掌握，本課題主要就是查找集成電路環境和半導體器件方面的壹些知識以及研究情況。

二、制定檢索策略

1、選擇檢索手段

本課題的檢索手段以計算機檢索為主，同時將手工檢索與計算機檢索相結合。

2、選擇檢索工具

欲查找“集成電路環境與半導體器件”方面的文獻，必須選用恰當的檢索工具。根據課題要求以及檢索工具收錄文獻源的情況，本課題選用綜合性檢索工具和數據庫及集成電路類專業檢索工具和數據庫。具體選用下列檢索工具和數據庫：

（1）《全國報刊索引》

（2）《全國新書目》

（3）《中國國家數目》

（4）《中國專利索引》

（5）《工程索引》

（6）CNKI期刊全文數據庫

（7）萬方數據資源系統

（8）超星數字圖書館

（9）中文科技期刊全文數據庫

（10）中國學術會議論文數據庫

（11）中國學位論文數據庫

（12）中國專利數據庫

（13）中華人民***和國國家知識產權局網站

（14）Engineering Village 2數據庫

（15）荷蘭Elsevier全文數據庫

（16）歐洲專利數據庫

3、選擇檢索方法

本課題主要為了獲取近幾年來國內外的研究情況，檢索方法選擇順查法和倒查法相結合。

4、選擇檢索途徑

本課題的查找，可從分類和主題途徑進行檢索。

（1）分類途徑

從課題分析可知，本課題的學科分類屬於工業技術。根據《中國圖書館圖書分類法》的類目設置，可選擇以下分類號作為檢索入口：

TN4 集成電路

TN3 半導體技術

TN36半導體光電器件

TN37半導體熱電器件、熱敏電阻

（2）主題途徑

根據課題分析，可選用以下主題詞作為檢索入口：

中文主題詞：集成電路；環境；半導體器件；半導體集成電路

英文主題詞：integrated circuits；conditions; semiconductor devices；

5、構造檢索式

在計算機檢索系統中，各檢索詞通過邏輯組配關系確定運算方式。本課題的檢索可選擇以下邏輯運算制定檢索策略：

（集成電路AND環境）OR半導體器件

（ integrated circuits and conditions）or semiconductor devices

三、實驗性檢索

以CNKI全文數據庫做試驗性檢索。

打開CNKI全文數據庫，選擇高級檢索，數據庫範圍選擇全選，數據庫時間範圍選擇1990到2006年，排序選擇按收錄時間順序到排。檢索字段選擇在篇名/關鍵詞/摘要中檢索。在檢索對話框中分別輸入“集成電路 ”、“環境”、“半導體器件”。

檢索詞之間的邏輯運算關系第壹個選擇“與”，第二各選擇“或”。點擊”檢索“按鈕，獲得檢索結果。經閱讀命中文獻的詳細信息，符合檢索課題要求。

四、正式檢索

根據所選用的檢索方法，在選擇的檢索工具和數據庫中分別進行檢索。

本課題的檢索可按文獻類型分別檢索國內外相關文獻。

1、國內期刊論文的檢索

欲查找本課題的相關國內期刊論文信息，可選用《全國報刊索引》、CNKI期刊全文數據庫、中文科技期刊全文數據庫、萬方數據資源系統數字化期刊等檢索工具和數據庫。

（1）檢索工具以2000年《全國報刊索引》（自然科學技術版）為例

從2004年《全國報刊索引》第7期中，按分類號“TN4：微電子學，集成電路“逐條查找，獲得1篇文獻符合要求：

000712565 論微電子環境中的靜電防護王澤恒（長春科技大學）現代情報 -2000，（2）。-59-60

再按分類號“TN3：半導體技術”逐條查找，找到3篇文章符合要求：

000811849 ZnO壓敏電阻器耐濕性能影響因素的研究王建文（陜西西安無線電二廠）；鄧壹鳴；楊明等傳感器技術 -2000，19（2）。-13-16

000811877 高溫超導多芯片組件杜曉松（電子科技大學）；楊邦朝電子元件與材料 -2000，19（2）。-22-23，33

000811885 CMOS/SOP抗核加固電路輻照衙的恢復特性王懷榮（沈陽東北微電子研究所）；姚達；蘇秀娣等吉林大學自然科學學報 -1999，（3） -72-74

檢索工具的檢索結果為題錄或文摘，要獲取命中文獻的全文，需要根據檢索結果中提供的文獻出處，進而獲取文獻全文。

（2）計算機檢索以CNKI期刊全文數據庫為例

進入CNKI期刊全文數據庫，選擇“高級檢索”，在兩個檢索對話框中分別輸入“半導體”、“集成電路 ”、“環境”，在檢索字段下拉式菜單中選擇“主題”。點擊檢索按鈕，得到檢索結果。經對檢索結果閱讀。、分析，符合課題要求。簡縮結果的全文可以打印、下載。現列出其中1篇命中文獻的文摘著錄格式。

先進半導體矽材料:優化納米集成電路性能的重要基礎

英文篇名 Dosimeters based on radiation effects of Si ICs

作者張慶祥; 侯明東; 甄紅樓;

英文作者 ZHANG Qing-xiang; HOU Ming-dong; ZHEN Hong-lou（Institute of Modern Physics; Chinese Academy of Science; Lanzhou of Gansu Prov.; China）;

作者單位中國科學院近代物理研究所; 甘肅蘭州;

刊名核電子學與探測技術 , Nuclear Electronics & Detection Technology, 編輯部郵箱 2002年 04期

期刊榮譽：中文核心期刊要目總覽 ASPT來源刊 CJFD收錄刊

關鍵詞半導體器件; 輻射效應; 總劑量效應; 單粒子效應; 空間環境探測;

英文關鍵詞 semiconductor detectors; radiation effects; total dose effect; single event effect; space radiation environment;

摘要空間輻射環境能夠引起半導體集成電路發生的總劑量效應、單粒子效應等輻射效應 ,可以被用來進行空間輻射環境監測。在壹定條件下 ,基於此原理的探測器具有常規的面壘型探測器以及 PIN型探測器等所不具備的優點。尤其適合航天器艙內帶電離子探測和用於航天醫學的個人輻射劑量探測。介紹了三種基於半導體器件輻射效應的探測器。

英文摘要 Radiation effects in Si ICs , such as total dose effect, single event effect , et al., can be utilized to measure space radiation environment. Detectors based on these effects have some advantages compared with conventional semiconductor detectors ( barrier detector and P-I-N diode) as dose depth monitor in spacecraft and "skin" dosimeter for personnel. Three of these kinds of detectors and their uses in space are introduced in this paper.

基金國家自然科學基金 (19775 0 5 8, 10 0 75 0 6 4 ) ;; 中國科學院“九五”重大課題 (KJ95 2 - SI-4 2 3)

DOI CNKI:ISSN:0258-0934.0.2002-04-025

2、本課題相關標準和專利的檢索

欲查找本課題的相關標準和專利等信息，可選用《中國專利索引》和標準檢索工具等書本式檢索工具和萬方數據資源系統鏡像站中華人民***和國國家知識產權局網站、中國專利數據庫等。現以《中國專利索引》（手工）和萬方數據資源系統以及Springer等有關數據庫（計算機）專利與標準檢索為例，列出其中壹些命中的文獻及其簡要格式。

[1].手工檢索結果：

國際專利分類號授權公告號專利號

專利權人實用新型/發明名稱

H01L 23/48 CN2201727Y ZL94241608.2

東南大學陶瓷封裝半導體抗電湧器件

H01L 29/74 CN2196820Y ZL94204295.6

許正山可關段型可控矽

H01L 23/40 CN1029056C ZL93108095.9

株式會社日立制作所電子器件的冷卻裝置

H01L 49/00 CN1027607C ZL91108927.6

雲南大學高靈敏度半導體氣敏元件

H01L 29/784 CN1098227A ZL94104088.7

株式會社半導體本能源研究所半導體器件及其制作方法

標準名稱標準號

電力半導體用散熱器 GB 8446.1-87

半導體直接直流變流器 GB 7677-87

[2].計算機檢索結果：

專利名稱：半片半導體壓電器件結構和電-聲電荷傳送器件

專利權人：飛思卡爾半導體公司

申請號： 02814687.5

專利名稱：半導體發光器件

專利權人：夏普株式會社

申請號： 200410082163.5

專利名稱：半導體集成電路器件

專利權人：爾必達存儲器株式會社；株式會社日立ULSI系統

申請號： 200410100687.2

標準名：半導體器件命名系統

標準號： ANSI/EIA-370-13-1992

標準名：半導體器件同名終端功能的編號和多單元半導體器件的單元名稱

標準號： ANSI/EIA-321-C-1987

標準名：半導體器件的機械標準化，尺寸

標準號： BS IEC 60191-2-1992

3、國內學術會議、學位論文、科技成果等信息的檢索

欲查找本課題的相關國內學術會議、學位論文、科技成果等信息，可選用《中國學術會議文獻通報》、《中國學位論文通報》等書本式檢索工具和萬方數據資源系統的中國學術會議論文數據庫、中國學位論文數據庫、中國科技成果數據庫、中國專利數據庫等。現以萬方數據資源系統的中國學術會議論文數據庫的檢索結果為例，列出其中1篇命中文獻的著錄格式。

半導體器件分布式模擬系統的設計

作者張斌;

導師顏永紅;

學位授予單位湖南大學;

學科專業名稱微電子學與固體電子學

學位年度 2003

論文級別碩士

網絡出版投稿人湖南大學

網絡出版投稿時間 2003-07-21

關鍵詞半導體器件模擬; 分布式; 並行模擬; 數值分析; 中間件;

英文關鍵詞 semiconductor device simulation; distribution; parallel compute; numerical analysis; middle ware;

中文摘要概述了半導體器件模擬軟件的發展現狀，分析了半導體器件的模型，研究了半導體器件模擬的基本方法和典型過程，分析了半導體器件發展的要求和幾種器件模擬計算方式的比較及分布式器件並行模擬系統的必要性、可行性和現實意義。詳細闡述了半導體器件數值模擬的模型、模型的基本方程，探討了器件數值分析特有的邊界條件及算法分析，具體說明器件模擬軟件須解決的問題。探索了器件並行模擬系統所需的計算機技術和模擬系統的功能模塊劃分，並具體部分實現了客戶端程序設計、中間件設計和服務器端程序設計，運用它完成對晶體管的摻雜濃度分布、電子和空穴濃度模擬，並對輸入參數進行了討論和計算結果輸出進行了分析。在此基礎上，使用MATLAB5.3數值計算工具完成了晶體管的壹維穩態分析，以驗證模擬系統結果的正確性。簡要闡述了半導體器件模擬軟件在新器件開發中的應用，對性能模擬擴展與工藝模擬集成的優勢作了簡述。最後，系統地總結了所完成的主要工作和分布式並行模擬系統的創新之處。

英文摘要 The actuality of semiconductor device simulation software development is summarized, and the model of semiconductor devices, the basic methods of semiconductor device simulation and the representative procedures are developed, then the increasing demand of semiconductor devices, the comparison with several simulation systems for semiconductor devices and the necessity, the feasibility, the significance of the distribution parallel simulation for devices are analyzed. The model of semiconductor devices an...

DOI CNKI::CDMD:10532.2.2003.0870

4、國外相關信息的檢索

欲查找本課題相關外文信息，可選用Engineering Village 2數據庫、荷蘭Elsevier全文數據庫、歐洲專利數據庫等進行檢索。

根據前面所論述的檢索策略與檢索方法，分別以“Semiconductor Devices”在所選擇的數據庫中進行檢索，即可得到所需要的相關信息。

現列出Engineering Village 2數據庫中命中2篇文獻。

A Method of the Thermal Resistance Measurements of Semiconductor Devices with P-N Junction

Janusz Iarebski and Krzysztof Gorecki

Measurement,Inpress,Accepted Manusccript;Available online 21 November 2006

A straight for ward analytical method for extraction of semiconductor device transient thermal paramenters

F.N.Masana

M:Croelectronics and Reliability,In Press,Corrected Proof,Availbale online 14 November 2006

五、獲取原文與課題檢索結果分析