現代粒子:
現代公司作為世界上最大的內存顆粒制造商之壹，自進入中國以來，假貨如影隨形，品種之多令人不寒而栗。以前所謂的現代原廠記憶只是用了壹些招數，比如貼塑料紙，畫畫，現在真的假貨出來了，不仔細看真的會被假貨騙。與此同時，HY的內存顆粒也壹直中規中矩。除了TSOP II封裝的顆粒，其他封裝產品根本沒有生產出來，暴露了假貨的致命點。雖然外觀很美，但最終也難逃假貨的命運。
目前主流的內存顆粒有兩種，默認頻率為200MHz的D-43顆粒和默認頻率為250MHz的D-5顆粒。
海力士顆粒:
與英飛淩類似，海力士曾經是韓國現代電子公司的子公司現代半導體公司，後來從母公司獨立出來，改名為海力士，所以嚴格來說，其產品已經不能稱之為“現代存儲器”。
金士頓系列:
雖然出道比KINGMAX晚，但在國內卻以迅雷不及掩耳之勢走紅。也許主要原因是記憶的質量。同樣，假冒盒裝金士頓出現在市場上。辨別真假非常簡單。首先，正宗的密封貼，印刷色彩豐富。假冒產品要低劣得多。
如果看不透包裝的外觀，那就看內存顆粒。為了節約成本，假貨通常使用廉價的雜牌內存顆粒，而正品主要是三星和HY。但妳必須小心拋光顆粒。還有壹招就是撥打內存中的800號碼來辨別真假。
三星原裝顆粒:
三星和現代的原廠記憶壹直比較推崇，從去年進入市場就沒閑過，頻頻被假冒產品騷擾。
現在三星原廠的所謂仿冒品就像以前的散裝條壹樣，做工粗糙，PCB質量差，重量比原廠條輕。記憶顆粒的激光字體從原廠看非常清晰，而假冒產品有擦痕。
在內存的背面，還可以看到正品的路線清晰自然，而假貨雜亂無章，包括焊點質量，誰真誰假壹目了然。
為了防止假冒三星原裝內存的代理商提前使用防偽技術，在真內存上貼了激光三星金條貼紙，原廠包裝上貼了質量保證卡。我相信除非這些造假者花大價錢，否則還是很難和正品配件的質量抗衡。
三星記憶顆粒上的數字“TC”，其中“T”代表TSOP包裝。
壹、三星DDR系列內存條:
三星TCB3顆粒:
TCB3是三星推出的壹款6ns DDR粒子，可以穩定工作在PC2700，2-2-2-X的時序，參數非常優秀。另外在PC3200中也可以工作，但是不能繼續保持這麽高的時序。200MHz時的時序是2-3-3-6，但已經很不錯了。TCB3的頻率限制在230MHz左右，對於默認值為166MHz的內存來說是非常大的。TCB3對電壓不是很敏感，3.0V頻率提升不是很大，現在看這個粒子，有點過時了。
三星TCCC顆粒:
TCCC是三星TCC系列(PC3200)中編號為“C”的粒子，表示是PC3200時預置的CAS值為3。TCCC可以工作在250-260MHz和3-4-4-8的時序，而默認可以保持200MHz的2.5-3-3-6的時序。因為TCCC粒子的價格相對便宜，所以和現代D43壹起成為了優秀的代表。另外，很多DDR500的內存也使用了TCCC粒子，但是因為接近極限頻率，留給這個內存的超頻空間非常小。電壓對TCCC粒子的超頻有壹定影響，但在2.8V V基本能達到最高頻率
三星TCC4顆粒:
TCC 4: TCC 4是三星另壹款5ns DDR400內存顆粒，但並不常見。在壹些品牌的PC3200低端內存甚至PC2700內存上都可以看到。TCC4不適合超頻用戶，因為它在壓力下只能穩定在210-220MHz，最高3-3-3-X的時序模式，對電壓非常不敏感，只適合追求容量和性價比的用戶。
三星TCC5顆粒:
TCC5:TCC5是三星TCC系列的新品，各方面都比它的前輩TCC4好很多。壹般用在DDR466內存產品上，超頻性能非常好。該內存默認工作頻率為233MHz，初始頻率高於TCC4，默認工作序列可達2.5-3-3-x，超頻模式下可工作在250MHz和3-4-4-X，對電壓不敏感。與TCCC和現代的D43相比，這種粒子並不常見，而且它的價格也相對較高。對於AMD AMD，Intel平臺，它可以在200MHz提供良好的時序，在超頻時提供良好的頻率。是個不錯的選擇。
三星TCCD顆粒:
TCCD:TCCD是另壹個經典的高頻粒子，在2-2-2-X的時序中可以穩定工作在220MHz，在2.5-4-4-X的時序中也可以穩定工作在超過300MHz的頻率，是目前工作頻率最高的DDR存儲芯片。TCCD對電壓比較敏感，但是不需要太高的電壓就可以完全進入高效率狀態，在2.8V或者更低的電壓就可以實現，幾乎適用於所有主流主板。目前使用TCCD顆粒的內存產品在大部分主板上都可以輕松達到DDR600的水平，可以滿足不同用戶的需求。與BH-5相比，TCCD在高頻下的參數不足可以通過更高的工作頻率來彌補。目前幾乎所有的內存帶寬記錄都是由TCCD創造的，很多使用TCCD粒子的品牌內存也成為了超頻玩家追捧的對象。
三星UCCC顆粒:
此外，三星UCCC的低延遲功能也受到玩家的追捧。選用帶UCCC顆粒的DDR400內存條，默認工作時序為3-3-3-6。可以工作在240MHz，2.5-3-3-X，沒有電壓超頻模式。相對價格也更便宜，非常適合大眾選擇。
三星DDR2系列內存條
GCCC是目前最常見的三星顆粒，多用於DDR2-400產品。
使用三星ZCD5顆粒的三星金條DDR2-533可以穩定工作在4-4-4-X時序的DDR2-667模式下，不需要電壓超頻，更有能力挑戰DDR2-900。
目前世界上最快的三星金條DDR2-800使用的是三星ZCE7顆粒。
最近生產的三星顆粒上，廠商logo已經從“SAMSUNG”改成了“SEC”。
在DDR2時代，三星全面進入GC和ZC(G是FBGA封裝，Y是FBGA-LF)以及SC和YC的系列，采用90nm的生產工藝，使得同樣的晶圓可以生產更多的顆粒，從而降低了成本。YC是最小的包裝，性能最好，現在市場上很少見。
目前比較常見的有GCCC(多用於DDR2-400)、* * * 5/ZD5(多用於DDR2-533)、***6/GCE6(多用於DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用於DDR2-800)等。這些內存顆粒在超頻方面也有著不可小覷的實力，依然保持著低延遲的風格。不過，在更改編號(從三星改為SEC)後，默認計時參數已被保守設置，但壹些DDR2-533默認延遲仍設置為4-4-4-10。壹般情況下，三星DDR2-533內存的定時參數可以穩定在3-3-3-4，優勢明顯，這也是三星金條內存質量非常好的原因之壹。GCCC和***5粒子在5-5-5-15的參數下大多超頻到DDR2-800以上。三星金條作為三星galaxy的原裝內存，大多使用這種顆粒。
KINGMAX系列:
KINGMAX的產品以TINYBGA的封裝形式而聞名，同時由於工藝的獨特性，也在壹定程度上抑制了假貨的生存。去年，為了豐富產品線，KINGMAX推出了壹系列采用TSOP封裝技術的SUPER-RAM。當然，這也給制假工廠帶來了另壹個盈利點。
不過KINGMAX也意識到了這壹點，對這壹系列內存使用了很多防偽手段。最值得註意的是，在PCB正面的SPD下，新設計了壹個ASIC芯片(專用芯片)。粒子采用KINGMAX專利的TinyBGA技術封裝，內部存儲ID碼，全球獨壹無二。同時附上800電話的查詢貼，讓假貨無處藏身。
Kingmax存儲器全部封裝在TinyBGA(微小球柵陣列)中。而且封裝方式是專利產品，所以Kingmax顆粒的內存條都是工廠自己生產的。Kingmax內存顆粒有64Mbits和128Mbits兩種容量。您可以在這裏列出每個容量系列的內存粒度型號。
容量備註:
Ksva 44t 4a0a-64mbits，16M地址空間× 4位數據寬度；
Ksv884t 4a0a-64mbits，8M地址空間× 8位數據寬度；
Ksv244t4xxx-128mbits，32M地址空間× 4位數據寬度；
Ksv684t4xxx-128mbits，16M地址空間× 8位數據寬度；
Ksv864t4xxx-128Mbits，8m地址空間× 16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，在型號後用壹個短線符號隔開，以標識內存的工作速率:
-7A——PC 133/CL = 2；
-7——PC 133/CL = 3；
-8A——PC 100/CL = 2；
-8——PC100 /CL=3 .
舉個例子，壹個Kingmax內存條由16塊KSV884T4A0A-7A組成，其容量計算為:64Mbits ×16塊/8=128MB(兆字節)。
華邦系列
華邦(Winbond)是臺灣省著名的內存條制造商。華邦生產的DDR內存顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商都無法替代的。華邦的BH-5內存芯片已經成為高端內存的代名詞。
1、BH-5
BH-5是華邦最著名的內存顆粒，也堪稱目前最著名的內存顆粒！這些粒子以超級記憶參數而聞名，對電壓相當敏感。大多數BH-5粒子可以在2-2-2-X的參數下工作，當然，在3.2-3.4V的高電壓下，壹些使用BH-5粒子的最好的存儲器甚至工作在280MHZ的頻率下，仍然保持2-2-2-X的時序。
當然，這種體質的BH-5粒子比較少見，對內存的整體要求也相當高。如果妳的主板不支持2.8V以上的內存調壓，那麽有BH-5顆粒的內存可能並不適合妳，但是對於那些狂熱的超頻玩家來說，OCZ的DDR升壓器可以幫助他們吸幹BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕松讓妳的BH5達到DDR500，2-2-2-X以上。當然，我不建議在正常使用中使用這麽高的電壓(畢竟大部分都用)
2003年是BH-5顆粒產量最大的壹年，但目前華邦已經宣布停產BH-5顆粒，所以市場上新銷售的內存中使用BH-5的比例很小，大部分出現在價格極高的高端內存中，如Mushkin黑電平ram、Kingston Hyper X、Corsair XMS、TwinMos、Buffalo以及少數低端內存產品。當然，另壹種尋找BH-5內存的方法是在賣家的庫存產品中獲取，或者在二手市場，網友之間。
2、甲烷-5
CH-5顆粒是華邦繼BH-5之後推出的另壹款用於DDR400內存產品中試用的內存芯片，可以稱之為BH-5的縮小版。為什麽這麽說？因為CH-5超頻後工作參數只能達到2-3-2-X，頻率大概在220-230MHZ左右，與BH-5相差甚遠。而且對電壓的敏感度不如BH-5，高於3V的電壓通常沒有明顯效果。雖然這種現象主要是由內存顆粒的物理構成決定的，但與內存廠商的PCB設計和使用的材料有關系。
不同批次的CH-5粒子之間也有很大的差異，少數CH-5粒子也能達到BH-5能達到的結果，當然概率很小。目前，華邦繼續生產CH-5粒子。BH-5停產後，縮水版CH-5逐漸被眾多高端內存購買，成為新壹代“極品”。很多使用CH-5粒子的存儲器，經過適當的加壓，可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式。目前海盜船XMS、金士頓Hyper X等高端品牌的內存產品部分型號在
3、BH-6
BH-6作為BH-X系列的6ns版本，也有非常不錯的表現。部分批次的BH-6的超頻性能甚至可以和BH-5媲美，大部分BH-6也可以在2-2-2-2X的參數下工作，在3.2-3.4V V的電壓下可以穩定工作在240-250MHz。
但華邦在推出BH-6粒子後不久就因產能不足而停止了BH-6粒子的生產，因此BH-6粒子的數量甚至比BH-5粒子還要稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等內存產品都使用了BH-6顆粒。
4、甲烷-6
CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本。雖然大家都不太看好華邦的這款低端DDR顆粒，但它還是繼承了華邦系列壹貫的優秀品質。大多數情況下，CH-6和CH-5差不多，但是不容易穩定在2-2-2-X的時序，和CH-5壹樣，對電壓不是很敏感，最高工作頻率應該是220MHz和2-3-2-X，CH-6面對的是高性價比的市場，常見於壹些低端的內存產品，比如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram，Mushkin Basic系列。
5、UTT
UTT是華邦最新的DDR內存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似。無論最終能達到的頻率和工作順序，和BH5不同，UTT顆粒需要稍微高壹點的電壓才能做到這壹點，所以大多數超頻玩家選擇讓UTT工作在3.4-3.6V。
有壹點UTT比BH-5顆粒做得更好，那就是UTT顆粒無論雙面還是單面分布超頻性能都差不多，但是BH-5更喜歡單面分布，所以BH-5系列內存的最佳超頻搭配是2x256MB，但是UTT無論2x256mb還是2x512MB都同樣優秀，在1GB內存中已經成為主流。
識別UTT顆粒有點困難。妳可以通過顆粒表面印刷的商標很容易地識別出上面提到的其他四種華邦內存條。但是打印出來的UTT顆粒種類繁多，在尋找的時候會帶來很大的難度。UTT普通顆粒表面印有M.Tec或Twinmos的商標，具有華邦系列存儲器的特征(顆粒正面對稱分布兩個小凹圓，存儲器側面可見兩個短距離金屬橫條)。
壹般具有華邦內存顆粒特征，但不印有BH-5/CH-5的DDR400顆粒通常是UTT顆粒。壹旦妳有了UTT粒子的內存，妳會發現擁有壹個1GB容量，可以工作在275MHz 2-2-2-X時序的內存是多麽令人興奮。目前在OCZ黃金VX系列、OCZ超值VX系列、TwinMos Speed Premium系列等品牌的低價內存中都可以看到。1GB容量的價格在150美元左右，非常超值。
華邦系列記憶顆粒的特點——顆粒的正面和左側對稱分布著兩個小凹圓，在內存的側面可以看到兩個短距離的金屬橫條。
微米系列顆粒
鎂系DDR內存顆粒以超頻性能優異，兼容性好而著稱。很多超頻玩家稱之為“中庸內存”，鎂粒在中端領域無人能及。目前常見的DDR顆粒有-5B C/-5B G系列。
1 、-5B C
說實話，鎂光的5B系列顆粒應該已經很受歡迎了。這個-5B C粒子不僅可以達到很高的頻率，而且時序很棒，通常可以穩定工作在230MHz和2.5-2-2-X，雖然CAS延遲不能達到2.0或更低，但是TRD和TRP很低，都可以穩定在時序2，當然工作頻率可以更高。-5B C對電壓也很敏感，在3.0V基本可以達到250MHz以上的最高頻率。
鎂粒的性能非常好，CAS2.5可以媲美BH-5系列CAS2，而且這個內存的異步性能非常好，特別有助於高端Athlon64和Intel平臺處理器FSB的推廣。目前很多廠商推出的PC3200內存都采用了Magnum的這款芯片，其中最引人註目的是日本的Buffalo品牌，還有Crucial、OCZ等品牌。
-5B G
-5B G粒子是前者-5B C的改進版，雖然也是5ns芯片，但能達到的最高頻率比前者高。著名的Crucial Ballistix系列存儲器就采用了這種類型的存儲粒子，不僅工作頻率高，而且存儲時序也非常出色。
-5B G粒子可以在保持高頻率的同時擁有出色的計時。大多數-5B G粒子可以在250-260MHz和2.5-2-2-X時序下工作，這比大多數現代的D43/D5粒子要好。目前1GB critical Ballistix的價格在250美元左右。另外，妳可以在鎂光的原裝DDR400上找到這個顆粒。
美光的記憶芯片號描述如下:
美光的序列號是相當詳細的，因為它統壹了所有DRAM芯片的序列號，包括歷史悠久的EDO(在壹些特殊設備中仍會使用)和未來的DDR-2芯片，所以參數很多，甚至在封裝類型上也體現了含鉛和無鉛封裝，不過好在分類比較清晰。值得註意的是，該芯片的版本與三星的基本壹致，規則更新較晚，但有壹些特殊規定。如果標誌是LF，S2，SF，T2等。，表示產品集成了兩個內核，可以認為是堆棧式封裝)。特殊功能指的是產品的壹些可選功能，但自刷新從16Mb的SDRAM開始就已經是標準設計了，所以這壹項無關緊要。
在芯片結構上，代表容量單位的字母(K，M，G，這三個字母大家應該很熟悉)後面的數字就是芯片的位寬。乘以前面字母和數字的組合的結果就是芯片的容量，單位是bit。比如圖中的例子是32M8，也就是說位寬是8bit，乘以32M，總容量是256Mbit。
微米內存顆粒的容量鑒定比三星簡單多了。我們用MT48LC16M8A2TG-75的編號來說明美光的記憶的編碼規則。
含義:
mt-美光的制造商名稱。
48型內存。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC-電源電壓。LC代表3v；c代表5v；v代表2.5V
16M8——粒度內存容量為128Mbits，計算方法為:16M(地址)×8位數據寬度。
a2-內存內核版本號。
TG包裝法，TG是TSOP包裝。
-75-內存的工作速度，也就是133 MHz；；-65表示150MHz。
以上面的芯片圖為例，我們可以看到它的容量為256Mbit，位寬為8位，采用TSOP-II封裝。產品版本應該是第壹代(無版本號)，速度是DDR-400(3-3-3)。
例子:壹個微米DDR內存條由18個編號為MT46V32M4-75的顆粒組成。內存支持ECC功能。所以每個存儲體是奇數個存儲粒子。
其容量計算為:容量32M ×4bit ×16芯片/8=256MB(兆)。
英飛淩系列顆粒
英飛淩(Infineon)科技作為內存界的元老，在SD時代有著無與倫比的超頻性能，有著完美的兼容性。有人稱英飛淩為西門子。其實英飛淩的前身是西門子半導體公司。在SDRAM時代，我們經常看到帶有西門子字樣的內存，但是現在英飛淩早就獨立了，所以不再叫西門子內存了。目前英飛淩常用的幾款DDR內存顆粒在超頻方面都有不錯的表現。
1、B5
這是英飛淩的5ns內存顆粒，但是比較少見，因為只有海盜船XMS3200 rev. 3.1使用B5顆粒，默認設置是200MHz，2-3-3-6時序，相當不錯，整體特性和華邦的CH-6顆粒很像。B5顆粒對電壓也很敏感，但不如華邦顆粒明顯。即使加壓後，超頻幅度也很壹般，在2.9-3.0V的電壓下只能工作在220-230MHz，試圖超過這個電壓是浪費時間。
2、BT-6
這是英飛淩的6ns顆粒，主要用於PC2700內存產品。和B5很像，但在超頻幅度上略遜於後者。金士頓的KVR2700采用BT-6顆粒，可以穩定工作在215MHz的時序，2.5-3-3-11；目前6ns BT-6比較落後，但是很容易達到200MHz和CAS2.5的水平，如果想達到更高的頻率和參數，必須在電壓上下功夫。總的來說，BT-6的優勢是以PC2700的價格帶給妳PC3200的體驗。
3、BT-5
目前最常見的英飛淩DDR400芯片是BT-5，默認工作頻率是240MHz，3.0-3-3-8。DDR 400通常有2.5-3-2-X的優化時序，看起來很普通，但BT-5擅長以頻取勝，對電壓高度敏感。2.8V以上，大部分BT-5粒子可以工作在2400。目前這款BT-5顆粒已經在很多品牌使用，包括英飛淩原裝PC3200內存，是壹款性價比不錯的產品。
4、CE-5/BE-5
在BT-5 BT-5 200MHz的時序飽受詬病後，英飛淩的另壹款5ns DDR顆粒進入市場。CE-5粒子可以穩定工作在200MHz 2-3-2-X的時序，部分產品可以達到260MHz以上的頻率。但目前CE-5顆粒的內存質量參差不齊，有些產品甚至無法穩定在225MHz以上。此外，新推出的BE-5粒子可以實現單面565，438+0.2 MB的容量，無論是參數還是極限速度都優於CE-5。
英飛淩內存芯片號描述如下:
在過去，壹些人認為這是現代(HYUNHAI)在HYB開始的內存芯片，但現在不要再犯這個錯誤。在最新的編號中，英飛淩統壹了DDR和DDR-2的產品編號。比如DDR-2 400和DDR-400的速度號是壹樣的，但是在具體產品中所代表的意義是不壹樣的。英飛淩的編號比較簡單(由於DDR內存目前由四個邏輯庫組成，英飛淩取消了這個編號，但估計在DDR-2時代，由於增加了8個庫，會有這個編碼)。
西門子內存顆粒(實際上是上面的英飛淩)
目前，西門子旗下的英飛淩在國內市場只生產兩種內存顆粒:128Mbits容量的顆粒和256Mbits容量的顆粒。數字詳細列出了其存儲器的容量和數據寬度。英飛淩的內存隊列組織和管理模式是每個粒子由4個存儲體組成。所以它的記憶粒子模型比較小，也是最容易分辨的。
HYB39S128400表示128MB/ 4bits，“128”表示顆粒的容量，後三位表示內存的數據寬度。其他的也是如此，比如:HYB39S128800，即128 MB/8 bits；HYB39S128160是128 MB/16 bits；HYB39S256800為256 MB/8位。
英飛淩記憶粒子工作率是通過在其模型末端加壹條短線，然後標註工作率來表示的。
-7.5-表示存儲器的工作頻率為133 MHz；；
-8-表示存儲器的工作頻率為100MHz。
例如:
1金士頓內存條由16英飛淩HYB39S128400-7.5內存顆粒生產。其容量計算為:128Mbits(兆位)×16 chips /8=256MB(兆位)。
1 Ramaxel內存芯片由8顆英飛淩HYB39S128800-7.5內存顆粒生產。其容量計算為:128兆位× 8芯片/8 = 128兆位。
南亞科技(南陽)
南亞存儲芯片編號描述如下:
南亞的編號也統壹為SDRAM、DDR SDRAM、DDR-2 SDRAM，也比較簡潔。芯片結構方面，規則和美光的壹樣，沒有邏輯銀行的編號編碼，這裏不做詳細說明。不過，也有很多南亞制造的內存產品，如Elixir和PQI，但這些產品非常罕見，沒有公布明確的編碼規則。
爾必達(爾必達)
爾必達是日立和NEC各自內存部門合並的結果，所以在產品編號上會有兩種完全不同的規則和標識。早期HM大概是原日立分部的延續，但目前基本上已經轉到DD開頭的編號規則了。最近爾必達的勢頭比較大，產銷形勢明顯好轉。采用其芯片的金士頓模塊已經在國內上市，相信未來我們可以看到越來越多采用爾必達芯片的產品。
爾必達內存條的編號描述如下:
爾必達的數量也比較單壹。需要指出的是，速度號後面可能還有其他代碼，比如L代表低能耗，I代表工作溫度範圍很寬的工業產品(-40到85°C)，但都很少見，這裏就不多說了。另外，代碼中的第壹個字母e，壹般是不存在的，在芯片上直接是DD的形狀，e就成了——ELPIDA的英文名。
摩西·維特利奇
矽存儲器芯片的序列號描述如下:
Mosi的序列號也很詳細清晰，但是芯片結構壹欄很難理解。我們可以這樣看:前三位是總容量，後兩位是位寬(80=8bit，40=4bit，16=16bit，32=32bit)，其他的就好理解了。
2003年全球十大DRAM廠商排名:
可以看到，排名前十的廠商分別是三星(韓國)、美光(美國)、英飛淩(德國)、海力士(韓國)、南亞(中國臺灣省南亞)、爾必達(日本)、中國臺灣省Mosel Vitelic。
最後需要強調的是，所謂主流廠商是指全球DRAM銷量前十的廠商，很多模組廠商也會自己生產內存芯片。但是請註意，它們不是真正生產的，只是包裝的！比如KingMax，Kingston，Wigan (ADATA，VDATA)，宇瞻，TwinMOS等。都有生產自己品牌的芯片，但是自己不生產內存晶圓，而是從那些大廠買晶圓自己封裝或者找代工廠。