有關芯片上長出原子級薄晶體管信息如下：
美國麻省理工學院壹個跨學科團隊開發出壹種低溫生長工藝，可直接在矽芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMD）材料層，以實現更密集的集成。
這項技術可能會讓芯片密度更高、功能更強大。相關論文發表在最新壹期《自然-納米技術》雜誌上。
這項技術繞過了之前與高溫和材料傳輸缺陷相關的問題，縮短了生長時間，並允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層，這使其成為商業應用的理想選擇。
新興的人工智能應用，如產生人類語言的聊天機器人，需要更密集、更強大的計算機芯片。但半導體芯片傳統上是用塊狀材料制造的，這種材料是方形的三維（3D）結構，因此堆疊多層晶體管以實現更密集的集成非常困難。
然而，由超薄2D材料制成的晶體管，每個只有大約三個原子的厚度，堆疊起來可制造更強大的芯片。
讓2D材料直接在矽片上生長是壹個重大挑戰，因為這壹過程通常需要大約600℃的高溫，而矽晶體管和電路在加熱到400℃以上時可能會損壞。新開發的低溫生長過程則不會損壞芯片。
過去，研究人員在其他地方培育2D材料後，再將它們轉移到芯片或晶片上。這往往會導致缺陷，影響最終器件和電路的性能。
此外，在晶片規模上順利轉移材料也極其困難。相比之下，這種新工藝可在8英寸晶片上生長出壹層光滑、高度均勻的層。
這項新技術還能顯著減少“種植”這些材料所需的時間。以前的方法需要壹天多的時間才能生長出壹層2D材料，而新方法可在不到壹小時內在8英寸晶片上生長出均勻的TMD材料層。