怎麽看內存條的芯片識別尺寸？在保存電腦的時候，我們通常只關註內存容量和內存性能指標，比如DDR266 DDR333。但是妳知道嗎，同樣的內存，根據品牌、出廠日期、批號的不同，性能和穩定性也不壹樣。本文將重點討論不同品牌的存儲器之間的性能和穩定性差異以及同壹品牌但不同批號之間的性能差異。此外，本文還將重點討論制造和銷售假記憶的方法。將為您徹底揭秘正版內存和深圳“油條”的鑒別方法。油條是什麽？這裏不賣豆漿，相信我會教妳怎麽做油條。)由於SDRAM已經走到了生命的盡頭，將徹底退出市場，所以RDRAM沒有得到廣泛應用，DDRII內存也沒有量產。所以本文只會涉及市面上主流的DDR內存。先說記憶的基礎知識，用壹句話概括:什麽是記憶？內存是隨機存取存儲器(簡稱RAM)。RAM分為兩類:靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。我們通常稱“系統內存”為後者，DRAM。SRAM是壹種重要的存儲器，廣泛應用於各個領域。SRAM的速度很快，在快速讀取和刷新的過程中能保持數據的完整性，也就是能保持數據不丟失。SRAM使用雙穩態電路來存儲數據。為了實現這種結構，SRAM的電路結構非常復雜，經常要用大量的晶體管來構造寄存器來保存數據。使用大量的晶體管需要大量的矽，增加了芯片的面積，無形中增加了制造成本。同樣容量的SRAM比DRAM貴很多。所以SRAM只能用於CPU內部的壹級緩存和PC平臺上內置的二級緩存。而我們所說的“系統內存”應該用DRAM。由於SRAM的高成本，其發展受到了嚴重的限制。目前只有少數網絡服務器和路由器使用SRAM。DRAM的應用比SRAM廣泛得多。DRAM的結構比SRAM簡單得多，內部僅由壹個MOS管和壹個電容組成。所以DRAM在集成度、生產成本、體積等方面都比SRAM有優勢。目前，隨著PC的不斷發展，我們對系統內存的要求越來越高。隨著WindowsXP的推出，軟件對內存的依賴更加明顯:在Windows XP中，專業版至少需要180MB的內存，但在實際使用中，128MB就能保證系統的正常運行。所以隨著PC的發展，內存的容量會不斷擴大，速度會不斷提高。好了，我們來說說記憶的速度。我們選擇內存的速度取決於CPU的前端總線。比如妳用P4A，不需要DDR400就能滿足3.2G帶寬的需求，因為P4A的前端總線是400MHZ，普通DDR266能提供2。1GB帶寬，這種內存適合ATHLONXP低頻和duron等低端配置。已經不在主流市場了。DDR333可以為AMD166MHZ外頻提供2.7GB內存帶寬的巴頓處理器。而DDR400內存和DDR433 DDR450內存將能夠提供3.2GB以上的內存帶寬，主要用於英特爾的高端P4P4P4E和ATHLON64。當然，以上只是能夠滿足硬件系統的最低要求。由於p4前端總線的改進，內存和CPU之間的瓶頸問題變得非常嚴重，新的內部通道技術勢必會出現。比如我們後面會簡單介紹雙通道DDR以及未來的DDR內存。當然，如果妳有壹個像Duron 1.6G，Athlon XP 1800+(b 01.5V低壓版)，P41.8A，AthlonXP2000+，P42.4C Barton 2500+這些CPU潛力最好的內存，那麽我推薦妳買壹個性能級別更高的內存，比如Athlon2000+配DDR333，這樣壹來，在WINXP系統的實際應用中，我們提出了壹個內存容量>內存速度>內存類型的非標準公式，也就是說即使SD256M內存也比128M的DDR400系統快。在選購內存時，我們建議XP系統配備384M以上的內存，以保證系統的快速運行。先說內存的品牌差異。熟悉電腦的朋友都知道，我們經常用的內存品牌有:海盜船Kingsotne Kingmax，宇展南高科三星HY雜牌用的粒子數是EACH和KingsMAN KingRAM。海盜船的內存主要用於服務器。我們買電腦的時候推薦金士通的VALUERAM盒裝內存和宇展盒裝內存(推薦英飛淩顆粒)，提供內存終身保修。妳可以放心使用它們。如果資金不是很充裕，建議買HY的內存。實踐證明，HY的內存兼容性在所有內存中首屈壹指。但是HY的記憶中充斥著假貨，下面會提到制假售假的方法。如果妳想買HY的內存，那麽我建議妳壹定要買瑞格代理或者金霞代理的盒裝正品。想便宜的選擇散裝條子，就要考考眼力了。基本上不建議妳買名牌內存，使用壽命和質量保證都差強人意。最後，不推薦Kingmax內存，因為它和某些主板的兼容性不是很好，但是它本身的質量和性能絕對壹流。我們希望妳買的時候壹定要試試，看看有沒有兼容性問題。再來說說同品牌內存的選購。我來解釋壹下壹些品牌內存顆粒數的含義:HY XX XX XX XX XX XX XX-XX 1 234 5678 9 10 11？12這是市面上流行的現代內存的標簽。相應位置的1:不用我說，當然是HY生產的粒子。2.內存芯片類型:5D:DDR SDRAM 3:工藝和工作電壓v: CMOS、3.3V U: CMOS、2.5V 4:芯片容量和刷新率:64 :64m、4kref 66 :64m、2kref 28 :128m、4kref 56 :256m、8kref 12 :512m、8kref 5:芯片結構(數據寬度)4: x4(數據寬度4bit，下同)8F :FBGA 11:工作速度:33:300 NHZ 4:250 MHz 43:233 MHz 45:222 MHz 5:200 MHz 55:183 MHz K:DDR 266 a H:DDR 266 b L:DDR 200我們再來看看Kingstone。kvr * * * x * * c */* * 123456781。Kvr代表金士頓值RAM 2。外部頻率速度3。壹般是X 4.64，表示沒有ECC；72代表ECC5。筆記本專用內存有個S字符，普通臺式機或服務器內存沒有S字符6.3:CAS = 3；2.5:CAS = 2.5；2.CAS = 27。分離器8。內存容量我們以金士頓的ValueRAM DDR的內存號為例:ValueRAM KVR400X64C25/256為內存。金士頓ValueRAM外頻400MHZ CAS=2.5 256M無ECC校驗的內存我覺得通過上面的方法大家更方便的了解和選購內存。接下來我會強調壹些關於內存的常見問題:1。單面雙面記憶和單排雙排有什麽區別？單面存儲器和雙面存儲器的區別在於，單面存儲器的存儲芯片都在同壹面，而雙面存儲器的存儲芯片分布在兩面。單銀行和雙銀行的區別是不壹樣的。Bank在物理上理解為從北橋芯片到內存的通道，每個通道通常是64bit。主板的性能主要取決於它的芯片組。不同的芯片組支持不同的銀行。比如Intel 82845系列芯片組支持4個bank，而SiS 645系列芯片組可以支持6個bank。如果主板只支持四個銀行，但我們用六個銀行，多出來的兩個銀行就白白浪費了。雙面不壹定是雙排，也可以是單排，這點要註意。2.內存的2-2-3通常是什麽意思？這些電腦硬件文章中經常出現的參數是主板BIOS中內存參數的設置。壹般來說，2-2-3依次指tRP(行預充電時間)、tRCD(RAS到CAS延遲時間)、CL(CAS延遲時間)。TRP是RAS cas潛伏期，數值越小越好；TRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好；CL(CAS Latency)是CAS的延遲時間，是垂直尋址脈沖的反應時間，也是衡量某壹頻率下支持不同規格的存儲器的重要標誌之壹。3.內存雙通道技術和單通道技術有什麽區別？什麽是雙通道DDR技術？需要說明的是，並不是我前面說的D D R I，而是壹種可以讓兩個D R內存* * *壹起使用，並行傳輸數據的技術。雙通道DDR技術的優勢在於可以讓內存帶寬翻倍，這壹點對於P 4處理器來說不言而喻。400M H z前端總線的P 4 A處理器與主板之間的數據傳輸帶寬為3.2G B /s，533 M Hz前端總線的P4B處理器為4.3G B/s，P4C處理器為800MHZ前端總線，需要6。4 G內存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規格之外，沒有滿足處理器需求的內存，我們最常用的DDR333本身也只有2.7Gb/s的帶寬..DDR400只能提供3.2G /s的帶寬。換句話說，如果我們構建壹個雙通道DDR400內存，理論上它將提供兩倍於DDR400的帶寬。這將從根本上解決CPU和內存之間的瓶頸問題。4.現在的DDR-ⅱ和DDR內存有什麽區別？DDR-II內存是相對於目前主流的DDR-I內存，它們的工作時鐘預計是400MHz或者更高。主流內存市場會直接從現在的DDR-333產品過渡到DDR-II。DDR-II內存將采用0.13微米工藝，容量為18MB/36MB/72MB，最大288MB。字節結構為X8，X18，X36，讀取響應時間為2.5個時鐘周期(此段因搜狐限制無法發送)。最後，我將提供以下信息。(以下文字未經內存廠商證實，僅為作者長期經驗積累，不承擔相應法律責任。特此聲明，目前的假內存主要集中在HY普通條和壹些大規模內存(比如這幾天鬧得沸沸揚揚的Kingmax)。其中，大廠的記憶棒相對容易識別。壹般來說，大廠盒裝的正品內存都含有它的內存顆粒或者PCB上會有廠家的激光防偽標簽。內存標簽清晰，字體規範，Kingmax等品牌的內存也有800免費防偽咨詢電話。現場打電話就能看出記憶的真實性。因為大廠商的內存價格比較透明，所以妳買內存的時候只要不想便宜，應該可以買到正版的大廠商的內存。現在最難鑒定的是HY的記憶。據筆者調查，市面上HY的批量內存50%以上都是假貨，但假貨也是分等級的。有“良心”的假貨，就是我們通常所說的高論。最常見的就是用有機溶劑清洗HY的記憶顆粒表面，然後標註記憶性能較高的數字。比如將DDR266的內存打磨成DDR333的內存出售或者打磨成Kingstone、Kingmax等大廠的內存出售，以此謀取利益。這種內存在容量上是沒有問題的，但是因為壹般都是超標準頻率使用，必然會導致系統不穩定。這種記憶壹般很容易分辨。只要用手摩擦壹下記憶顆粒的表面，用指甲刮壹下，就可以輕松去除表面的字跡，從而辨別真假。但是，壹些聰明的造假者對內存的表面進行了特殊處理，讓妳無法輕易抹去字跡。對於這種記憶，就要考驗妳的眼力了。壹般來說，真正的記憶筆跡是用激光印在記憶顆粒上的，會在記憶顆粒上留下痕跡。打磨記憶的奸商必然會掩蓋這些痕跡。好像字體沒那麽規範，字的大小也不是很壹致。字體的邊角不夠光滑。識別相似記憶需要壹些被殺很久的老鳥。接下來我給大家講壹個最惡毒的造假方法，就是本文開頭提到的“油條”。我簡單說壹下制作這種記憶的“過程”。這種記憶主要生長在中國南方省份，尤其是深圳。首先，無良奸商以極低的價格(1000元壹噸)從國外購買洋垃圾，或者幾乎不花任何成本在中國市場購買燒毀或損壞的內存條，將這些內存放在壹個大油鍋裏，去掉焊錫，去掉焊點和內存表面的字跡。然後用香蕉水(劇毒，有強烈的刺鼻氣味)進行清洗。然後，挑出同樣的芯片再次焊接在PCB上，再標上內存號出售。這樣的壹千塊內存，以256M為例，購買價格也不過120元左右。可以說是相當劃算，從而成為無良奸商手中的“極品”牟取暴利。這種內存可以說是既沒有性能，也沒有穩定性。但是，我們不得不佩服中國人的造假手段。他們把這種內存做的和HY內存壹模壹樣，只是內存PCB的顏色看起來有點不均勻。不過這種記憶基本上是很容易分辨的。買內存的時候不要只看內存的表面字跡。妳要註意，內存粒子右下角的內存號壹般都是數字，比如56787。這種記憶被大量處理。壹般妳會發現壹個內存中有兩種或兩種以上的內存粒子。只要抓住這壹點，基本上就能鑒別出這個假記憶。此外，我們還能聞到記憶的味道。會有壹些回味(香蕉水的味道)。最後，我勸妳在購買內存的過程中，不要貪圖幾十塊錢的小便宜，這會給妳的系統帶來不穩定，甚至導致整機故障。希望通過這篇文章，能對妳選購內存有所幫助。希望大家都能買到性能穩定的壹流內存。不同品牌的內存有不同的看法。我收集了壹些常見品牌的內存讀取方法供參考:DDR SDRAM: HYNIX DDR SDRAM，顆粒數:Hyxx XX XX XX XX XX XX XX-XX x 12345678 9 1011112-6543。8+03 14整個DDR SDRAM顆粒的序列號，壹個* *由14組數字或字母組成，分別代表內存的壹個重要參數。了解他們就相當於了解現代記憶。粒子數解釋如下:1。HY是HYNIX的縮寫，意思是粒子是現代產物。2.內存芯片類型:(5D=DDR SDRAM) 3..加工工藝和電源:(v:vdd = 3.3v &；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 1.8V；VDD = 1.8V & amp；VDDQ = 1.8V) 4。芯片容量密度和刷新率:(64: 64M4K刷新；66: 64m2k刷新；28: 128m4k刷新；56: 256 m8k刷新；57: 256 m4k刷新；12: 512M8k刷新；1g: 1g8k刷新)5。內存芯片結構:(4 = 4個芯片；8 = 8個芯片；16 = 16個芯片；32 = 32個芯片)6。內存條(存儲位):(1 = 2條；2=4銀行；3 = 8銀行)7。接口類型:(1 = SSTL _ 3；2 = SSTL _ 2；3 = sstl _ 18) 8。內核代碼:(空白=第65438代+0；A=第二代；B=第三代；c = 4代)9。能耗:(空白=普通；L=低功耗型)10。封裝類型:(t = tsopq = LOFP；f = FBGA；FC = FBGA(UTC:8x 13毫米))11。包棧:(空白=正常；s =海力士；K = M & ampt；J =其他；M=MCP(海力士)；Mu = MU= MCP(UTC)) 12。+02.包裝材料:(空白=普通；P=鉛；H =鹵素；R=鉛+鹵素)13。速度:(D43 = DDR 400 3-3-3；D4 = DDR 400 3-4-4；J = DDR333m = DDR 333 2-2-2；K = DDR266AH = DDR266BL = DDR 200) 14。工作溫度:(I=工業常溫(-40-85度)；E=膨脹溫度(-25-85度))由以上14標註。不難發現，其實最後我們只需要記住數字2、3、6、13的實際含義，就可以很容易的識別出使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品。尤其是13這個數字，它會明確的告訴消費者這個內存的實際最高工作狀態是什麽。如果壹個消費者買了壹個這裏顯示為L的產品(也就是只支持DDR200)，註意:有些代碼沒那麽長，但是基本數字還是有幾個的。LGS的記憶可以說是目前市場上看到最多的，所以LGS應該排在第壹位。LGS的內存編碼規則是:GM 72 x xx x xx x xx xx 1 2345 678 9 1 11定義:1，GM代表LGS公司。2和72代表SDRAM。3.v代表3V電壓。4.存儲單元容量和刷新單元:其中:16: 16m，4K刷新；17: 16m，2K刷新；28: 128m，4K刷新；64: 64M，16K刷新。65: 64m，8K刷新；66分64秒，4K刷新。5.數據帶寬:4: 4位，8: 8位，16: 16位，32: 32位。6.芯片構成:1: 1 Band，2: 2:2BANK，4: 4:4BANK，8: 8:8BANK 7，I/O接口:壹般為1 8，產品系列:從A到F. 9 .功耗:空白正常，L為低功耗10，封裝方式:T(TSOP) 11，速度:8: 8:8NS，7K: 10 ns (Cl2)，7J (10)。3)、10K(10n s[15 ns]，PC66)、12(12NS，83HZ)、15(15NS，66HZ)。HY的編碼規則:HY 5x XXX XX XX XX-XX XX 1 2345 678 9 1 1定義:1，HY代表現代。2，壹般57，代表SDRAM。3、工藝:空白是5V，V是3V。4.內存單位容量和刷新單位:16: 16M4K刷新；64: 64m，8K刷新；65: 64m，4K刷新；128: 128m，8K刷新；129:128m 4K刷新。5.數據帶寬:40: 4位，80: 8位，16: 16位，32: 32位。6.籌碼構成:1:2:4 bank；，2: 4銀行；3:8銀行；7.I/O接口:壹般0 8。產品線:來自A-D系列9。電量:空白正常，L為低功耗。10，封裝:TC(TSOP) 11，速度:7: 7:7NS，8: 8:8NS，10p:10 ns(Cl2 &；3)，10s: 10ns，(PC100，CL3)，10: 10ns，12: 12NS+02ns，15: 6552。三星的logo不太好讀，而且三星的產品線比較齊全，所以品種比較多，僅供普通SDRAM參考。SEC編碼規則:KM 4xxx sx0xt-x 1234567 89 1011，km代表SEC三星，這裏的編碼壹般為4。2.數據帶寬:4: 4位，8: 8位，16: 16位，32: 32位。3，壹般是S 4，這個數乘以S前面的位數就是內存的容量。5，壹般0.6，芯片組成:2: 2:2BANK，3: 4 Bank 7，I/O接口:壹般0.8，版本號9，封裝方式:壹般T: TSOP 10，功耗:F低功耗，G普通11，速度:7。3)，L:10NS(CL3)，10:10NS .4.MT(美光紅星美凱龍)紅星美凱龍是美國著名的電腦制造商，同時也是電腦設備制造商。其內存產品在全美都很有名，被機器廣泛使用。紅星美凱龍內存質量過硬，但價格略高於韓國產品。Mt 48 XX XX M XX AXTG-XX X 123456789 101，MT代表紅星美凱龍美光2，48代表SDRAM。3，壹般LC:普通SDRAM 4，這個數乘以m後的位數就是容量。5，壹般是M 6，位寬:4: 4位，8: 8位，16: 16位，32: 32位7，AX代表寫恢復(twr)，A2代表twr=2clk 8，TG代表TSOP打包模式。9.速度:7: 7:7NS，75: 7.5 ns，8x: 8 ns(其中X從A到E:讀取周期為333，323，322，222，222，所以D和E更好)，10: 10ns65438。5.日立日立是日本著名的微電子制造商。雖然它的內存在市場上不算大，但是質量還是不錯的！HM 52 XXX 5 xxxt-xx 1 23456789 1，HM代表日立。2，52代表SDRAM，5 1代表EDO 3，容量4，位寬:40: 4，80: 8，16: 16，bit 5，壹般為5 6，產品系列:A-F 7，功耗:L為低功耗，空白為普通8。3)，B60: 10 ns (CL3) 6。西門子西門子是德國最大的工業公司，產品通用。西門子的電子產品也是歐洲最大的品牌之壹(另壹個是飛利浦)。西門子的內存產品多為臺灣省代工，產品質量還不錯。HYB 39S XX XX XX TX-x 1 23456789 1，HYB代表西門子2，39S代表SDRAM 3，容量4，位寬:40: 4位，80: 8位，1 6: 16位5，壹般0 6，產品系列7，壹般T 8，L為低功耗，空白為普通9，速度:6: 6:6NS，7: 7:7NS，7.510: 10NS+00ns七。富士通富士通是日本專業的計算機和外部設備制造商。其內存產品主要供應給OEM廠商，市場上零售產品很少。MB81x xxxxx x2x-xxxxfn 123456789 1，MB 81代表富士通的SDRAM 2和PC100的標準，常用內存為1 3，容量為4，位寬為4位。16: 16位，32: 32位5。芯片構成:22: 22:2BANK，42: 42:4BANK 6。產品系列7。速度:60: 6 ns，70: 7 ns，80: 8 ns，102: 65438+。3)、103: 10ns (CL3)、100: 10ns、84: 12NS、67: 15ns八。東芝東芝是日本著名的電器制造商。市面上很少見到東芝的內存產品。Tc59S xx xx ft x-xx 1 2345678 1，Tc代表東芝2，59S代表普通SDRAM 3，容量:64: 64mbit，128:128MBIT 4，位寬:04: 4位，08: 8位，16: 16位，32: 32位5。產品系列:A-B 6，FT為TSOP包模式7，空白為普通，L為低功耗8，速度；75:7.5納秒，80:8納秒，10:10納秒(cl3) 9。三菱(MITSUBISHI)三菱是日本的壹家汽車制造公司。因為多元化發展，在it行業和家電行業也有產品。三菱的微集成電路技術與眾不同，所以也因為速度快而在內存領域占據壹席之地。普通SDRAM在市場上很少見，因為比較貴。M2 v xx s x0xtp-xx x 1 234 56789 1 1，M2代表三菱產品2，I/O接口。壹般是V 3，容量4，S的意思是SDRAM 5，位寬:2: 4，3: 8，4: 16，bit 6，壹般是0 7，產品系列8，TP代表TSOP包9，速度:8 a: 8 ns，7: 10 ns (Cl2 & 3)，8:10NS(CL3)，10:10NS .10，空白是正常，L是低消費。
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