euv和duv的區別:
1，處理範圍不壹樣。Duv:基本上只能做到25nm。英特爾憑借雙級模式已經做到了10nm，但10nm以下是達不到的。Euv:可滿足10nm以下晶圓制造要求，可擴展至5nm、3nm。
2.發光原理不同。Duv:光源為準分子激光，光源波長可達193 nm。Euv:激光激發等離子體發射EUV光子，光源波長為13.5 nm。
3.光路系統不壹樣。Duv:主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影鏡頭和晶圓之間填充去離子水，使193nm的光波相當於134nm。Euv:利用光的反射原理，內部必須在真空中操作。
極紫外光刻，通常稱為EUV光刻，是壹種以波長為10-14 nm的極紫外光為光源的光刻技術。具體地，使用波長為13.4nm的紫外線。極紫外(EUV)是指紫外線管的K極需要通電，然後發出紫外線。
掩模對準器簡介
光刻機又稱掩模對準曝光機、曝光系統和光刻系統，是制造芯片的核心設備。它使用類似於照片印刷的技術，通過曝光將掩模上的精細圖案印刷到矽片上。
高精度對準系統的制造需要近乎完美的精密機械技術，這也是國產光刻機無法企及的技術難點之壹。很多美國德國品牌的光刻機都有專門的專利機械技術設計。比如mycon &；q光刻機采用全氣動軸承設計專利技術，有效避免軸承機械摩擦帶來的工藝誤差。