壹般的光刻工藝都要經歷矽片表面清洗幹燥、底部塗覆、旋塗光刻膠、軟烤、對準曝光、後烤、顯影、硬烤、刻蝕等過程。
光刻就是用光制作圖案(工藝)；
在矽片表面塗膠，然後將掩膜版上的圖案轉移到光刻膠上，將器件或電路結構暫時“復制”到矽片上的工藝。
高端投影光刻機分為步進投影和掃描投影光刻機兩種。分辨率通常在幾十納米到幾微米之間。高端光刻機被稱為世界上最精密的儀器，全球有7000萬美元的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學產業之花，其制造難度之大，全球只有少數幾家公司能夠制造。國外品牌主要是荷蘭的阿斯麥(鏡頭來自德國)、日本的尼康(高端光刻機，英特爾曾經從它手裏買過尼康)和日本的佳能。
位於中國上海的SMEE公司開發了具有自主知識產權的投影式中檔光刻機，形成了產品系列，初步實現了國內外銷售。目前，其他系列產品正在開發生產中。
用於生產線和R&D的低端光刻機是接近式和接觸式光刻機，分辨率通常在幾微米以上。主要有德國sus，美國MYCRO NXQ4006，中國品牌。
光刻機按照操作的簡單程度壹般分為三種，手動、半自動和全自動。
a手動:指對準的調整方式，即通過手動調整旋鈕改變其X軸、Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知低；
b半自動:是指通過電軸可以根據CCD進行定位和調準；
c自動:指從基板上傳下載，曝光時長和周期由程序控制。自動光刻機主要滿足工廠對處理能力的需求，恩克優的NXQ8000系列壹小時可以處理上百片晶圓。
紫外光源編輯
曝光系統的核心部件之壹是紫外光源。
常見的光源分為:
紫外線(UV)，G射線:436納米；I線:365納米
深紫外(DUV)，KrF準分子激光:248納米，ArF準分子激光:193納米。
極紫外(EUV)，10 ~ 15納米
對光源系統的要求
A.它有壹個合適的波長。波長越短，可以曝光的特征尺寸越小；波長越短，光刻的邊緣越尖銳，刻蝕時對精度控制的要求就越高，因為衍射現象會更嚴重。]
B.有足夠的能量。能量越大，曝光時間越短；
C.曝光能量必須均勻分布在曝光區域。【壹般用光的均勻性或不均勻光的平行性的概念來衡量光是否均勻分布】
常用的紫外光源是高壓弧光燈(高壓汞燈)，有很多尖銳的譜線，濾波後用G線(436 nm)或I線(365 nm)。
準分子激光器可用於波長較短的深紫外光源。比如KrF準分子激光器(248 nm)、ArF準分子激光器(193 nm)和F2準分子激光器(157 nm)等等。
曝光系統的功能主要包括:平滑衍射效果、實現均勻照明、濾波和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。
對齊系統編輯
高精度對準系統的制造需要近乎完美的精密機械工藝，這也是國產光刻機所能匹配的技術難點之壹。很多美國德國品牌的光刻機都有專門的專利機械工藝設計。比如mycon &；q光刻機采用全氣動軸承設計專利技術，有效避免軸承機械摩擦帶來的工藝誤差。
對準系統的另壹個技術問題是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡的視野，很多高端光刻機都采用了LED照明。
有兩套帶聚焦功能的對準系統。主要是1對顯微鏡主體、目鏡和物鏡采用雙目雙視場對準(光刻機通常提供不同放大率的目鏡和物鏡供用戶組合使用)。
CCD對準系統的作用是放大掩模和樣品的對準標記，並在監視器上成像。
顧名思義，工件臺是放置工件的平臺，光刻工藝中最重要的工件就是掩膜版和襯底。
工作臺是光刻機的關鍵部件，由掩模樣品移動臺(XY)、掩模樣品相對移動臺(XY)、旋轉臺、樣品調平機構、樣品聚焦機構、晶片承載臺、掩模夾具和繪圖掩模臺組成。
其中，樣品調平機構包括球座和半球。調平過程中，首先向球座和半球中通入加壓空氣，然後通過調焦手輪向上移動球座、半球和樣品，使樣品緊靠掩模調平樣品，然後二位三通電磁閥切換到真空，鎖緊球座和半球，保持調平狀態。
樣品聚焦機構由聚焦手輪、杠桿機構和上升直線導軌等組成。在調平上升過程中，初始焦點是聚焦的，調平完成後，樣品和掩膜之間會產生壹定的間隙，所以需要對焦點進行微調。另壹方面，調平後需要分出壹定的對準間隙，對焦點進行微調。
掩模臺主要用於快速裝卸，由燕尾導軌、定位擋塊和鎖緊手輪組成。
根據不同的樣品和掩模尺寸來設計晶片臺和掩模支架。
5績效指數編輯
光刻機的主要性能指標有:支持襯底的尺寸範圍、分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。
分辨率是對光刻所能達到的最細線精度的描述。
光刻的分辨率受到光源衍射的限制，因此受到光源、光刻系統、光刻膠和工藝的限制。
對準精度是多層曝光期間層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近、投影和直寫。
曝光光源的波長有紫外、深紫外、極紫外，光源有汞燈、準分子激光器等。
6曝光編輯
A.接觸印刷:掩模板與光刻膠層直接接觸。曝光圖形的分辨率與掩模板上圖形的分辨率相當，設備簡單。根據施力方式的不同，接觸類型可分為軟接觸、硬接觸和真空接觸。
1.軟接觸是基片被托盤吸附(類似於旋塗機中的基片放置方式)，掩膜覆蓋在基片上；
2.硬接觸是基片被氣壓(氮氣)向上推，使其與掩膜接觸；
3.真空接觸是在掩模和基底之間抽空氣，使它們更好地配合(想想對被子抽真空的方式)
軟<硬<真空接觸越緊密，分辨率越高。當然，真空接觸越緊密，對掩膜和材料的損傷越大。
缺點:光刻膠汙染掩模板；掩模板磨損易損壞，使用壽命很低(只能使用5 ~ 25次)；容易積累缺陷；20世紀70年代，工業級接觸暴露法已逐漸被淘汰。國產光刻機采用接觸式曝光，光刻機中的開發機構無法提供工藝要求更高的非接觸式曝光的產品。
b .近貼印刷:掩模板與光刻膠襯底層之間有微小間隙，間隙約為0 ~ 200μ m..可以有效避免掩模板與光刻膠直接接觸造成的損傷，使得掩模和光刻膠襯底可以長時間使用；該掩模使用壽命長(可提高10倍以上)，圖形缺陷少。在現代平版印刷術中，最廣泛使用的是鄰近法。
C.投影印刷:通過使用光學系統收集掩模板和光刻膠之間的光來實現曝光。通常，掩模的尺寸將是要轉移的圖案的4倍。優點:分辨率提高；掩模板更容易制造；減少了缺陷對掩模板的影響。
投影曝光分類:
掃描項目打印。70年代末至80年代初，> 1μ m過程；掩模板1: 1，全尺寸；
步進-重復項目印刷(或稱為步進器)。從1980年代末到1990年代，它從0.35微米(iline)到0.25微米(duv)不等。掩模的縮小比例為(4: 1)，曝光視場)22×22mm(壹次曝光可以覆蓋的面積)。並且增加了棱鏡系統的制造難度。
掃描步進工程印刷。從90年代末至今，壹直用於≤ 0.18μ m的工藝中..使用6英寸的掩模以4: 1的比例曝光，曝光場為26×33毫米。優點:每次曝光視野增大；為矽晶片不平坦表面提供補償；提高了整個矽片的尺寸均勻性。但同時，由於反向運動的需要，對機械系統的精度要求提高。