1839 A.E .貝克勒爾發現，當光落在浸在電介質液體中的兩個金屬電極上時，它們之間會產生電勢，這種電勢後來被稱為光伏效應。在1873中，W .史密斯和Ch .馬耶發現了硒的光電導效應。1887赫茲發現了外光電效應。基於外光電效應的光電管和光電倍增管是真空管或離子管器件，在50、60年代得到廣泛應用，在某些場合仍繼續使用。雖然T.W. Case早在1919就獲得了硫化鉈光電導探測器的專利權，但半導體光敏元件在60年代以後隨著半導體技術的發展才開始迅速發展。在此期間，各種光電材料得到了全面的研究和廣泛的應用。它們的結構有單晶和多晶薄膜，還有非晶，成分有元素半導體和化合物半導體，還有混晶。最重要的兩種是矽和碲鎘汞。矽原料豐富，技術成熟，是制造從近紅外到紫外波段光電器件的優良材料。碲鎘汞是碲化汞和碲化鎘的混合晶體，是壹種優良的紅外感光材料。通過對光電效應和器件原理的研究，多種光電器件(如光敏電阻、光電二極管、光電晶體管、場效應光電池、雪崩光電二極管、電荷耦合器件等。)已經開發出來，適用於不同的場合。隨著薄膜技術、平面技術和大規模集成電路技術的發展，光電傳感器的制造技術已經達到了很高的水平，產品的成本也大大降低。被稱為新壹代攝像器件的焦平面集成光敏陣列正在取代傳統的掃描攝像系統。光電換能器的最新發展方向是采用有機化學氣相沈積、分子束外延、單層生長、異質結等新技術。光電傳感器的應用領域已經擴展到紡織、造紙、印刷、醫療、環保等領域。紅外探測、輻射測量、光纖通信、自動控制等傳統應用領域的研究也取得了新的進展。例如，矽光電二極管的自校準技術為光輻射的絕對測量提供了壹種有前途的新方法。
上一篇:0593專利下一篇:花西子眉筆貴嗎