前兩代的芯片技術我們在很長壹段時間裏都很難突破的了，所以我們只能另辟蹊徑，開始在第三代芯片上進行研發，因為現在第三代芯片技術所有國家都尚未有進展，西方國家也更加不可能有能力對我們國家進行技術封鎖，我們進行研發的難度也就稍微小壹點，這是我們芯片領域實現超車的最好機會。
目前第三代芯片研究以碳化矽為主，我國走在前面的是合肥的相關企業和學術機構，因為其計劃著成為我們國家的第二大芯片基地，據了解合肥的中國 科技 大學與匈牙利的學者達成了初步的合作，實現了單個碳化矽雙空位色心電子自旋在室溫之下操控及讀出，這對於我們開發碳化矽成為半導體的材料有很大的幫助。
除了合肥相關企業和學術機構的研究，新能源 汽車 領域也在進行了嘗試，比亞迪在漢EV高性能四驅版上搭載上了碳化矽元件，這是比亞迪在碳化矽材料的首次嘗試，特斯拉也在最新的壹款車型上搭載了碳化矽的逆變器，隨著新能源 汽車 與碳化矽材料的不斷嘗試，我們未來將碳化矽應用到芯片材料商就更加有信心。
由於第三代芯片材料大部分用於光伏、新能源 汽車 以及是5G網絡等領域，而這些領域的市場又恰好在中國，所以說未來中國會是碳化矽材料最集中的地方，而這也是最有利於我們國家推進碳化矽研究的進度。
有網友就疑惑，為何第三代芯片材料是碳化矽呢？對於第三代芯片材料的要求是有矽的特性，同時還要滿足新出現設備的應用，相比於其他的材料碳化矽是最適合的。
碳化矽作為矽基的取代材料，既擁有矽的各種優勢，又填補了矽的劣勢，並且還具備抗高壓高溫，甚至是高頻的特點。特別值得壹提的是，在性能壹樣的情況下，碳化矽的尺寸更加的小，能量損失也會相比於矽膠晶圓小很多，這就使得碳化矽的工作效率高很多。
正是因為碳化矽的優勢遠遠大於第二代芯片材料，所以各個國家對於碳化矽的研究也就非常重視，如果碳化矽成功的被應用，將會使得芯片制造水平又高壹個臺階。
而在我們終於醒悟芯片技術非常重要的時候，西方國家開始對我們國家進行技術封鎖，甚至是不對我們國家提供芯片，就如19年的時候，華為因為5G網絡趕超美國，就被美國斷供芯片。而且我們國家希望向ARM購買壹臺光刻機，也遲遲得不到回應。
現在的芯片領域，可以說是被西方國家所壟斷，由於西方國家已經掌握了很多的第二代芯片材料的專利，我們想要繞開這些專利去突破十分困難，所以我們只能盡最大的可能在第三代芯片材料上突破，搶先在西方國家有專利之前，才有可能結束被技術封鎖的局面。
對於碳化矽的研究不僅僅是關乎芯片領域，更是關乎我們國家眾多行業的發展了，我們如果在第三代芯片材料上不能趕超其他國家，那麽我們將會繼續面臨技術封鎖的局面，未來我們在其他領域有所趕超也依然會被其他國家限制住，無法有大展身手之地。