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國產芯或將彎道超車,關鍵材料獲得新突破!比亞迪宣布“成果”

我們國家在芯片領域技術落後是現實問題,因為我們的芯片發展晚了西方國家很多年,當我們有能力去發展芯片技術的時候,西方國家的芯片技術已經甩了我們幾條街,並且西方國家為了限制我們的發展,對我們實行技術封鎖。隨著芯片在我們各行各業的發展中占據重要地位,芯片技術的突破刻不容緩。

前兩代的芯片技術我們在很長壹段時間裏都很難突破的了,所以我們只能另辟蹊徑,開始在第三代芯片上進行研發,因為現在第三代芯片技術所有國家都尚未有進展,西方國家也更加不可能有能力對我們國家進行技術封鎖,我們進行研發的難度也就稍微小壹點,這是我們芯片領域實現超車的最好機會。

目前第三代芯片研究以碳化矽為主,我國走在前面的是合肥的相關企業和學術機構,因為其計劃著成為我們國家的第二大芯片基地,據了解合肥的中國 科技 大學與匈牙利的學者達成了初步的合作,實現了單個碳化矽雙空位色心電子自旋在室溫之下操控及讀出,這對於我們開發碳化矽成為半導體的材料有很大的幫助。

除了合肥相關企業和學術機構的研究,新能源 汽車 領域也在進行了嘗試,比亞迪在漢EV高性能四驅版上搭載上了碳化矽元件,這是比亞迪在碳化矽材料的首次嘗試,特斯拉也在最新的壹款車型上搭載了碳化矽的逆變器,隨著新能源 汽車 與碳化矽材料的不斷嘗試,我們未來將碳化矽應用到芯片材料商就更加有信心。

由於第三代芯片材料大部分用於光伏、新能源 汽車 以及是5G網絡等領域,而這些領域的市場又恰好在中國,所以說未來中國會是碳化矽材料最集中的地方,而這也是最有利於我們國家推進碳化矽研究的進度。

有網友就疑惑,為何第三代芯片材料是碳化矽呢?對於第三代芯片材料的要求是有矽的特性,同時還要滿足新出現設備的應用,相比於其他的材料碳化矽是最適合的。

碳化矽作為矽基的取代材料,既擁有矽的各種優勢,又填補了矽的劣勢,並且還具備抗高壓高溫,甚至是高頻的特點。特別值得壹提的是,在性能壹樣的情況下,碳化矽的尺寸更加的小,能量損失也會相比於矽膠晶圓小很多,這就使得碳化矽的工作效率高很多。

正是因為碳化矽的優勢遠遠大於第二代芯片材料,所以各個國家對於碳化矽的研究也就非常重視,如果碳化矽成功的被應用,將會使得芯片制造水平又高壹個臺階。

而在我們終於醒悟芯片技術非常重要的時候,西方國家開始對我們國家進行技術封鎖,甚至是不對我們國家提供芯片,就如19年的時候,華為因為5G網絡趕超美國,就被美國斷供芯片。而且我們國家希望向ARM購買壹臺光刻機,也遲遲得不到回應。

現在的芯片領域,可以說是被西方國家所壟斷,由於西方國家已經掌握了很多的第二代芯片材料的專利,我們想要繞開這些專利去突破十分困難,所以我們只能盡最大的可能在第三代芯片材料上突破,搶先在西方國家有專利之前,才有可能結束被技術封鎖的局面。

對於碳化矽的研究不僅僅是關乎芯片領域,更是關乎我們國家眾多行業的發展了,我們如果在第三代芯片材料上不能趕超其他國家,那麽我們將會繼續面臨技術封鎖的局面,未來我們在其他領域有所趕超也依然會被其他國家限制住,無法有大展身手之地。

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