基本介紹中文名:蔣大川國籍:中國畢業院校:大連理工大學學位/學歷:博士工作經歷、教育經歷、研究領域、代表論文、工作成果、工作經歷:2014.06-至今大連理工大學材料科學與工程學院講師:2012.06-2014.06博士後教育經歷:2006.09-2012.06電子束熔煉制備太陽能級多晶矽技術研究:多晶矽定向提純技術的研究:碩士研究方向:太陽能級多晶矽冶金制造；太陽能級多晶矽材料的再生制造:代表論文1。蔣大川，任世強，雙石，魏東，邱傑山，，李嘉言:真空精煉和定向凝固技術去除矽中的磷，電子材料學報，48(2)(2014)314-319。2.，張磊，，蔣大川，，李亞瓊:用鈣鋁矽氟渣從多晶矽中除硼的研究，真空，103 (2014) 33-37。M. Noor ul Huda Khan Asghar，，史爽，蔣大川，秦世強，焦遼，溫樹濤，魏東，:用電子束熔化法從矽中去除氧，應用物理學A，115(3)(2014)753-757。4.，任世強，雙石，溫樹濤，江大川，魏東，明記，孫世海:真空感應熔煉定向凝固法去除多晶矽中鋁和鈣，真空，99 (2014) 272-276 .5.、秦世強、溫書濤、、雙石、蔣大川、龐大宇:電子束註入矽中除硼的新方法，半導體加工中的材料科學，18 (2014) 42-45。6.蔣大川，雙石，，龐大宇，魏東:鋁在電子束熔煉矽錠中的分布研究，真空，96 (2013) 27-31。7.覃逸，雙石，，蔣大川，魏東，任世強:冷卻速度對電子束熔煉矽錠凝固的影響，真空，89(2013)12-16。8.，舒濤文，雙石，蔣大川，魏東，:電子束熔煉提純矽工藝參數優化的數值模擬，真空，95 (2013) 18-24。9.史爽，魏東，，蔣大川，:電子束熔煉過程中矽熔體表面磷的蒸發和去除機理，應用表面科學，266(3) (2013) 344-349。10.舒濤文，，雙石，魏東，蔣大川，焦遼，:電子束熔煉過程中矽和銅坩堝表面的接觸熱阻，國際熱科學，74 (2013) 37-43。11.覃逸，，雙時，魏東，蔣大川:電子束熔煉除矽過程的研究，真空，93 (2013) 65-70。12.蔣大川，，雙石，魏東，鄭谷，鄒瑞勛:電子束蠟燭熔煉法去除矽熔體中的磷，材料通訊，78 (2012) 4-7。13.蔣大川，，雙石，魏東，鄭谷，:電子束蠟燭熔煉法去除太陽能電池用定向凝固矽中的蒸發金屬鋁和鈣，真空，86(10)(2012)1417-1422。14.蔣大川，，雙石，，魏東，鄭谷，鄒瑞勛:電子束燭熔法去除矽熔體中磷的新方法研究，材料研究創新，15(6)(2011)406-409。15.徐鵬，魏東，，蔣大川:用電子束熔煉法去除冶金級矽中的鋁，真空，86(4)(2011)471-475。16.王薔，魏東，，蔣大川，張聰，:冶金級矽在電子束熔煉過程中雜質的蒸發，稀有金屬，30(3) (2011) 274-277。工作成果項目:1。國家自然科學基金青年基金項目負責人“多晶矽定向凝固反向誘導彈簧效應研究”2。中國博士後科學基金項目負責人“多晶矽定向提純反向誘導彈簧技術研究”3。國家科技支撐計劃“冶金法制備太陽能級多晶矽關鍵技術研究及產業化示範”參與人員4名。國家自然科學基金聯合項目“冶金法制備太陽能級多晶矽中真空精煉的研究”國家參與者5。國家自然科學基金項目“多晶矽Si的電子束註入SiO2 _ 2界面雜質硼遷移影響的研究”參賽人員獲獎情況:1.2013 65438+2月遼寧省科技發明獎電子束制備太陽能多晶矽材料技術及應用二等獎2.2012 1.65438大連市科技發明獎電子束制備太陽能多晶矽壹等獎。技術和專利申請:1。* *婷、蔣大川、、任世強、、石爽。壹種底部補償硼元素的多晶矽鑄錠工藝，申請號:CN 201410123650.52。覃逸。江大川。壹種硼均勻分布的多晶矽鑄錠工藝，申請號:CN 201410123795.53。蔣大川，任世強，史爽，覃逸，邱潔珊。高純空心矽材料和多晶矽錠的真空固液分離方法及設備。申請號:CN201310209897.4 4。蔣大川，任世強，石爽，* * *婷，。壹種多晶矽的快速凝固方法，申請號:CN201310533033.8 5。覃逸。申請號:cn 201310210007.16。覃逸、蔣大川、石爽、文樹濤、鄒瑞勛。壹種電子束熔煉坩堝的輻射攔截裝置，申請號:CN201365438。* * * Ting。壹種多晶矽反向凝固的裝置及方法，申請號:CN201310530845.7 8。李嘉言、覃逸、李亞瓊、蔣大川、王登科、章雷。多晶矽介質熔煉除硼造渣劑及其使用方法，申請號:CN 2065438。李嘉言、王登科、章雷、蔣大川、李亞瓊。壹種用於多晶矽介質熔煉除硼的造渣劑及其使用方法，申請號:CN 201310337756.0 10。覃逸，史爽，任世強，蔣大川。多晶矽錠的真空固液分離。申請號:cn 201310210006.7 11。覃逸、李嘉言、章雷、李亞瓊、王登科、蔣大川。壹種熔化多晶矽介質的造渣劑及其使用方法，申請號:cn 201310337930.12。、蔣大川、石爽、廖蛟、石。壹種電子束熔煉制備鎢電極材料的方法，申請號:CN20121058。郭小亮。壹種電子束誘導定向凝固去除雜質的方法，申請號:CN 201210289971.3 14。、石爽、尤小剛、蔣大川、石。壹種稀土鎢電極材料的制備方法，申請號:cn 201210576414 . x 15。、劉應寬、盛、、石爽、劉震元、董偉、蔣大川。壹種高純矽襯底下電子束熔煉提純多晶矽的方法及設備，申請號:cn 201110220767.116。覃逸、蔣大川、董偉、郭小亮、鄭谷、龐大宇、史爽。真空感應熔煉去除矽粉中磷和金屬雜質的方法及設備，專利號:ZL 201110033792.9 17。覃逸、蔣大川、董偉、鄭谷、徐鵬。壹種從工業矽中去除硼的方法，專利號:ZL 201010242656。蔣大川，鄒瑞勛，董偉。壹種用電子束註入去除多晶矽中硼雜質的方法，專利號:ZL 201010242065.9 19。覃逸、鄒瑞勛、鄭谷、董偉、蔣大川。壹種電子束梯度熔化提純方法。專利號:ZL 201010247815.1 20。覃逸，董偉，江大川，李國斌。局部蒸發去除多晶矽中硼的方法及裝置，專利號:ZL 200910220058.6 21+。江大川。連續熔煉去除多晶矽中磷和硼的方法及裝置，專利號:ZL200910220059.0 22。覃逸、蔣大川、李國斌、徐福民、劉燕嬌、胡祖琪。壹種化學冶金提純多晶矽的方法，專利號:ZL 200810065438。李國斌，江大川，張聰。壹種去除多晶矽中雜質磷的方法及裝置，專利號:ZL 200810011949.624。覃逸、李國斌、蔣大川、徐福民、王強。去除多晶矽中雜質磷和金屬雜質的方法及裝置，專利號:ZL 2000。