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聯發科天機芯片分幾個檔次?

高端芯片

天脊1000L(MT6885Z)

制造工藝:采用臺積電7nm工藝。

內核數量:4個2.2GHz的A77內核+4個2.0GHz的A55內核

GPU: Mali-G77 MC7 695MHz .

最大支持的ROM和RAM規格為UFS2.1和LPDDR 4X(1866 MHz 4 * 16位)。

性能:Geekbench5單核675分,多核2700分。單核性能與麒麟985相比,處於同壹水平。多核性能略高於麒麟985,略低於驍龍855。

5G模式的實現:集成5G基帶(支持5G雙卡雙待)

天際820

制造工藝:采用臺積電7nm工藝。

內核數量:4個2.6GHz的A76內核+4個2.0GHz的A55內核

GPU: Mali-G57 MC5 900MHz .

最多支持ROM和RAM規格:UFS2.1和LPDDR 4X(2133 MHz 2 * 16位)。

性能:Geekbench5單核600分,多核1800分。橫向對比,單核性能與多核性能麒麟820、驍龍765G處於同壹水平。

5G模式的實現:集成5G基帶(支持5G雙卡雙待)

中檔芯片

天際800U

制造工藝:臺積電7納米工藝制造。

內核數量:2個2.4GHz的A76內核+6個2.0GHz的A55內核

GPU: Mali-G57 MC3 950MHz .

最大支持的ROM和RAM規格:UFS2.2和LPDDR 4X(2133 MHz 2 * 16位)。

性能:Geekbench5單核600分,多核1800分。橫向對比,橫向對比,單核性能與多核性能麒麟810、驍龍765G處於同壹水平。縱向對比,CPU性能與天機820基本壹致,天機820相比天機800U的提升主要在GPU,提升幅度在40%左右。

實現5G模式:集成5G基帶(支持5G雙卡雙待)。

天際800

制造工藝:臺積電7納米工藝制造。

內核數量:4個2.0GHz的A76內核+4個2.0GHz的A55內核

GPU:馬裏-G57 MC4 748兆赫.

最大支持的ROM和RAM規格為UFS2.1和LPDDR 4X(2133 MHz 2 * 16位)。

性能:Geekbench5單核成績520,多核成績2180。橫向對比,單核性能略低於麒麟810;多核性能略高於驍龍768G,略低於驍龍845。

實現5G模式:集成5G基帶(支持5G雙卡雙待)。

低端芯片

天際720

制造工藝:臺積電7納米工藝制造。

內核數量:2個2.0GHz的A76內核+6個2.0GHz的A55內核

GPU: Mali-G57 MC3 .

最大支持的ROM和RAM規格:UFS2.2和LPDDR 4X(2133 MHz 2 * 16位)。

性能:Geekbench5單核成績515,多核成績1650。橫向對比,單核性能與驍龍730G基本相同;多核性能與驍龍835、麒麟970處於同壹水平。

實現5G模式:集成5G基帶(支持5G雙卡雙待)。

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