30針反面30針正面
以下是壹些常見的內存參數:
Bit bit是內存中最小的單位，也叫“位”。它只有兩種狀態，分別用0和1表示。
字節，八個連續的位稱為壹個字節。
納秒
納秒是百分之壹秒。內存讀寫速度的單位，它前面的數字越小表示速度越快。
72pin前72pin後
72pin內存可以說是計算機發展史上的經典，也正是因為它的廉價和速度的大幅提升，為計算機的普及提供了堅實的基礎。因為用的人比較多，目前在市場上還是能買到的。
SIMM(單列直插式內存模塊)
單面接觸記憶模塊。它是5X86及其早期PC中常見的內存接口方法。486之前多采用30針SIMM接口，Pentuim中多采用72針SIMM接口，或者與DIMM接口類型並存。人們通常將72線SIMM內存模塊直接稱為72線內存。
錯誤檢查和糾正
錯誤檢查和糾正。類似於奇偶校驗，不僅可以檢測錯誤，還可以糾正大部分錯誤。也是通過在原始數據位上加位來實現的，這些多余的位用來重構錯誤的數據。只有在內存糾錯後，計算機操作指令才能繼續執行。當然，在糾錯方面系統的性能明顯下降。
擴展數據輸出內存
擴展數據輸出存儲器。這是美光公司的專利技術。有72線和168線，5V電壓，32bit帶寬，基本速度40ns以上。傳統的DRAM和FPM DRAM在訪問每壹位數據時都必須輸出行地址和列地址，並穩定壹段時間後才能讀寫有效數據，而下壹位的地址必須等待這個讀寫操作完成後才能輸出。EDO DRAM不必等待數據讀寫操作完成，只要指定的有效時間到達，就可以隨時輸出下壹個地址，從而縮短了訪問時間，比FPM DRAM提高了20%-30%的效率。它具有很高的性價比，因為它的訪問速度比FPM DRAM快15%，而價格只高出5%。因此成為中低檔奔騰主板的標準內存。
DIMM(雙列直插內存模塊)
雙面接觸記憶模塊。也就是說這類接口存儲器的插板兩側都有數據接口觸點。這種類型的接口存儲器在現代計算機中廣泛使用，通常是84針。因為是雙邊的，* * *有84×2=168行聯系，所以人們常把這種內存稱為168行內存。
PC133
同步突發RAM
同步突發存儲器。是168線，電壓3.3V，帶寬64bit，速度6ns。它是雙存儲體結構，即有兩個存儲陣列，其中壹個在CPU讀取數據時準備讀取，兩個自動相互切換，使訪問效率提高壹倍。並且RAM和CPU控制在同壹時鐘頻率，使RAM和CPU的外部頻率同步，取消了等待時間，因此其傳輸速率比EDO DRAM快13%。SDRAM采用銀行存儲結構和突發模式，可以傳輸壹整段數據，而不是壹段數據。
SDRAM ECC服務器專用內存
Rambus DRAM
它是美國RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技術基礎上開發的壹種存儲器。用於數據存儲的字長為16位，極速傳輸速率有望達到600MHz。流水線存儲結構支持交叉存取，同時執行四條指令。單從封裝形式來看，和DRAM沒什麽區別，但從發熱量來看，和100MHz的SDRAM大致相當。因為其圖形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前在高端顯卡上主要用作顯示內存。
直接RDRAM
它是RDRAM的擴展，使用相同的RSL，但接口寬度達到16位，頻率達到800MHz，效率更高。單次傳輸速率可達1.6GB/s，兩次傳輸速率可達3.2 GB/s。
評論:
30針和72針內存早已退出市場。現在市面上主流的內存是SDRAM，SDRAM的價格已經跌到谷底了。對於商家和廠家來說，利潤空間已經縮水到極限。誰願意做虧本的生意？而且，沒有必要。說到底，廠商或者商家總是在往“錢”的方向發展。
隨著INTEL和AMD的CPU生產的快速發展，以及各大板卡廠商的支持，RAMBUS和DDRAM也得到了更快的發展和普及。哪壹款會成為主流，哪壹款更適合用戶，市場最終會證明這壹切。
機器訪問存儲器是計算機的存儲部件，也被認為是反映集成電路技術水平的部件。在各種存儲器中，動態存儲器(DRAM)的存儲容量最大，應用也最廣泛。在過去的幾十年裏，它的存儲容量擴大了數千倍，訪問數據的速度提高了40多倍。存儲器集成度的提高是通過不斷縮小器件尺寸來實現的。尺寸的不斷縮小對集成電路的設計和制造技術提出了極其嚴格的要求。可以說，只有新壹代新技術才有壹代集成電路。
DRAM(動態隨機存取存儲器(DRAM ))使用由MOS存儲單元分配的電容器上的電荷來存儲數據位。因為電容電荷會泄漏，為了保持信息不丟失，DRAM需要定期刷新。因為這種結構的存儲單元需要較少的MOS晶體管，所以DRAM具有高集成度、低功耗和最低的每比特價格。DRAM壹般用於大容量系統。DRAM的發展方向有兩個，壹個是高集成度、大容量、低成本，壹個是高速化、專業化。
自從Intel推出第壹款1970 DRAM芯片以來，其存儲容量基本上每三年翻兩番。1995 65438+2月，韓國三星公司率先宣布采用0.1.6微米工藝，成功開發出集成度超過1億的1000M位高速(3lns)同步DRAM。這個領域的競爭非常激烈。為了解決巨額投資和市場風險的問題，世界各大半導體廠商紛紛聯手，形成了多個合作開發小組。
1996年，市場上主要產品是4M位DRAM芯片和16M位DRAM芯片；1997年以16M位DRAM芯片為主，1998年64M位DRAM芯片大量上市。64M DRAM的市場份額為52%；16M DRAM的市場份額為45%。6438+0999 64M DRAM的市場份額提升至78%，16M DRAM占比1%。128M DRAM已經普及，明年將出現256M DRAM。
高性能RISC微處理器的時鐘已經達到100 MHz ~ 700 MHz。在這種情況下，處理器需要越來越多的內存帶寬。為了滿足高速CPU組成高性能系統的需要，DRAM技術不斷發展。在市場需求的推動下，出現了壹系列新結構的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DR DRAM等。為了提高動態讀寫存儲器的訪問速度，采用不同技術實現的DRAM包括:
(1)快速頁面模式FPM DRAM
FPM(快速頁面模式)DRAM已經成為標準形式。壹般來說，DRAM存儲單元的讀寫是先選擇行地址，再選擇列地址。事實上，在大多數情況下，下壹個需要的數據是在當前讀取的數據的下壹個單元中，即其地址在同壹行的下壹列中。FPM DRAM可以通過保持相同的行地址來選擇不同的列地址，以實現連續的存儲器訪問。減少了建立行地址的延遲時間，提高了連續數據存取的速度。但當時鐘頻率高於33MHz時，由於沒有足夠的充電和保持時間，讀取的數據會不可靠。
(2)擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDO DRAM
EDODRAM(Extended Data Out DRAM)是在FPM技術的基礎上開發的壹種二級存儲器輸出緩沖單元，由RAM輸出端的壹組鎖存器組成，用於存儲數據並保持到數據被可靠讀取，從而延長數據輸出的有效時間。EDODRAM可以在50MHz時鐘下穩定工作。
由於在原有DRAM的基礎上集成成本增加很少的EDO邏輯電路，可以有效提高動態讀寫存儲器的性能，因此EDO DRAM在此之前已經成為動態讀寫存儲器設計的主流技術和基本形式。
(3)突發模式下的EDO DRAM
在EDO DRAM存儲器的基礎上，開發了壹種能提供更高有效帶寬的動態讀寫存儲器突發模式EDO DRAM(Burst EDO DRAM)。這種存儲器可以預測可能需要的四個數據地址，並自動預成形，將可以穩定工作的頻率提高到66MHz。
(4)同步動態讀寫存儲器SDRAM
SDRAM(Synchronous DRAM)就是通過同步控制接口上時鐘的操作，以及布置片內交錯突發地址發生器來提高存儲器的性能。它只需要壹個頭地址來訪問壹個存儲塊。所有輸入樣本，如輸出有效，都在同壹系統時鐘的上升沿。與CPU同步的時鐘頻率可高達66 MHz ~ 100 MHz。與普通DRAM相比，它增加了壹個可編程寄存器。使用SDRAM可以大大提高存儲芯片的速度和性能，系統設計人員可以根據處理器的要求靈活采用交錯或順序脈沖。
英飛淩科技(原西門子半導體)今年已經批量供應了256Mit SDRAM。其SDRAM采用0.2μm工藝生產，在100MHz的時鐘頻率下，輸出時間為100 ns。
(5)帶緩存的CDRAM。
CDRAM(緩存DRAM)是日本三菱電機株式會社開發的專有技術。樣品在1992中介紹。通過在DRAM芯片中集成壹定數量的高速SRAM作為緩存和同步控制接口，提高了存儲器的性能。該芯片采用+3.3V單電源和低壓TTL輸入和輸出電平。目前三菱公司提供的CDRAM為4Mb和16Mb，片內緩存為16KB。配合128位內部總線，可實現100MHz的數據存取。流水線訪問時間為7ns。
(6)增強型動態讀寫存儲器EDRAM(增強型DRAM)
Ramtron跨國公司推出的帶緩存的DRAM產品叫做增強型動態讀寫存儲器(e DRAM)，采用異步工作模式，單+5V電源，CMOS或TTL輸入輸出電平。通過采用改進的DRAM 0.76μm CMOS工藝和能夠降低寄生電容、提高晶體管增益的結構技術，其性能得到大幅提升，行訪問時間為35ns，讀寫訪問時間為65ns，頁寫周期時間為15ns。EDRAM還在片內DRAM存儲矩陣的列解碼器上集成了2K位15ns的靜態RAM緩存、寫後寄存器和另壹條控制線，並允許SRAM緩存和DRAM獨立工作。您可以壹次緩存壹行數據。它可以像標準DRAM壹樣以頁面或靜態列訪問方式操作任何存儲單元，訪問時間僅為15ns。當高速緩存未命中時，EDRAM將新行加載到高速緩存中，並輸出選定的存儲單元數據，這需要35ns。該存儲器的突發數據速率可達267兆字節/秒。
(7) RDRAM(Rambus DRAM)
Rambus DRAM是壹種新型的動態讀寫存儲器，它使用Rambus公司開發的壹種獨特的接口技術來代替頁面結構。該接口在處理器和DRAM之間使用特殊的9位低壓負載傳輸線，采用250MHz同步時鐘工作，是壹種字節寬度地址和數據復用的串行總線接口。這個接口也叫Rambus通道，嵌入在DRAM中形成Rambus DRAM，也可以嵌入在用戶定制的邏輯芯片或微處理器中。利用250MHz時鐘的兩個邊沿，可以使突發數據傳輸速率達到500MHz。在使用Rambus通道的系統中，每個芯片都有自己的控制器，用於處理地址解碼和頁面緩存管理。因此，壹個存儲器子系統的容量可以達到512k字節，並且它包含壹個總線控制器。不同容量的存儲器具有相同的引腳，並且連接到同壹組總線。Rambus公司開發了這種新型DRAM，但自己不生產，而是通過發放許可證的方式轉讓技術。獲得生產許可的半導體公司包括NEC、富士通、東芝、日立和LG。
下壹代的DRAM有三種新類型:雙數據速率同步動態讀寫存儲器(DDR SDRAM)、同步鏈動態讀寫存儲器(SLDRAM)和Rambus接口DRAM(RDRAM)。
(1) DDR DRAM(雙倍數據速率DRAM)
在同步動態讀寫存儲器SDRAM的基礎上，利用延遲鎖定環技術提供數據選通信號，精確定位數據，在時鐘脈沖的上升沿和下降沿都可以傳輸數據(而不是第壹代SDRAM只在時鐘脈沖的下降沿傳輸數據)，從而在不增加時鐘頻率的情況下將數據傳輸速率提高壹倍，所以稱為雙倍數據傳輸速率(DDR)DRAM，實際上就是第二代SDRAM。由於DDR DRAM需要新的高速時鐘同步電路和符合JEDEC標準的內存模塊，主板和芯片組成本較高，只能用於高端服務器和工作站，在中低端PC上可能價格無法接受。
(2)同步鏈接存儲器
這是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens共同制定的開放標準，由Mosaid Technologies委托。因此，SLDRAM是最有希望成為高速DRAM的開放工業標準的動態讀寫存儲器。它是在原有DDR DRAM的基礎上發展起來的壹種高速動態讀寫存儲器。它具有和DRDRAM壹樣高的數據傳輸速率，但低於其工作頻率；另外，這種存儲器的生產不需要支付專利費，使得制造成本更低，所以這種存儲器在市場上應該是有競爭優勢的。但是由於SLDRAM聯盟是壹個松散的聯合體，很多成員在科研經費的投入上很難協調壹致，而且Intel也不支持這個標準，所以這種動態存儲器很難形成氣候，比不上Intel公司支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用於通訊和消費電子產品、高端PC和服務器。
(3) DRDRAM(直接Rambus DRAM)
從1996開始，Rambus公司在Intel公司的支持下制定了新壹代的RDRAM標準，這就是DRDRAM(Direct RDRAM)。這是基於協議的DRAM。與傳統的DRAM不同，它的管腳定義會隨著命令而改變。同壹組引腳線可以定義為地址線或控制線。它的引腳數只有普通DRAM的三分之壹。當需要擴展芯片容量時，只需要改變命令，不需要增加硬件管腳。這個芯片可以支持400MHz的外接頻率，然後利用上升沿和下降沿兩次傳輸數據，可以使數據傳輸速率達到800MHz。同時，通過將數據輸出通道從8位擴展到16位，在100MHz時最大數據輸出速率可達1.6Gb/s。東芝在購買了Rambus的高速傳輸接口技術專利後，於9月首次推出72Mb RDRAM，1998，其中64Mb為數據存儲，另8Mb用於糾錯和校驗，大大提高了數據讀寫的可靠性。
英特爾公司舉行公開討論，堅決推薦DRDRAM作為下壹代高速存儲器的標準。目前英特爾公司已經投資了Micro、東芝、三星等公司建立的DRDRAM的生產線和測試線。其他很多廠商也在糾結。最近AMD宣布至少今年推出的K7微處理器不打算采用Rambus DRAM。據說IBM正在考慮放棄對Rambus的支持。目前市場也是64Mb DRAM，RDRAM比其他標準貴45美元。
可以看出，存儲器的發展趨勢是:大容量、高速度、多品種、多功能、低電壓、低功耗。
存儲器的工藝發展有以下趨勢:CHMOS工藝取代NMOS工藝降低功耗；減小器件尺寸，外圍電路仍采用ECL結構，提高存取速度和集成度；存儲電容由平面HI-C改為深溝槽，保證尺寸縮小後的電荷存儲能力，提高可靠性；在電路設計上，簡化外圍電路結構，註意降低噪聲，利用冗余技術提高質量和良率；工藝中采用了多種新技術；使DRAM的存儲容量穩步上升，為將來開發新的大容量電路打下基礎。
從電子計算機中的處理器和存儲器，我們可以看到ULSI的進步和幾十年來的巨大變化。