具體含義解釋:
例如:SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含義:
位1-芯片功能K代表內存芯片。
第2位-芯片類型4代表DRAM。
第三位——對芯片的進壹步類型描述，S代表SDRAM，H代表DDR，G代表SGRAM。
第4和第5位數字-容量和刷新率。同樣容量的內存會使用不同的刷新率和不同的數字。64、62、63、65、66、67和6A代表64Mbit的容量；28、27和2A代表128Mbit的容量；56、55、57和5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6位和第7位——數據線引腳數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64表示64位數據。
位11-連接“-”。
位14和15——芯片的速度，比如60就是6 ns70是7 ns7B為7.5 ns(cl = 3)；7C為7.5 ns(cl = 2)；80是8 ns10就是10ns(66MHz)。
知道了記憶顆粒編碼的主要數字的含義，拿到記憶棒後計算它的容量就非常容易了。比如壹個三星DDR內存，封裝了18個SAMSUNGK4H280838B -TCB0顆粒。粒數“28”的第4位和第5位代表該粒為128Mbits，第6位和第7位“08”代表該粒具有8位數據帶寬，因此我們可以計算出存儲體的容量為128Mbits(兆位)×16 chips /8bits=256MB(兆字節)。
註意:“bit”是“digit”，“b”是byte“byte”，如果壹個字節是8位，就除以8。關於內存容量的計算，本文給出的例子中有兩種情況:壹種是非ECC內存，每8個8位數據寬度的粒子可以組成壹個內存；另壹種ECC內存在每64位數據後添加壹個8位ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測到存儲器數據中的兩個錯誤，並且可以糾正壹個錯誤。因此，在實際容量計算的過程中，不計算奇偶校驗位，具有ECC功能的18個粒子的存儲體的實際容量乘以16。購買時也可以確定18或9內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。
海力士(現代)
“8”是內存芯片結構，表示內存由8個芯片組成。(4=4個芯片；8=8個芯片；16=16個芯片；32=32個芯片)
“2”指的是記憶的銀行。(1=2銀行；2=4銀行；3=8個銀行)
“2”表示接口類型為SSTL_2。(1 = SSTL _ 3；2 = SSTL _ 2；3=SSTL_18)
“B”是第三代的核心代碼。(空白= 65438代+0；A=第二代；B=第三代；C=第四代)
能耗，空白代表普通；l代表低功耗型，這個記憶棒的能耗碼是空的，所以是普通型。
包裝類型用“t”表示，即TSOP包裝。(T = TSOP；q = LOFP；f = FBGA；FC=FBGA)
包棧，空白=正常；s =海力士；K = M & ampt；J=其他；M=MCP(海力士)；MU=MCP(UTC)，上面的內存是空白的，代表壹個常見的包棧。
包裝原料，空白=普通；P=鉛；H =鹵素；R=鉛+鹵素。存儲器由普通包裝材料制成。
“D43”表示內存速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J = DDR333M=DDR333，2-2-2；K = DDR266AH = DDR266BL=DDR200)
工作溫度壹般省略。I=工業常溫(-40 ~ 85度)；E=膨脹溫度(-25 ~ 85度)
現代記憶的意義:
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1和HY代表現代產品。
2.內存條芯片類型:(57=SDRAM，5D = DDR SDRAM)；);
3.加工工藝及工作電壓:(空白= 5vVDD = 3.3V & amp；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 1.8V；VDD = 1.8V & amp；VDDQ=1.8V)
4.芯片容量密度和刷新率:16=16Mbits，4KRef；64: 64m4k刷新；64=64Mbits、8KRef65=64Mbits、4KRef66: 64m2k刷新；28: 128m4k刷新；128= 128Mbits、8KRef129=128Mbits、4KRef56: 256 m8k刷新；57: 256 m4k刷新；256=256Mbits、16 kref；257=256Mbits、8KRef12: 512M8k刷新；1g: 1g 8k刷新
5.代表芯片輸出的數據位寬度:40、80、16、32分別代表4位、8位、16位、32位。
6.銀行數量:1，2，3分別代表2，4，8家銀行，是2的冪。
7.I/O接口:1:SSTL_3，2:SSTL_2。
8.芯片內核版本:可以是空白，也可以是A、B、C、D等字母。越往後，內核越新。
9.代表功耗:L=低功耗芯片，空白=普通芯片。
10，存儲芯片封裝形式:JC=400milSOJ，TC = 400 mil TSOP-II，TD = 13 mm TSOP-II，TG = 16 mm TSOP-II。
11，工作速度:55:183MHZ，5:200MHZ，45:222MHZ，43:233MHZ，4:250MHZ，33:300 MHz，L:DDR200，H:DDR266B。
現代mBGA封裝顆粒
英飛淩(英飛淩)
英飛淩是德國西門子公司的子公司。目前，西門子旗下的英飛淩在國內市場只生產兩種存儲顆粒:容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。數字詳細列出了其存儲器的容量和數據寬度。英飛淩的內存隊列組織和管理模式是每個粒子由4個存儲體組成。所以它的記憶粒子模型比較小，也是最容易分辨的。
HYB39S128400表示128MB/4bits，“128”表示顆粒的容量，後三位表示內存的數據寬度。其他的也是如此，比如:HYB39S128800，即128 MB/8 bits；HYB39S128160是128 MB/16 bits；HYB39S256800為256 MB/8位。
英飛淩記憶粒子工作率是通過在其模型末端加壹條短線，然後標註工作率來表示的。
-7.5-表示存儲器的工作頻率為133 MHz；；
-8-表示存儲器的工作頻率為100MHz。
例如:
1金士頓內存條由16英飛淩HYB39S128400-7.5內存顆粒生產。其容量計算為:128Mbits(兆位)×16 chips /8=256MB(兆位)。
1 Ramaxel內存芯片由8顆英飛淩HYB39S128800-7.5內存顆粒生產。其容量計算為:128兆位×8芯片/8 = 128兆位。
金麥克斯、kti
KINGMAX內存描述
Kingmax內存全部封裝在TinyBGA (Tinyballgridarray)中。而且封裝方式是專利產品，所以我們看到Kingmax顆粒的內存條都是工廠自己生產的。Kingmax內存顆粒有64Mbits和128Mbits兩種容量。您可以在這裏列出每個容量系列的內存粒度型號。
容量備註:
Ksva 44t 4a0a-64mbits，16M地址空間×4位數據寬度；
Ksv884t 4a0a-64mbits，8M地址空間× 8位數據寬度；
Ksv244t4xxx-128mbits，32M地址空間×4位數據寬度；
Ksv684t4xxx-128mbits，16M地址空間×8位數據寬度；
Ksv864t4xxx-128Mbits，8m地址空間×16位數據寬度。
Kingmax內存的工作速率有四種狀態，在型號後用壹個短線符號隔開，以標識內存的工作速率:
-7A——PC 133/CL = 2；
-7——PC 133/CL = 3；
-8A——PC 100/CL = 2；
-8——PC100/CL=3 .
舉個例子，壹個Kingmax內存條由16塊KSV884T4A0A-7A組成，其容量計算為:64Mbits ×16塊/8=128MB(兆字節)。
微米(微米)
美光的記憶的編碼規則用編號MT48LC16M8A2TG-75舉例說明。
含義:
mt-美光的制造商名稱。
48型內存。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC-電源電壓。LC代表3v；c代表5v；v代表2.5V
16M8——粒度內存容量為128Mbits，計算方法為:16M(地址)×8位數據寬度。
a2-內存內核版本號。
TG包裝法，TG是TSOP包裝。
-75-內存的工作速度，也就是133 MHz；；-65表示150MHz。
例如:MicronDDR記憶棒由18個編號為MT46V32M4-75的顆粒組成。內存支持ECC功能。所以每個存儲體是奇數個存儲粒子。
其容量計算為:容量32M×4bit×16芯片/8=256MB(兆)。
華邦(華邦)
含義描述:
WXXXXXXXX
12345
1和W表示內存顆粒是華邦生產的。
2.代表性的內存類型:98是SDRAM，94是DDRRAM。
3.代表粒子的版本號:常見的版本號有B和H；
4.代表封裝，H是TSOP封裝，B是BGA封裝，D是LQFP封裝。
5.工作頻率:0: 10 ns，100 MHz；；8:8ns、125 MHz；Z:7.5ns、133 MHz；Y:6.7ns、150 MHz；6:6ns、166 MHz；5:5納秒、200兆赫
摩澤爾語(臺灣省茅斯語)
臺灣灣摩思科技是臺灣省內存芯片的大廠，對大陸供貨不多，所以我們不太熟悉。這個粒子的編號是V54C365164VDT45。數字6和7是65，也就是說單個粒子是64/8 = 8mb。從數字8和9，單個粒子的位寬是16bit可知粒子速度是4.5ns
南亞，仙丹，PQI，PLUSS，Atl，EUDAR
南亞科技是全球第六大內存芯片制造商，也是臺灣省去年唯壹盈利的公司，排名全球第五。該存儲器編號為NT5S5V8 M16CT -7K，其中第4個字母“S”表示SDRAM存儲器，第6、7位8 M表示單粒子容量8M，第8、9位16表示單粒子位寬16bit，-7K表示速度7ns。
哪壹位，斯通先生，雷，金
M.tec(勤奮)，TwinMOS(勤奮)
V-DATA(香港維港)，A-DATA(臺灣省維港)，VT
內存粒子編號為VDD8608A8A-6B H0327，為6納秒粒子，容量為***256M，0327表示其生產日期為2003年第27周。
a數據
這是A-Data的DDR500。