下面簡單介紹壹下碳化矽的發展和制備技術:
發展歷程:
1.早期發展:早在19年底就發現了碳化矽。1907年，隨著費迪南德·布勞恩發明第壹臺無線電設備，鉛硫晶體開始被用來制作整流二極管，碳化矽開始被應用於電子器件。
2.發展階段:20世紀60年代後，美國等國開始對碳化矽材料進行深入研究，希望利用這種材料開發更先進的無線電設備。上世紀八九十年代，隨著碳化矽晶體生長技術的掌握，碳化矽的商業化生產開始實現。
3.現代研究:20世紀以來，碳化矽在集成電路、電力電子等領域的應用進展迅速，取得了壹系列突破性成果。
制備技術:
1.氣相沈積(CVD)法:氣相沈積法是壹種制備碳化矽的常用技術，氣相中的物質在高溫下以單層或多層的形式在基底上沈積成薄膜。
2.物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition，PVD)法:物理氣相沈積是通過物理方法(如蒸發、濺射等)將物質從固態源轉化為氣態，然後沈積在基底上形成薄膜或多層膜。
3.PECVD法:采用低溫等離子體增強氣相沈積，主要是通過刷新反應氣體，催化與等離子體中受激粒子的反應來產生碳化矽薄膜，從而在低溫下獲得並生長高質量的碳化矽薄膜。
4.分子束外延(MBE)法:這種方法屬於超高真空技術，通過元素的原子束或分子束打在襯底上來生長晶體。
5.液相外延生長(LPE)法:襯底通過液相碳化矽溶液在高溫高壓的環境下完美外延生長。
目前，成本、效率和性能問題是碳化矽材料制備中需要克服的主要問題。但隨著科研和技術的不斷進步，這些問題有望得到解決，碳化矽材料在電力電子、射頻、光電子等領域的應用有很大的發展空間。