參考資料:
記憶計時
通常存儲在記憶棒的SPD上的參數。2-2-2-8四個數字的含義是:CAS潛伏期(簡稱CL值)，是記憶的重要參數之壹。某些品牌的內存會在內存條的標簽上打印CL值。Ras到cas延遲(TRCD)，內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。行預充電延遲(Trp)，存儲器行地址選通cas延遲。行激活延遲(tras)，存儲器行地址選通延遲。這是玩家最關心的四個時序調整，大部分主板的BIOS中都可以設置。內存模塊制造商還計劃推出低於JEDEC認證標準的低延遲超頻內存模塊。在相同的頻率設置下，“2-2-2-5”最低順序的內存條確實可以帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3到5個百分點之間。
在壹些技術文章中介紹內存設置的定時參數時，壹般數字“A-B-C-D”對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。現在妳明白“2336”是什麽意思了吧？！_以下是對這些參數以及BIOS設置中影響內存性能的其他參數的介紹:
壹、記憶延時順序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置
首先妳需要打開BIOS中的手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM時序可選”。BIOS設置中可能出現的其他描述有:自動配置、DRAM自動、時序可選、SPD時序配置等。將其值設置為“Menual”(開/關或啟用/禁用，取決於BIOS)。如果要調整內存定時，應該先打開手動設置，然後會自動出現定時參數的詳細列表:
每時鐘命令(CPC)
可選設置:自動、啟用(1T)和禁用(2T)。
每時鐘命令(CPC:指令比，也翻譯為:第壹命令延遲)壹般被描述為DRAM命令速率、CMD速率等。因為目前DDR內存的尋址，首先要選擇P-Bank(通過DIMM上的CS片選信號)，然後是L-Bank/ row激活和列地址選擇。該參數的含義是指在P-Bank被選中後，發出壹個特定尋址的L-Bank/ line激活命令需要多長時間，單位為時鐘周期。
顯然，越短越好。但隨著主板內存模塊的增加，控制芯片組的負載也隨之增加，命令間隔過短可能會影響穩定性。所以，當妳的內存插了很多，出現不穩定的時候，妳就需要把這個參數調整的更久。目前大部分主板都會自動設置這個參數。
該參數的默認值是Disable(2T)。如果玩家的內存質量好，可以設置為Enable(1T)。
CAS延遲控制(tCL)
可選設置:自動，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
壹般我們在查找內存的時序參數時，比如“3-4-4-8”數字序列，上述數字序列對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是1參數，也就是CL參數。
CAS延遲控制(也稱為tCL、CL、CAS延遲時間、CASTING Delay)，CAS延遲是“地址控制器在存儲器讀寫操作之前的延遲”。CAS控制從接受指令到執行指令的時間。因為CAS主要控制的是十六進制地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以是最重要的參數，在穩定的前提下應該設置的盡量低。
根據行和列來尋址存儲器。當請求被觸發時，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電結束後，存儲器才真正開始初始化RAS。tRAS激活後，RAS(行地址選通)開始尋址所需的數據。首先是行地址，然後tRCD被初始化，循環結束，然後通過CAS訪問所需數據的確切十六進制地址。從CAS開始到CAS結束的時間是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最後壹步，也是最重要的內存參數。
該參數控制在接收到數據讀取指令後，在實際執行該指令之前，存儲器必須等待多少個時鐘周期。同時，該參數還決定了在存儲器突發傳輸過程中完成第壹部分傳輸所需的時鐘周期數。這個參數越小，記憶速度越快。必須註意的是，有些內存無法以低延遲運行，數據可能會丟失。所以在提醒大家將CAS延遲設置為2或2.5的同時，如果不穩定，只能進壹步改進。而且增加延遲可以讓內存以更高的頻率運行，所以在需要超頻內存的時候，應該盡量增加CAS延遲。
該參數對內存性能的影響最大。在保證系統穩定的前提下，CAS值越低，內存讀寫操作會越快。CL值為2將獲得最佳性能，而CL值為3將提高系統的穩定性。請註意，WinbondBH-5/6芯片不能設置為3。
RAS#到CAS#延遲(tRCD)
可選設置:自動，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值是“3-4-4-8”內存計時參數中的第二個參數，即第65438個+第0個4。RAS#到CAS# Delay(也稱為tRCD，RAS到CAS Delay，Active到CMD)代表“從行尋址到列尋址的延遲時間”，值越小性能越好。當讀、寫或刷新存儲器時，有必要在這兩個脈沖信號之間插入壹個延遲時鐘周期。在JEDEC規範中，它是第二個參數。減少這種延遲可以提高系統性能。建議將該值設置為3或2，但如果該值設置過低，也會導致系統不穩定。當取值為4時，系統將處於最穩定狀態，而取值為5，則過於保守。
如果妳的內存超頻性能很差，可以將這個值設置為妳的內存默認值或者嘗試增加tRCD值。
最小RAS#活動計時(tRAS)
可選設置:自動，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13。
該值表示該值是“3-4-4-8”內存計時參數中的最後壹個參數，即8。Min RAS# Active Time(也稱為tRAS，Active to Precharge Delay，Row Active Time，Precharge Wait State，Row Active Delay，Row Precharge Delay，RAS Active Time)，它的意思是“從存儲行有效到預充電的最短周期”。根據具體情況調整該參數。壹般我們最好設置在5-10之間。這個參數要看實際情況，並不是越大越小越好。
如果tRAS的周期太長，系統的性能會因為不必要的等待而降低。減少tRAS周期將導致激活的行地址更早進入非激活狀態。如果tRAS的周期太短，數據的突發傳輸可能由於缺少足夠的時間而無法完成，這可能導致數據丟失或數據損壞。該值通常設置為CAS延遲+tRCD+2個時鐘周期。如果CAS延遲值為2，tRCD值為3，則最佳tRAS值應設置為7個時鐘周期。為了提高系統性能，應該盡可能減小tRAS的值，但在出現內存錯誤或系統崩潰的情況下，應該增大tRAS的值。
如果使用DFI主板，tRAS值建議為00，或5-10之間的值。
行預充電時序(tRP)
可選設置:自動，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值是“3-4-4-8”內存定時參數中的第三個參數，即第二個4。行預充電定時(也稱為tRP、RAS預充電、預充電到激活)代表“存儲器行地址控制器cas延遲”。預充電參數越小，存儲器讀寫速度越快。
TRP用於設置RAS在激活另壹條線路之前所需的充電時間。將tRP參數設置得太長會導致所有行的激活延遲太長，將其設置為2會減少cas延遲並更快地激活下壹行。但是，將tRP設置為2對於大多數存儲器來說是很高的要求，這可能導致行激活之前的數據丟失，並且存儲器控制器不能成功地完成讀寫操作。對於臺式計算機，建議將預充電參數的值設置為2個時鐘周期，這是最佳設置。如果低於這個值，每次激活相鄰存儲體需要1個時鐘周期，會影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。僅當tRP值為2且系統不穩定時，將該值設置為3個時鐘周期。
如果使用DFI的主板，tRP值建議在2到5之間。值為2將獲得最高的性能，值為4將在超頻時獲得最佳的穩定性，值為5則過於保守。大部分內存無法使用2的數值，需要超頻才能達到這個參數。
行周期時間(tRC)
可選設置:自動，7-22，步幅值1。
行周期時間(tRC，RC)代表“SDRAM行周期時間”，它是包括預充電到激活行單元的整個過程所需的最小時鐘周期數。
計算公式為:行周期時間(TRC) =最小行活動時間(TRAS)+行預充電時間(Trp)。所以在設置這個參數之前，妳要知道妳的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間太長，會因為在完成整個時鐘周期後激活新地址而等待不必要的延遲，從而降低性能。那麽壹旦該值被設置得太小，在被激活的行單元被完全充電之前，新的周期可以被初始化。
在這種情況下，仍然會導致數據丟失和損壞。所以最好按照tRC = tRAS+tRP來設置。如果內存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，tRP值是4個時鐘周期，那麽理想的tRC值應該設置為11個時鐘周期。
行刷新周期時間(tRFC)
可選設置:自動，9-24，步幅值1。
行刷新周期時間(tRFC，RFC)代表“SDRAM行刷新周期時間”，即刷新行單元所需的時鐘周期數。該值還指示向同壹存儲體中的另壹行單元發送兩次刷新指令(即REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好。它略高於時間報告代碼值。
如果用DFI的主板，tRFC的數值達不到9，10是最佳設置，17-19是內存超頻的推薦值。建議從17開始遞減測試該值。最穩定的值是tRC加2-4個時鐘周期。
行到行延遲(RAS到RAS延遲)(tRRD)
可選設置:自動，0-7，每級遞增1。
行到行延遲，也稱為RAS到RAS延遲(tRRD)，代表“從行單元到行單元的延遲”。該值還指示向同壹存儲體中的同壹行單元發送激活指令(即REF指令)兩次之間的時間間隔。tRRD值越小越好。
延遲越低，下壹個存儲體被激活進行讀寫的速度就越快。但是因為需要壹定的數據量，所以延遲太短會造成數據持續膨脹。對於臺式電腦，建議將tRRD值設置為2個時鐘周期，這是最佳設置，此時的數據擴展可以忽略。如果低於這個值，每次激活相鄰存儲體需要1個時鐘周期，會影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。僅當tRRD值為2且系統不穩定時，將該值設置為3個時鐘周期。
如果使用DFI的主板，00的tRRD值是最好的性能參數，內存超頻4可以達到最高頻率。通常2是最合適的值，00看起來很奇怪，但是有人可以在00-260MHz穩定運行。
寫恢復時間(tWR)
可選設置:自動，2，3。
寫恢復時間(tWD)，意思是“寫恢復延遲”。該值指示在有效的寫操作和預充電可以在活動存儲體中完成之前必須等待多少時鐘周期。這個必要的時鐘周期用於確保寫緩沖器中的數據可以在預充電發生之前被寫入存儲單元。同樣，太低的tWD提高了系統性能，但是它可能導致在數據被正確寫入存儲單元之前的預充電操作，這將導致數據的丟失和損壞。
如果使用的是DDR200和266內存，建議將tWR值設置為2；如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設為3。如果使用DFI主板，tWR值建議為2。
寫入讀取延遲(tWTR)
可選設置:自動，1，2。
寫至讀延遲(tWTR)是指“讀至寫延遲”。三星稱之為“TCDLR(讀取命令中的最後壹個數據)”，即最後壹個數據進入讀取命令。它設置DDR存儲器模塊中同壹單元的上壹次有效寫操作和下壹次讀操作之間必須等待的時鐘周期。
TWTR值為2，這降低了高時鐘頻率下的讀取性能，但提高了系統穩定性。在這種情況下，也使得存儲芯片高速運行。換句話說，增加tWTR值可以使內容模塊以比其默認速度更快的速度運行。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設置為1；如果使用DDR400，也可以嘗試將tWTR的值設置為1，如果系統不穩定就改成2。
刷新周期
可選設置:自動，0032-4708，步長值不固定。
刷新周期(tREF)是指“刷新周期”。它指的是內存模塊的刷新周期。
請看同壹內存中不同參數對應的刷新周期(單位:微秒，即百萬分之壹秒)。？此處的數字表示該刷新周期沒有對應的準確數據。
1552= 100mhz(？。？s)
2064= 133mhz(？。？s)
2592= 166mhz(？。？s)
3120= 200mhz(？。？s)
-
3632= 100mhz(？。？s)
4128= 133mhz(？。？s)
4672= 166mhz(？。？s)
0064= 200mhz(？。？s)
-
0776= 100mhz(？。？s)
1032= 133mhz(？。？s)
1296= 166mhz(？。？s)
1560= 200mhz(？。？s)
-
1816= 100mhz(？。？s)
2064= 133mhz(？。？s)
2336= 166mhz(？。？s)
0032= 200mhz(？。？s)
-
0388= 100mhz(15.6us)
0516 = 133 MHz(15.6 us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
-
0908 = 100兆赫(7.8美國)
1032 = 133兆赫(7.8美國)
1168 = 166兆赫(7.8美國)
0016= 200mhz(7.8us)
-
1536 = 100兆赫(3.9美國)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
-
3684= 100mhz(1.95us)
4196 = 133 MHz(1.95 us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用自動選項，主板BIOS將查詢內存中壹個名為“SPD”(串行存在檢測)的非常小的芯片。SPD存儲了存儲器的各種相關工作參數，系統會根據SPD中數據最保守的設置自動確定存儲器的工作參數。如果要追求最佳性能，需要手動設置刷新周期的參數。壹般來說，15.6us適合基於128兆內存芯片的內存(即單個容量為16MB的內存)，7.8us適合基於256兆內存芯片的內存(即單個容量為32MB的內存)。註意，如果tREF刷新周期設置不當，存儲單元將丟失其數據。
另外，根據其他數據，內存中存儲的每壹位都需要定期刷新才能充電。不及時充電會導致數據丟失。DRAM其實就是壹個電容，最小的存儲單位是位。陣列中的每壹位都可以被隨機訪問。但如果不收費，數據只能保存很短時間。所以我們必須每15.6us刷新壹行，每次刷新都要重寫數據。正是因為這個原因，DRAM也被稱為非永久性存儲器。壹般采用同步的僅RAS刷新方式(行刷新)依次刷新每壹行。早期刷新壹行江戶內存需要15.6us。因此，2Kb內存的每列刷新時間為15.6？S x2048 line =32ms。
如果妳使用DFI的主板，tREF和tRAS壹樣，不是壹個準確的值。壹般15.6us和3.9us可以穩定運行，1.95us會降低內存帶寬。很多玩家發現，如果內存質量好，當tREF刷新周期設置為3120=200mhz(？。？s)，將獲得最佳的性能/穩定性比。
寫CAS#延遲(tWCL)
可選設置:自動，1-8。
寫CAS延遲(tWCL)，意思是“寫指令到行地址控制器的延遲”。SDRAM存儲器是隨機訪問的，這意味著存儲器控制器可以將數據寫入任何物理地址。在大多數情況下，數據通常被寫入最接近當前列地址的頁面。TWCL表示寫入的延遲，DDRII除外，壹般可以設置為1T。這個參數是相對於大家熟悉的tCL(CAS-Latency)而言的，tCL表示讀取的延遲。
DRAM存儲體交叉存取
可選設置:啟用，禁用。
DRAM存儲體交錯，意思是“DRAM存儲體交錯”。此設置用於控制是否啟用內存交叉存取模式。交錯模式允許存儲體改變刷新和訪問周期。當壹家銀行正在刷新時，另壹家銀行可能正在訪問。最近的實驗表明，所有存儲體的刷新周期是交錯的，這將產生流水線效應。
雖然交叉存取模式只在不同存儲體進行連續尋址請求時才起作用，但如果在同壹個存儲體中，數據處理與不打開交叉存取是壹樣的。在發送另壹個地址之前，CPU必須等待第壹個數據處理完成和存儲體刷新。目前所有內存都支持交錯模式，如果可能的話我們建議開啟這個功能。
對於DFI主板，這個設置應該在任何情況下啟用，這可以增加內存的帶寬。禁用配對會減少內存的帶寬，但會使系統更加穩定。
DQS偏斜控制
可選設置:自動、增加傾斜、減少傾斜。
DQS時滯控制代表“DQS時差控制”。穩定的電壓可以使存儲器達到較高的頻率，電壓波動會造成較大的偏斜，加強控制力可以減少偏斜，但在對應的DQS(數據控制信號)的上升沿和下降沿電壓會過高或過低。另壹個問題是高頻信號將導致跟蹤延遲。DDR存儲器的解決方案是通過簡單的數據選通來增加時鐘提前量。
DDRII引入了更先進的技術:雙向差分I/O緩沖區，形成DQS。差分是指用壹個簡單的脈沖信號和壹個參考點來測量信號，而不是相互比較信號。理論上，上升和下降信號應該是完全成對的，但事實並非如此。時鐘和數據的失諧會產生DQ-DQS偏斜。
如下圖所示。
對於DFI主板，建議增加偏斜可以提高性能，而減少偏斜可以增加穩定性，但會犧牲壹定的性能。
DQS偏斜值
可選設置:自動，0-255，步長值為1。
當我們打開DQS偏斜控制時，該選項用於設置增加或減少的值。這個參數對系統的影響不是很敏感。對於DFI主板，打開“增加偏斜”選項後，可以將該值設置為50到255之間的值。值越高，速度越快。
DRAM驅動強度
可選設置:自動，1-8，步長值為1。
DRAM驅動強度(也稱為:驅動強度)代表“DRAM驅動強度”。該參數用於控制存儲器數據總線的信號強度。該值越高，信號強度越高。增加信號強度可以提高超頻的穩定性。但是，信號強度高不壹定好。三星的TCCD存儲芯片在低信號強度下有更好的性能。
如果設置為自動，系統通常會設置為較低的值。對於使用TCCD的芯片，性能會更好。但其他內存條就不是這樣了。根據在DFI NF4主板上的調試測試結果，1，3，5，7都是弱參數，其中1最弱。2、4、6和8是正常設置，8提供最強的信號強度。TCCD建議參數為3、5或7，其他芯片的內存建議設置為6或8。
DFI用戶建議設置:TCCD建議參數為3、5、7，其他芯片內存建議為6或8。
DRAM數據驅動強度
可選設置:自動，1-4，步長值為1。
DRAM數據驅動強度代表“DRAM數據驅動強度”。該參數決定了存儲器數據總線的信號強度，值越大，信號強度越高。主要用於增加DRAM在處理高負載內存讀取時的控制能力。因此，如果系統內存的讀取負載很高，應該將該值設置為Hi/High。它有助於超頻內存數據總線。但如果不超頻，提高內存數據線的信號強度可以提高超頻後速度的穩定性。此外，提高內存數據總線的信號強度並不能提高SDRAM DIMM的性能。因此，除非您在內存中有很高的讀取負載，或者試圖超頻DIMM，否則建議將DRAM數據驅動強度的值設置為低(Lo/Low)。
要處理繁重的數據流，需要提高內存控制能力。您可以將其設置為Hi或High。超頻時，提高這個參數可以提高穩定性。此外，該參數對內存性能的影響很小。所以除非超頻，壹般用戶建議設置為Lo/Low。
DFI用戶建議設置:普通用戶建議使用1或3級。如果CPC打開，任何高於1的參數都可能不穩定。有些用戶打開CPC後可以在3中運行。更多人關掉CPC後，2-4就能穩定運行了。當然，最理想的參數是開啟CPC，設置為level4。
強度最大異步延遲
可選設置:自動，0-15，步長值為1。
Strength Max Async Latency目前未能找到關於該參數的任何解釋，其功能未知。感受壹下網友的體驗，我們在進行珠峰最晚測試的時候，可以看到壹些不同。在我的BH-6上，8ns到7ns的參數在潛伏期測試的測試結果中相差1ns。6ns從7ns降低後，測試結果減少2ns。
DFI主板推薦設置:BIOS中默認值為7ns，建議您在5-10之間調整。6ns需要更高的內存。建議使用BH-5和UTT芯片的用戶可以嘗試壹下，但是不適合TCCD。7ns的要求更低，設置UTT和BH-5為7n更適合超頻。8ns對於UTT和BH-5來說是小菜壹碟。8ns時，TCCD通常可以在DDR600中穩定運行。如果要超頻到DDR640，必須設置到9ns甚至更高。
讀取前同步碼時間
可選設置:自動，2.0-9.5，步長值為0.5。
參數Read Preamble Time表示DQS(數據控制信號)返回和DQS再次開啟的時間間隔。三星早期的內存數據顯示，該參數用於提高性能。DQS信號是雙向的，它從圖形控制器到DDR SGRAM或從DDR SGRAM到圖形控制器。
DFI主板推薦設置:當BIOS中該值設置為Auto時，實際上是默認值5.0。建議妳在4.0-7.0之間調整，數值越小越好。
怠速循環極限
可選設置:自動，0-256，無固定步長值。
參數“怠速循環極限”表示“怠速循環極限”。此參數指定強制關閉打開的內存頁之前的memclock值，即在讀取內存頁之前強制對其重新充電所允許的最長時間。
DFI主板推薦設置:當BIOS中該值設置為Auto時，此時實際執行默認值256。質量好的內存試試16-32，華邦BH-5產品可以穩定運行在16。怠速極限值越低越好。
動態計數器
可選設置:自動、啟用和禁用。
參數動態計數器代表“動態計數器”。此參數指定動態空閑周期計數器是打開還是關閉。如果選擇Enable，則每次進入內存頁表時，空閑周期限制的值將根據頁沖突和頁未命中之間的流量比(PC/PM)進行動態調整。該參數與之前的怠速周期限制密切相關。啟用時，它將屏蔽當前空閑周期限制，並根據沖突的發生動態調整它。
DFI主板推薦設置:BIOS中該值設置為Auto和off，與的相同。打開此設置可以提高性能，而關閉此設置可以使系統更穩定。
讀/寫隊列旁路
可選設置:自動、2x、4x、8x、16x。
讀/寫隊列旁路代表“忽略讀/寫隊列”。此參數指定在重寫優化程序並選擇DCI(設備控制接口)的最後壹個操作之前，忽略DCI的讀/寫隊列的時間。除了優化器會影響內存中的讀/寫隊列之外，該參數類似於前面的空閑周期限制。
DFI主板推薦設置:BIOS中默認值為16x。如果您的系統穩定，請保持這個值。但如果不穩定，或者超頻，只會降到4x或者2x甚至更低。值越大，系統性能越強，值越小，系統越穩定。
旁路最大值
可選設置:自動，0x-7x，步長值為1。
Bypass Max代表“最大忽略時間”。該參數表示在選擇否決之前，優化程序最終進入DCQ(依賴鏈隊列)時可以忽略的時間。經過仔細研究，我認為這個參數會影響內存和CPU內存控制器的連接。
DFI主板推薦設置:BIOS中默認值為7x。建議采用4x或7x，這兩種方式都能提供良好的性能和穩定性。如果您的系統穩定，請保持這個值。但如果不穩定，或者超頻，只會降到4x或者2x甚至更低。值越大，系統性能越強，值越小，系統越穩定。
32字節粒度
可選設置:自動、禁用(8脈沖)和啟用(4脈沖)。
32字節粒度意味著“32位粒度”。當該參數設置為禁用時，可以選擇突發計數器，並且在32位數據訪問的情況下可以優化數據總線帶寬。因此，關閉該參數後可以獲得最佳性能。
DFI主板推薦設置:在大多數情況下，建議選擇禁用(8連發)選項。開啟Enable (4burst)可以讓系統更加穩定。